高精度电压基准芯片_厂家_价格_品牌_库存

ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550器件均为高精度、低功耗、低噪声基准电压源，最大初始误差为±0.02%，并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。该系列基准电压源使用创新的内核拓扑结构来实现高精度，同时提供业界领先的温度稳定性和噪声性能。器件的低热致输出电压迟滞和低长期输出电压漂移也提高了时间和温度变化下的系统精度。

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型号：REF6050IDGKT 编号：C2157003

封装：VSSOP-8-0.65mm

REF6050 具有集成缓冲器和使能引脚的 5V、5ppm/°C 高精度电压基准

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型号：AD780ARZ-REEL7 编号：C29724

封装：SOIC-8

2.5 V/3.0 V超高精度带隙基准电压源

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型号：RS3112-4.096XK 编号：C19268124

封装：SOP-8

品牌：RUNIC(润石)

RS3112 是一系列低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸收电流，也能提供电流，并且具有出色的线性调整率和负载调整率。通过采用专有设计技术，在静态电流为 150μA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（20 ppm/°C）和高精度（0.1%）

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型号：MAX6008AEUR+T 编号：C406607

封装：SOT-23

1μA、SOT23封装、高精度并联型电压基准、SOT23电压基准，仅消耗1μA电流!

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型号：ADR5040ARTZ-REEL7 编号：C144273

封装：SOT-23

ADR5040/ADR5041/ADR5043/ADR5044/ADR5045均为高精度分流基准电压源，针对空间受限的应用而设计，采用超小型SC70和SOT-23封装，具有多用途、易于使用的特点，适合众多应用领域。此外还具有低温度漂移、优于0.1%的初始精度和快速建立时间特性。 ADR5040/ADR5041/ADR5043/ADR5044/ADR5045分别提供2.048V、2.5V、3.0V、4.096V和5.0V输出电压，其先进的设计无需外部电容来提供补偿，而且使用任何容性负载均可保持稳定。

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型号：ADR512ARTZ-REEL7 编号：C2157702

封装：SOT-23

ADR512专为对空间要求严苛的应用而设计，是一款低电压（1.200V）、精密并联模式电压基准源，采用超紧凑型3mm×3mm SOT - 23封装。ADR512具有低温漂（60ppm / °C）、高精度（±0.30%）和超低噪声（4μV峰 - 峰值）的特性。ADR512的先进设计无需外部电容，并且在任何容性负载下都能保持稳定

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型号：REF7050QFKHT 编号：C6760318

封装：LCCC-8(5x5)

REF70 具有低噪声和低温漂的超高精度电压基准

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型号：AD584SH 编号：C1575293

封装：TO-99

AD584是一款8引脚精密电压基准源，可通过引脚编程选择四种常用输出电压：10.000 V、7.500 V、5.000 V和2.500 V。通过添加外部电阻，还可获得高于、低于或介于这四种标准输出之间的其他输出电压。输入电压可在4.5 V至30 V之间变化。采用激光晶圆微调（LWT）技术来调整引脚可编程输出电平及温度系数，使其成为单片形式下最灵活的高精度电压基准源。除可编程输出电压外，AD584还设有独特的选通引脚，可开启或关闭该器件。当AD584用作电源基准时，可通过单个低功率信号关闭电源。关闭状态下，AD584的电流消耗降至约100 μA。开启状态下，包括输出缓冲放大器在内，总电源电流通常为750 μA。建议将AD584用作需要外部精密基准源的8位、10位或12位数模转换器（DAC）的基准源。此外，该器件非常适合精度高达14位的模数转换器（ADC），无论是逐次逼近型还是积分型设计，总体而言，其性能优于标准内置基准源。AD584J和AD584K的工作温度范围为0℃至+70℃，AD584S和AD584T的工作温度范围为 -55℃至+125℃。所有等级产品均采用密封的8引脚TO - 99金属罐封装，AD584J和AD584K也提供8引脚PDIP封装。

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型号：TL432A 编号：C49309282

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

是一个三端并联电压基准源，可提供高精度的1.25V电压。具有热稳定性和较宽的工作电流，适用于各种寻求低成本、高性能解决方案的应用。

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型号：RS3112-2.048XSF3 编号：C19269196

封装：SOT-23

品牌：RUNIC(润石)

RS3112 是一系列低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸收电流，也能提供电流，并且具有出色的线性调整率和负载调整率。通过采用专有设计技术，在静态电流为 150μA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（20 ppm/°C）和高精度（0.1%）

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型号：GM7400BRZ-5-R7 编号：C41433518

封装：SO-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM7400BRZ-5-R7 是一款低噪声、高精度基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 8ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及±0.1% 的初始电压准确度。可用于高分辨率数据采集、仪器仪表与过程控制、医疗设备、汽车电池监控等领域。

