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封装：IQFN-22

IR3888是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。其内置的PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化了设计并实现了快速控制响应。

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型号：TLE8888QKXUMA1 编号：C1518732

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：TDA22594AXUMA1 编号：C25813700

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：TLE92466EDXUMA1 编号：C3231986

封装：DSO-36

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE92466ED是一款灵活的单片式电磁阀驱动IC，专为自动变速器、电子稳定控制和主动悬架应用中的线性电磁阀控制而设计。该器件集成了驱动晶体管和电流检测电阻，以减少外部元件数量。该器件控制负载电流的误差小于1%。可对0至1500 mA的目标电流进行编程，分辨率为15位。该器件支持高达1800 mA的抖动电流。抖动发生器可在编程的电流设定点上叠加一个具有可编程幅度、频率和形状的三角波或梯形波。使用32位SPI接口来控制6个通道并监控诊断功能的状态。SPI通信通过8位CRC和可编程超时看门狗进行保护。低电平有效复位输入（RESN）用于禁用所有通道，并将内部寄存器复位为默认值。高电平有效使能引脚（EN）可在不禁用SPI接口的情况下启用或禁用输出通道。每当检测到故障时，故障输出引脚（FAULTN）信号可作为外部中断发送给微控制器。

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型号：CYPD3177-24LQXQT 编号：C5904158

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于具有传统桶形连接器（最高100W）或USB微型B连接器供电的电子设备，如无人机、智能音箱、电动工具和其他可充电设备。符合最新的USB Type-C和USB Power Delivery (PD)标准，使用户能够使用少量外部组件，无需固件开发，即可将设备从通过桶形连接器供电快速转换为通过USB-C连接器供电。集成了完整的USB Type-C收发器、USB PD策略管理器、带软启动的负载开关控制器、USB Type-C端口所需的所有终端电阻以及系统级ESD保护。采用24引脚QFN封装。

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型号：ICE3AR2280JZ 编号：C535778

封装：DIP-7

品牌：Infineon(英飞凌)

ICE3AR2280JZ（CoolSET®-F3R80）是采用DIP - 7封装的ICE3BRxx65J（CoolSET®-F3R 650V）的增强型800V MOSFET版本。该PWM控制器基于F3R 650V，具备一些新的增强特性

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型号：BTS7008-2EPA 编号：C534830

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款智能高端功率开关，提供保护功能和诊断。该设备集成了SMART7技术。

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型号：ITS4142N 编号：C152406

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IR11688STRPBF 编号：C537534

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR11688是一款双路智能次级侧控制器IC，针对驱动两个配置用于谐振转换器应用中同步整流的N沟道功率MOSFET进行了优化。每个通道可驱动一个或多个并联的MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的行为，在每个导通周期的大部分时间内绕过体二极管，以最大限度地降低功耗，并在阻断期间保持关断状态。通过感测每个整流MOSFET的漏源电压来确定源漏电流，并在每个导通周期开始时迅速开启每个栅极，并在输出整流电路各支路的电流接近零转换时关断。采用先进的消隐方案和双脉冲抑制技术，可确保在固定和可变频率应用中可靠运行，实现了高耐用性和抗噪性。可编程最小导通时间（MOT）功能提供了在宽范围开关频率下工作的灵活性。逐周期MOT保护电路能够自动检测轻载或空载状态，以便禁用栅极驱动，避免不必要的反向电流流过MOSFET。IR11688的Vcc电源电压范围为4.75V至18V，使其电源可从输出端获取，从而在输出电压低至5V的系统中无需辅助电源电路。当栅极驱动不进行开关操作时，IR11688的静态电流非常低，可在待机模式下实现最低功耗。

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型号：TLE4284D V50 编号：C539738

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE 4284 是一款单片集成 NPN 型电压调节器，可提供高达 1.0 A 的负载电流。该芯片采用表面贴装 PG - TO252 - 3 - 11 封装（DPAK）。它专为在汽车应用的恶劣条件下为微处理器系统或其他负载供电而设计，因此具备针对过载、短路和过热的额外保护功能

