DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZXMS6004FFTA 编号：C95063

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

DIODES™ ZXMS6004FF是一款具有逻辑电平输入的自保护低端IntelliFET® MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护逻辑电平功能。ZXMS6004FF非常适合作为由3驱动的通用开关

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1+
￥2.75
10+
￥2.13
30+
￥1.87
100+
￥1.54
500+
￥1.39
1000+
￥1.3

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型号：AP64500SP-13 编号：C2070920

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64500是一款5A同步降压转换器,具有3.8V至40V的宽输入电压范围。该器件集成了45mΩ高侧和20mΩ低侧功率MOSFET,提供高效能的降压DC-DC转换。采用峰值电流模式控制,减少外部组件数量,优化EMI性能。

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1+
￥9.57
10+
￥7.85
30+
￥6.9
100+
￥5.83
500+
￥5.35
1000+
￥5.14

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型号：BZT52C5V1S-7-F 编号：C151348

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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20+
￥0.166
200+
￥0.1281
600+
￥0.107
3000+
￥0.0943
9000+
￥0.0833

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型号：D5V0L1B2WS-7 编号：C182013

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电 ±30 kV，接触放电 ±30 kV。 1通道ESD保护。低通道输入电容。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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10+
￥0.17
100+
￥0.148
300+
￥0.137
3000+
￥0.1288
6000+
￥0.1222
9000+
￥0.1189

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型号：MMBTA06-7-F 编号：C151597

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补PNP型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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20+
￥0.1969
200+
￥0.1564
600+
￥0.1339
3000+
￥0.1076
9000+
￥0.0959
21000+
￥0.0896

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型号：BZT52C3V3-7-F 编号：C151564

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2079
200+
￥0.1656
600+
￥0.142
3000+
￥0.1126
9000+
￥0.1003
21000+
￥0.0937

有货

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型号：MMBF170-7-F 编号：C151058

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N沟道,60V,500mA,5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.224
200+
￥0.1727
600+
￥0.1443
3000+
￥0.1272
9000+
￥0.1124
21000+
￥0.1044

有货

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型号：DMG2307L-7 编号：C102620

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道， -30V -3.8A 90mΩ

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10+
￥0.2391
100+
￥0.2071
300+
￥0.1911
3000+
￥0.1791
6000+
￥0.1695
9000+
￥0.1647

有货

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型号：B130LAW-7-F 编号：C129191

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。极低正向压降。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.316
100+
￥0.2476
300+
￥0.2134
3000+
￥0.1877
6000+
￥0.1672
9000+
￥0.157

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型号：B1100-13-F 编号：C110106

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子在 +260℃ 下持续 10 秒。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。续流二极管

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10+
￥0.3609
100+
￥0.2847
300+
￥0.2466
1000+
￥0.2181
5000+
￥0.1848
10000+
￥0.1734

有货

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型号：DMP4065S-7 编号：C182476

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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10+
￥0.4432
100+
￥0.3481
300+
￥0.3006
3000+
￥0.2567
6000+
￥0.2282
9000+
￥0.214

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型号：DMN3067LW-7 编号：C212325

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

N沟道,30V,2.6A,98mΩ@2.5V

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5+
￥0.5536
50+
￥0.4458
150+
￥0.392
500+
￥0.3516
3000+
￥0.3192
6000+
￥0.3031

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型号：SMAJ5.0A-13-F 编号：C87074

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.6256
50+
￥0.5008
150+
￥0.4384
500+
￥0.3916
2500+
￥0.3076
5000+
￥0.2889

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型号：AP62300TWU-7 编号：C1883519

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP62300/AP62301/AP62300T 是一款 3A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 4.2V 至 18V。该器件完全集成了一个 75mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 45mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。AP62300/AP62301/AP62300T 采用恒定导通时间（COT）控制，以实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，通过减少外部元件数量，使其易于使用

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5+
￥0.7224
50+
￥0.5689
150+
￥0.4921
500+
￥0.4345
3000+
￥0.3733
6000+
￥0.3503

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型号：DMG7430LFG-7 编号：C212330

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥1.02672 ￥1.2834
50+
￥0.8252 ￥1.0315
150+
￥0.73888 ￥0.9236
500+
￥0.63112 ￥0.7889
2000+
￥0.58312 ￥0.7289
4000+
￥0.55432 ￥0.6929

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型号：AP2205-W5-7 编号：C3001658

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款采用高压EPNP工艺制造的正电压调节器IC。具有宽输入电压范围、高精度、高纹波抑制、低压差电压、低噪声、限流和超低静态电流等特点，适用于各种USB和便携式设备。由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路、芯片使能电路、用于延长电池寿命的低功耗关断模式、过流保护、过温保护以及反向电流保护组成。有1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、5.0V固定电压版本和可调电压版本。采用节省空间的SOT25和SOT89封装。

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