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型号：MSR025 编号：C5371291

封装：SOT-23-5

品牌：杭州瑞盟

MSR015/MSR025是低温漂、低功耗、高精度CMOS电压基准，具有±0.05%初始精度、低功耗特点。该器件的低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移特性，进一步提高稳定性和系统可靠性。此外，器件的小尺寸和低运行电流特性使其非常适合便携式和电池供电应用。

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型号：MAX6225BCSA+T 编号：C559512

封装：SOP-8

低噪声、高精度+2.5V/+4.096V/+5V电压基准

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型号：LHR3040AFMA 编号：C42459123

封装：MSOP-8

品牌：Legendsemi(领慧立芯)

LHR30XX是一款噪声低、漂移低、精度高的电压基准产品系列。这些基准同时支持灌电流和拉电流，并且具有出色的线性和负载调节性能。采用专有的设计技术实现了出色的温漂(3ppm/°C)和高精度(0.05%)。

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型号：MAX6009AEUR+T 编号：C2157116

封装：SOT-23

1μA、SOT23封装、高精度并联型电压基准、SOT23电压基准，仅消耗1μA电流!

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型号：ADR440ARMZ 编号：C579302

封装：MSOP-8

是一系列 XFET 电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。采用温度漂移曲率校正和额外植入结 FET (XFET) 技术，大大减小了电压随温度的非线性变化。比埋入式齐纳基准源具有更好的噪声性能，并且在低电源电压裕量 (500 mV) 下工作。能够提供高达 10 mA 的输出电流和吸收高达 -5 mA 的电流，还带有一个微调端子，可在 0.5% 的范围内调节输出电压而不影响性能。

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型号：REF5025EIDR 编号：C43525405

封装：SOIC-8

是一款噪声低、漂移低、精度电压基准极高的产品系列。这些基准同时支持灌电流和拉电流，并且具有出色的线性调整率和负载调整率。采用专有的设计技术实现了出色的温漂 (2.5ppm/℃) 和高精度 (0.025%)。这些特性加之非常低的闪烁噪声(0.5μVₚ₋ₚ/V)，使其非常适合用于高精度数据采集系统。提供增强等级、高等级和标准等级。在8引脚SOIC和VSSOP封装中提供基准电压，指定温度范围为 -40℃ 至 125℃。增强等级支持42V的宽电源电压额定值和340μA的超低IQ。宽电源电压范围允许直接连接电池或现场电源，还可以在电源IC发生故障时保护器件。

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型号：AD780ARZ 编号：C578527

封装：SOIC-8

2.5 V/3.0 V超高精度带隙基准电压源

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型号：ADR434BRZ-REEL7 编号：C659559

封装：SOIC-8

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一组采用XFET技术的电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度变化的非线性被降至最低。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800μA），所需的电源电压裕量也更低（2V）

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型号：ADR4520ARZ-R7(TOKMAS) 编号：C49209001

封装：SOP-8

品牌：Tokmas(托克马斯)

超低噪声、高精度2.048V基准电压源

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型号：REF35125YBHR 编号：C32667732

封装：DSBGA-4

REF35 是毫微功耗、低漂移、高精度串联基准系列器件。REF35 系列具有 ±0.05% 的初始精度，典型功耗为 650nA。该器件的温度系数 (12ppm/°C) 和长期稳定性（1000 小时内为 40ppm）有助于提高系统稳定性和可靠性。凭借低功耗以及高精度规格，此器件适用于多种便携式应用和低电流应用。

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型号：LT1790BCS6-2.048#TRPBF 编号：C665246

封装：TSOT-23-6

SOT - 23 微功耗低压差系列基准源将高精度、低漂移与低功耗、小封装尺寸相结合。这些微功耗基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调的精密薄膜电阻器来实现高输出精度。此外，每个基准源在封装后都进行了微调，以大幅降低温度系数并提高输出精度

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型号：MAX6070BAUT33+T 编号：C490944

封装：SOT-23-6

低噪声、高精度系列电压基准、高性能SOT23电压基准，最大温度系数为6ppm/°C

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型号：LT1790AIS6-3#TRMPBF 编号：C579898

封装：TSOT-23-6L

SOT - 23 微功耗低压差系列基准源将高精度、低漂移与低功耗、小封装尺寸相结合。这些微功耗基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调的精密薄膜电阻器来实现高输出精度。此外，每个基准源在封装后都进行了微调，以大幅降低温度系数并提高输出精度

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型号：LT6656AIS6-2.5#TRMPBF 编号：C673372

封装：TSOT-23-6L

1μA 精准串联电压基准 1µA 精密串联基准电压源是一款微型精密基准电压源，其消耗的电源电流不到 1µA，输入输出电压压差低至 10mV。初始精度为 0.05%，温度漂移为 10ppm/°C。低功耗和高精度特性相结合，适合便携式和电池供电的仪器仪表。

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型号：ADR434ARZ 编号：C659556

封装：SOIC-8

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR4351系列是一组XFET电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度变化的非线性得到了最小化。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800 μA），所需的电源电压裕量也更低（2 V）

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型号：REF5040MDREP 编号：C2157009

封装：SOIC-8