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型号：BTS3028SDLATMA1 编号：C2150071

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3028SDL 是一款采用 PG-TO252-3-11 封装的单通道低侧 MOSFET 功率开关，具备嵌入式保护功能。该器件将 N 沟道垂直功率 FET 与嵌入式保护功能进行了单片集成。

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型号：BTF6070-2ERV 编号：C534729

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTF6070 - 2ERV是一款60 mΩ双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

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型号：IR3889MTRPBF 编号：C537726

封装：IQFN-36-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3889是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET使IR3889成为小尺寸解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制响应。IR3889具有内部低压差稳压器，允许单电源供电。它也可以使用外部偏置电源工作，其工作输入电压（PVin）范围扩展至2.0 V至17 V。IR3889是一款多功能稳压器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、四种可选电流限制、四种可选软启动时间、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断功能，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

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型号：IR1168STRPBF 编号：C500524

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR1168是一款双路智能次级侧整流器驱动IC，旨在驱动两个用作谐振转换器应用中同步整流器的N沟道功率MOSFET。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的特性。对每个整流MOSFET的漏源电压进行差分检测，以确定电流大小，并在接近零电流转换时对功率开关进行导通和关断操作

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型号：TLE8108EMXUMA1 编号：C2150062

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE8108EM是一款采用PG-SSOP-24封装的8通道低端开关，具备嵌入式保护功能。它专门设计用作动力总成汽车应用的继电器驱动器。

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型号：TDA21472 编号：C539592

封装：IQFN-39-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA21472是一款高效率的DC-DC转换器电压调节器,集成了驱动器、肖特基二极管和高侧及低侧MOSFET。它支持4.25 V至16 V的输入电压范围,输出电压范围从0.25 V到5.5 V,最大输出电流为70 A,开关频率可达1.5MHz。该器件还具有多种保护功能,包括逐周期过流保护、VCC/VDRV欠压锁定保护和MOSFET相位故障检测。其封装为5 mm x 6 mm x 1 mm的PQFN,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列等应用。

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型号：ITS4130QEPDXUMA1 编号：C2150174

封装：TSSOP-14-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

ITS4130Q - EP - D是一款130 mΩ四通道智能高端电源开关，具备集成保护功能和诊断反馈。它的四个通道每个都能承受超过500 mA的电流，在结温（Tj）为125°C时，典型导通电阻RDS(0N)低至205 mΩ，采用小型PG - TSDSO - 14外露焊盘封装，在实现高度灵活性的同时，对空间要求极低。热增强型PGTSDSO - 14封装的外露焊盘可通过导热过孔将器件产生的热量高效传导至印刷电路板（PCB）的内层

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型号：2ED020I12-F2 编号：C2916131

封装：DSO-36

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：TLE42962GV50 编号：C454915

封装：SCT-595-5

品牌：Infineon(英飞凌)

OPTIREG™线性稳压器TLE4296 - 2是一款采用超小型SMD封装PG - SCT595 - 5的单片集成低压差稳压器。它旨在为各种负载（如微控制器、传感器或作为备用电源等）在恶劣条件下供电。因此，该器件具备针对过载、短路和反极性的额外保护功能

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型号：ICE3BS03LJGXUMA1 编号：C535799

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是一款适用于低至中功率应用的多功能PWM控制器，具有最低待机功率和低EMI特性，兼具自动重启和锁定关闭保护功能，可增强系统的稳健性。它适用于离线电池适配器和中低功率范围的低成本开关电源，如DVD读写器、DVD组合机、蓝光DVD播放器和录像机、机顶盒、充电器、笔记本电脑适配器等应用。其继承的出色特性包括500V启动单元、有源突发模式（实现最低待机功率，例如在Vin = 270Vac无负载时<100mV）和传播延迟补偿（宽范围输入的精确输出功率限制）、调制栅极驱动（低EMI）等。新增的技术和特性进一步增强了产品性能，包括BiCMOS技术（进一步降低功耗并将Vcc工作范围扩展至26V）、频率抖动功能（低EMI）、内置软启动、内置消隐窗口（可延长消隐时间以应对高负载跳跃）、外部锁定关闭使能引脚（便于额外保护）等

