高精度电压基准芯片_厂家_价格_品牌_库存

低噪声、高精度系列电压基准、高性能SOT23电压基准，最大温度系数为6ppm/°C

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型号：ADR4533BRZ 编号：C208120

封装：SOIC-8

超低噪声、高精度3.3V基准电压源

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型号：AD586BRZ-REEL7 编号：C133315

封装：SOIC-8

AD586代表了先进的单片电压基准源的重大进步。AD586采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管，并通过激光晶圆微调高稳定性薄膜电阻器，以低成本提供了卓越的性能。与大多数其他5 V基准源相比，AD586的性能要高得多

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型号：AD780BRZ-REEL 编号：C403863

封装：SOIC-8

2.5 V/3.0 V超高精度带隙基准电压源

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型号：AD581JH 编号：C392898

封装：TO-5-3

AD581是一款3引脚、温度补偿的单片式带隙电压基准源，可在12V至30V的非稳压输入电平下提供精确的10.00V输出。激光晶圆微调（LWT）技术用于调整+25°C时的初始误差和温度系数，从而实现了以往只有昂贵的混合电路或恒温调节模块才能达到的高精度性能。AD581L在单片式电压基准源中实现了5mV的初始误差容限和5ppm/°C的保证温度系数

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型号：MX431 编号：C512790

封装：SOT-23

品牌：Mixic(中科芯亿达)

电压基准类型：并联输出类型：可调输入电压：40V 输出电压：2.5V~36V 精度：0.5% 温度系数：25ppm/℃ 最小阴极电流调节：1mA 动态阻抗：150mΩ 工作温度：-40℃~+125℃@(Ta) 可调高精度并联稳压电路 2.5V~36V 100MA 0.3%精度

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型号：REF5025IDGKR 编号：C544628

封装：VSSOP-8-0.65mm

REF5025 2.5V、3μVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准

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型号：ADR3433ARJZ-R2 编号：C2157153

封装：SOT-23-6

微功耗、高精度3.3V基准电压源

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型号：ADR3425ARJZ-R2 编号：C579287

封装：SOT-23-6

微功耗、高精度2.5V基准电压源

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型号：GM7401BRZ-4.096-R7 编号：C41433693

封装：SO-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM7401 是一款精密基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 3ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及 ±0.04% 的初始电压准确度。它还提供了 10μVₚ₋ₚ 的噪声和非常低的温度循环迟滞。

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型号：MAX6250BESA+T 编号：C571020

封装：SO-8

低噪声、高精度+2.5V/+4.096V/+5V电压基准

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型号：MAX6126A30+T 编号：C2830617

封装：MSOP-8

MAX6126是一款超低噪声、高精度的低压差电压基准源。该系列电压基准源采用了曲率校正电路和高稳定性、激光微调的薄膜电阻，可实现3ppm/°C（最大值）的温度系数和出色的±0.02%（最大值）初始精度。其专有的低噪声基准架构可产生1.3μVₚ₋ₚ的低闪烁噪声，以及低至60nV/√Hz（2.048V输出）的宽带噪声，且不会像常见的低噪声基准源那样增加电源电流

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型号：CM5102-SOPTA 编号：C22446832

封装：SOP-8

品牌：CIMO(士模微)

超高精度的带隙电压基准芯片,工作温度范围最大为-55℃~125℃

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型号：ADR425ARMZ-REEL7 编号：C659537

封装：MSOP-8

ADR42x系列为高精度、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。利用温度漂移曲线校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。

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型号：ADR3512WCRMZ-R7 编号：C659505

封装：MSOP-8

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型号：MC1403N 编号：C518921

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

一种精密带隙电压基准，专为关键仪器和数模转换器应用而设计。该器件可与精度高达 12 位的数模转换器配合使用，或作为电源应用的参考。

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型号：ADR3420ARJZ-R7 编号：C579286

封装：SOT-23-6

微功耗、高精度2.048V基准电压源

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型号：REF5045AIDGKR 编号：C1848457

封装：VSSOP-8-0.65mm

REF5045 4.5V、3μVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准

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型号：GM7401BRZ-1.25-R7 编号：C41433521

封装：SO-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM7401BRZ-1.25-R7 是一款精密基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 10ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及±0.1% 的初始电压准确度。它还提供了 10µVP-P 的噪声和非常低的温度循环迟滞。同时TEMP pin 可以用来检测器件温度,微调输出电压值。

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型号：REF5045AIDGKT 编号：C2156943

封装：VSSOP-8-0.65mm

REF5045 4.5V、3μVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准

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型号：LM4030BMF-4.096/NOPB 编号：C2863537

封装：SOT-23-5

LM4030 超高精度并联电压基准

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型号：MAX6120EUR+T 编号：C143535

封装：SOT-23

是低功耗1.2V精密三端电压基准，采用SOT23封装。适用于对节能要求较高的3V电池供电设备，是现有两端并联基准的低功耗替代方案。与消耗电池电流且需要外部串联电阻的两端基准不同，其最大电源电流为70μA（典型值仅为50μA），且与输入电压无关，可在所有电池电压下实现最高效率。可在低至2.4V的电源电压下工作，SOT23封装的初始精度为±1%。输出电压温度系数典型值仅为30ppm/°C，SOT23封装保证小于100ppm/°C。若要保证输出电压温度系数小于50ppm/°C，请参考相关数据手册。

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￥22.44
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型号：REF5040AIDGKT 编号：C2876422

封装：VSSOP-8

REF5040 4.096V、3μVpp/V 噪声、3ppm/°C 温漂、精密串联电压基准

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型号：ADR421ARMZ 编号：C659530

封装：MSOP-8

超精密、低噪声、2.500 V XFET®基准电压源

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型号：REF03GSZ-REEL7 编号：C495339

封装：SOIC-8

REF01/REF02/REF03系列精密电压基准源可提供稳定的10.0V、5.0V或2.5V输出，且在电源电压、环境温度或负载条件变化时，输出变化极小。这些器件有8引脚SOIC、PDIP、CERDIP和TO - 99封装，以及20引脚LCC封装（仅适用于883标准），进一步提高了器件在标准应用和高应力应用中的适用性。通过外接缓冲器和简单的电阻网络，TEMP引脚可用于温度感应和近似测量

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型号：REF6225IDGKT 编号：C2157026

封装：VSSOP-8-0.65mm

REF6225 具有集成缓冲器和使能引脚的 2.5V、3ppm/°C 高精度电压基准

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型号：LT1236AIS8-5#PBF 编号：C579701

封装：SO-8

LT1236是一款精密基准源，它将超低漂移和噪声与出色的长期稳定性和高输出精度相结合。该基准输出既能提供又能吸收高达10mA的电流，并且几乎完全不受输入电压变化的影响。有两种电压可选：5V和10V

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型号：REF35125YBHR 编号：C32667732

封装：DSBGA-4