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封装：MSOP-8

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：LTC4359HMS8#PBF 编号：C580868

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

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型号：VNQ5160K-E 编号：C1556602

封装：PowerSSO-24

品牌：ST(意法半导体)

用于驱动一侧接地的电阻性或电感性负载。有源VCC引脚电压钳位可保护设备免受低能量尖峰的影响。在STAT_DIS悬空或驱动为低电平时，设备可在导通和关断状态下检测到开路负载情况。在关断状态下可检测到输出短路到VCC的情况。当STAT_DIS驱动为高电平时，STATUS引脚处于高阻抗状态。输出电流限制可在过载情况下保护设备。在长时间过载的情况下，设备会将耗散功率限制在安全水平，直至热关断介入。具有自动重启功能的热关断可使设备在故障条件消失后立即恢复正常运行。

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型号：LTC4359IDCB#TRMPBF 编号：C580869

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

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型号：LTC4359HS8#PBF 编号：C1523986

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4359是一款正高压理想二极管控制器，可驱动外部N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。它控制MOSFET两端的正向压降，确保即使在轻负载情况下也能平稳输送电流且无振荡。若电源出现故障或短路，快速关断功能可将反向电流瞬变降至最低

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型号：LTC4357MPMS8#PBF 编号：C580865

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：TPS25840QWRHBTQ1 编号：C1849493

封装：VFQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

TPS25840-Q1 具有 STB 保护和电缆补偿功能的 USB-A SDP/CDP 充电端口转换器

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型号：TPS2065CDBVR 编号：C353882

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS2065C 高电平有效且具有输出放电和反向阻断功能的 1A 负载、4.5-5.5V、86mΩ USB 电源开关

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型号：TPS2069CDBVR 编号：C181752

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS2069C 高电平有效且具有输出放电和反向阻断功能的 1.5A 负载、4.5-5.5V、69mΩ USB 电源开关

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型号：TPM1869C6 编号：C5246383

封装：SOT-363-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话

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型号：ETA6280S2F 编号：C7465543

封装：SOT23-5

品牌：ETA(钰泰)

ETA6280是一款负载开关，可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。ETA6280提供一个70mΩ的限流开关，可在2.1 - 6V的输入电压范围内工作。

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￥0.7254
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型号：LPW5213B6F 编号：C517134

封装：SOT-23-6

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPW5213 是一款用于自供电和总线供电通用串行总线应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的 N 沟道 MOSFET，以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流（30μA）和小封装（SOT23 - 6）特别适用于电池供电的便携式设备

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型号：LP5312B6F 编号：C47345743

封装：SOT-23-6

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

是一种功率开关设备，可为可能遇到大电流和输入过压情况的系统和负载提供多重保护。该设备包含一个270mΩ的MOSFET，可在3.0V至36V的输入电压范围内工作。当VIN上的电压高于过压阈值时，OVP将断开VIN和VOUT。当电流达到阈值时，设备将关闭功率FET，以防止过大电流造成损坏。集成了热关断保护，当温度高于阈值时，将关闭MPSFET，以防止部件损坏。该产品采用节省空间的SOT23-6和DFN-8封装。

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￥0.8523
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￥0.5931
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型号：AP22818AKBWT-7 编号：C5157840

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

DIODES AP22816/17/18 是一款单通道、限流型集成高端电源开关，专为通用串行总线（USB）及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合 USB 标准，使能输入具有两种极性可选。该器件具有快速的短路响应时间，可增强整个系统的稳健性，还集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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5+
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￥0.7314
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型号：TPS2552DRVR 编号：C473916

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS2552 低电平有效且具有反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节ILIMIT、2.5-6.5V、85mΩ USB 电源开关

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型号：TP6033ELX 编号：C5364042

封装：SOT23-5

品牌：晶扬电子

TP6033ELX是一款高性价比、低电压的单PMOSFET负载开关，专为自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用而优化。该开关的输入电压范围为2.5V至5.5V，非常适合3V和5V系统。该开关的低导通电阻RDS(ON)为60mΩ，满足USB压降要求

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型号：TPS2065CDBVR-2 编号：C2877795

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS2065C-2 高电平有效且具有反向阻断功能的 1A 负载、4.5-5.5V、86mΩ USB 电源开关

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型号：TPS22908YZTR 编号：C240334

封装：DSBGA-4

品牌：TI(德州仪器)

TPS22908 具有输出放电功能的 3.6V、1A、28mΩ 负载开关

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￥1.1868
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￥0.9248
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型号：AP22966DC8-7 编号：C441830

封装：VDFN3020-14

品牌：DIODES(美台)

AP22966 是一款集成式双 N 沟道负载开关，其特点是具有可调节的转换速率，每个通道可通过外部电容独立设置该速率。N 沟道 MOSFET 的典型导通电阻（RON）为 18mΩ，可处理高达 6A 的电流。两个通道均可通过低电压逻辑信号独立控制

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￥1.275776 ￥1.9934
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￥0.854334 ￥1.5821
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￥0.618552 ￥1.4058
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￥0.521796 ￥1.1859
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￥0.47872 ￥1.088
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￥0.452848 ￥1.0292

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型号：AP2182AFGEG-7 编号：C2150009

封装：DFN3030-8-EP

品牌：DIODES(美台)

DIODES AP2182A和DIODES AP2192A是双通道、限流、集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准，使能输入有两种极性可选。这些器件具有快速短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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