理光电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

R1210Nxx1x系列是基于CMOS的PWM升压DC/DC转换器,具有高精度和低供电电流。每个R1210Nxx1x系列包括振荡器、PWM电路、参考电压单元、误差放大器、相位补偿电路、电压检测电阻、芯片使能电路等。还包括针对负载瞬变的控制器、低导通电阻的控制晶体管、Lx开关和保护电路。R1210Nxx1A系列还包含一个切换电路。R1210N系列可以检测输出电压的急剧变化,负载瞬变响应得到改善。R1210Nxx1A系列具有从100kHz到35kHz的频率变化功能,因此供电电流减少。内置的芯片使能电路可以在待机模式下实现超低静态电流。由于这些IC的封装为小型SOT-23-5,因此可以在板上实现高密度安装。

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型号：R1210N501C-TR-FE 编号：C2468799

封装：SOT-23-5

品牌：Nisshinbo

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型号：RN5RK331A-TR-FE 编号：C2599548

封装：SOT-23-5

品牌：Nisshinbo

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型号：RN5RK271A-TR-FE 编号：C2599545

封装：SOT-23-5

品牌：Nisshinbo

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型号：R1210N331D-TR-FE 编号：C5841729

封装：SOT-23-5

品牌：Nisshinbo

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型号：R1211N002B-TR-FE 编号：C2599528

封装：SOT-23-6W

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型号：R1200N002A-TR-FE 编号：C3193130

封装：SOT-23-6

品牌：Nisshinbo

R1200x系列是基于CMOS控制的升压DC/DC转换器,具有低供电电流。这些IC包括N沟道MOSFET、NPN晶体管、振荡器、PWM比较器、电压参考单元、误差放大器、限流电路、欠压锁定电路（UVLO）、过压保护电路（OVP）和软启动电路。外部组件包括电感、电阻或电容,用于实现恒定输出电压的升压DC/DC转换器。在待机模式下,NPN晶体管可以将输出与输入分离。

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型号：R1218N062A-TR-FE 编号：C2468802

封装：SOT-23-6

品牌：Nisshinbo

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型号：R1218N021A-TR-FE 编号：C2468804

封装：SOT-23-6

品牌：Nisshinbo

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型号：R1200N003A-TR-FE 编号：C2468805

封装：SOT-23-6

品牌：Nisshinbo

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型号：R1200N001A-TR-FE 编号：C2595109

封装：SOT-23-6

品牌：Nisshinbo

R1200x系列是一种升压型DC-DC转换器,专为OLED背光和便携设备的白光LED背光设计。该系列包括N沟道MOSFET、NPN晶体管、振荡器、PWM比较器、电压参考单元、误差放大器、限流电路、欠压锁定电路（UVLO）、过压保护电路（OVP）和软启动电路。外部组件包括电感、电阻和电容。功能包括Lx峰值电流限制、过压检测和低电压保护。

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型号：R1218N041A-TR-FE 编号：C6749144

封装：SOT-23-6

品牌：Nisshinbo

R1218x系列是用于驱动白光LED的PWM控制型升压DC/DC转换器IC,具有低供电电流。每个IC包括N沟道MOSFET、振荡器、PWM比较器、电压参考单元、误差放大器和限流电路。R1218xxx1A内置400mA、1.5Q、20V N沟道MOSFET和二极管,R1218xxx2A内置400mA、1.5Q、33V N沟道MOSFET。振荡器频率为1.2MHz,最大占空比为91%至92%。反馈电压为0.2V,UVLO阈值电压为1.6V。Lx引脚限流保护为700mA。过压保护（OVP）阈值因型号不同而异,最高可达31.5V。LED调光控制可通过外部PWM信号（200Hz至5kHz）到CE引脚实现。

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型号：R1200L003A-TR 编号：C2599534

封装：DFN1616-6-EP

品牌：Nisshinbo

R1200x系列是一种升压型DC/DC转换器,专为OLED背光供电设计。该系列器件具有关断功能,内置N沟道MOSFET、NPN晶体管、振荡器、PWM比较器、电压基准单元、误差放大器、限流电路、欠压锁定电路（UVLO）、过压保护电路（OVP）和软启动电路。外部组件包括电感、电阻和电容。主要功能包括峰值电流限制、过压检测和欠压锁定。过压保护阈值可选17V、19V或21V。

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