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型号：TDA4863-2G 编号：C46205

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA4863-2 IC 控制一个升压转换器，以从单相电源汲取正弦电流，并在输出端提供稳定的直流电压。该有源谐波滤波器限制了由于整流过程中电容器脉冲充电电流产生的谐波电流。功率因数，即有功功率与视功率之比，接近于一。线路电压波动可以得到非常有效的补偿。

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型号：BTS5045-1EJA 编号：C534809

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5045-1EJA 是一款45 mΩ单通道智能高边功率开关，采用PG-DSO-8-43 EP外露焊盘封装，提供保护功能和诊断。该功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件集成了Smart6技术，特别设计用于在恶劣的汽车环境中驱动高达1 * P27W/P21W的灯泡以及LED。

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型号：ISP762TFUMA1 编号：C2653778

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N 沟道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考 CMOS 兼容输入，与嵌入式保护功能单片集成。

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型号：ISP752TFUMA1 编号：C2150079

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

带电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，与嵌入式保护功能单片集成。

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型号：TLS205B0EJVXUMA1 编号：C3751320

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款微功耗、低噪声、低压差电压调节器，能够提供500 mA的输出电流，压差电压为320 mV。专为电池供电系统设计，30 μA的低静态电流使其成为理想选择。关键特性是低输出噪声，通过添加外部10 nF旁路电容，在10 Hz至100 kHz带宽内，输出噪声值可低至24 μVRMS。使用低至3.3 μF的输出电容即可保持稳定，可使用小型陶瓷电容，无需许多其他线性电压调节器所需的串联电阻。内部保护电路包括反向电池保护、限流和反向电流保护。有3.3 V固定输出电压版本和1.22 V参考电压的可调版本，提供PG-DSO-8外露焊盘和PG-TSON-10外露焊盘封装。

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型号：BTT6030-1ERA 编号：C534863

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6030-1ERA 是一款31毫欧单通道智能高端功率开关，采用PG-TDSO-14外露焊盘封装，提供保护功能和诊断。该功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件集成了Smart6技术。它特别设计用于在恶劣的汽车环境中驱动高达3 x P21 W 24 V或1 x 70 W 24 V的灯泡以及LED。

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型号：TLE8366EV50XUMA1 编号：C2072379

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE8366是一款PWM降压型DC/DC转换器，集成了一个1.8 A的功率开关，采用带裸露焊盘的小型PG-DSO-8封装。该产品有三个版本，两个为固定电压版本（5.0 V或3.3 V），一个为可变电压版本，其参考反馈电压仅为600 mV。4.75至45 V的宽输入电压范围使TLE8366适用于各种应用场景

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型号：BTS7012-2EPA 编号：C534834

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7012 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：BTS4300SGAXUMA1 编号：C454916

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS4300SGA是一款单通道智能高端功率开关。它采用PG-DSO-8-24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道功率MOSFET构成

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型号：ICE3RBR0665JZ 编号：C96073

封装：DIP-7

品牌：Infineon(英飞凌)

ICE3RBR0665JZ（ICE3RBRxx65JZ 系列）是由采用 DIP-7 封装的 ICE3BRxx65J 改进而来。它的设计更可靠，可在 -40°C 环境下工作。其卓越性能包括 BiCMOS 技术、有源突发模式、内置频率抖动、软门极驱动、传播延迟补偿、内置软启动时间、内置消隐时间以及用于过载保护的可扩展消隐时间、外部自动重启使能功能等

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