Infineon英飞凌电源管理芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BTS740S2XUMA1 编号：C2680432

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 MOSFET，采用电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入、诊断反馈和比例负载电流检测，通过 Smart SIPMOs 技术单片集成。提供嵌入式保护功能

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型号：BTS5090-1EJA 编号：C534811

封装：DSO-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5090 - 1EJA是一款导通电阻为90 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 8 - 43 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术制造

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型号：BTT6100-2ERA 编号：C534872

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6100 - 2ERA是一款导通电阻为100 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

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型号：BTS5030-1EJA 编号：C2990798

封装：DSO-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5030 - 1EJA是一款导通电阻为30 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 8 - 43 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。此器件采用Smart6技术集成

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型号：IFX91041EJV50 编号：C3187145

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IFX91041系列是单片集成电路，可为降压（buck）开关稳压器提供所有有源功能，能够驱动高达1.8A的负载电流，并具备出色的线性和负载调节能力。这些器件适用于工业应用，具备诸如电流限制和过温关断等保护功能。

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型号：BTS462TATMA1 编号：C3232325

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N通道垂直功率FET，带有电荷泵，地参考型CMOS兼容输入。采用Smart SIPMOS技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：BTS3046SDRATMA1 编号：C2680440

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道低侧MOSFET功率开关，采用PG-TO252-3-11封装，具备嵌入式保护功能。与N沟道垂直功率FET和嵌入式保护功能进行了单片集成。通过了汽车认证，可用于12V和24V的汽车和工业应用。能够切换各种电阻性、电感性和电容性负载，受限于EAS和最大电流能力

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型号：TLE75602-ESH 编号：C540049

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE75602 - ESH是一款采用PG - TSDSO - 24 - 21封装的八通道低边和高边功率开关，具备嵌入式保护功能。它专为控制汽车和工业应用中的继电器和LED而设计。该器件利用串行外设接口（SPI）对负载以及器件本身进行控制和诊断

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型号：TLE7469GV52 编号：C5986673

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款具有两个电压输出的单片集成稳压器，专为为具有双电源电压的微控制器供电而设计：2.6V或3.3V内核和5V I/O电压。稳压器具有集成的复位电路，可监控2.6V/3.3V电源电压。在电源开启时，复位会检查两个电源电压，并以可调节的延迟时间执行上电复位。即使在电源开启和关闭期间，电压差也保持在 -0.5V < (VQ1-VQ2) < 2.0V 的范围内，无需外部钳位即可实现安全的微控制器操作

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型号：ISO1H811G 编号：C538440

封装：DSO-36

品牌：Infineon(英飞凌)

ISO1H811G是一款采用PG-DSO-36封装的电气隔离式8位数据接口，提供8个完全受保护的高端功率开关，能够处理高达625 mA的电流。一个8位并行微控制器（μc）兼容接口允许将该集成电路（IC）直接连接到微控制器系统。输入接口还支持直接控制模式，并且设计为在3.3/5V CMOS兼容电平下工作

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型号：BTH500151LUAAUMA1 编号：C36571656

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

该器件是一款 1.5 mΩ 单通道智能高端功率开关，采用 PG-HsOF-8 封装，具备保护功能和诊断功能。它专为驱动大电流负载而设计，适用于加热器、预热塞、风扇和泵等应用场景。

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型号：BTS3800SL 编号：C534771

封装：SCT-595

品牌：Infineon(英飞凌)

是采用PG-SCT595封装的单通道低侧功率开关，具有嵌入式保护功能。该器件与N沟道功率MOSFET和额外的保护功能进行了单片集成。特别设计用于汽车和工业应用中的受保护继电器驱动器。能够切换各种电阻性、感性和容性负载，受EAS和最大电流能力限制。在IN引脚提供相对于源引脚（地）的ESD保护。过温保护可防止设备因过载和/或散热条件不佳而过热，温度信息由单片集成在功率级中的温度传感器提供。具有热锁存功能，即使测量温度降至热滞后以下，设备也会关闭并保持关闭状态。冷却后，可通过切换IN引脚再次开启设备。在负载突降或感性关断条件下，过压保护会启动，此时功率级会将漏源电压限制在VDS(AZ)并耗散能量。

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型号：BTS7120-2EPA 编号：C534845

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7120 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：ITS4300S-SJ-D 编号：C538482

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：BTS3110N 编号：C2680427

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 技术，通过嵌入式保护功能实现全面保护。

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型号：IR11682STRPBF 编号：C148145

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR11682是一款双路智能次级侧整流器驱动IC，旨在驱动两个用作谐振转换器应用中同步整流器的N沟道功率MOSFET。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的行为。对每个整流MOSFET的漏源电压进行差分检测，以确定电流大小，并在接近零电流转换时控制功率开关的导通和关断

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型号：TLE42712GATMA1 编号：C3751686

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

OPTIREG™线性稳压器TLE4271 - 2在功能和电气特性上与TLE4271相同。该器件是一款5V低压差固定电压稳压器。最大输入电压为42V（65V，≤400ms）

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型号：BSP772TXUMA1 编号：C2680320

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，具有接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

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型号：BTS4880RAUMA1 编号：C2150059

封装：BSSOP-36-EP-11mm

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，带有电荷泵、接地参考的 CMOS 或 Vbb/2 兼容输入以及通用诊断反馈，采用 SmartSIPMoS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：BTS7040-1EPA 编号：C534837

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7040-1EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：ITS41K0SMEN 编号：C98953

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

智能高侧 NMOS 电源开关

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型号：ICE2QR2280G 编号：C535755

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET™- Q1系列（ICE2QRxx80G）是第一代准谐振集成功率IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化，如液晶显示器、可读写DVD、DVD组合光驱、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式，开关模式电源有望降低电磁干扰（EMI）、提高效率并降低次级二极管的电压应力

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型号：BTS7080-2EPA 编号：C534840

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7080-2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：BSP752R 编号：C112644

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

PG-DSO-8封装的N沟道垂直功率场效应晶体管，具备电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用Smart SIPMOs°技术进行单片集成。

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型号：BSP762T 编号：C112645

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 与电荷泵，接地参考 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：TLE4251D 编号：C539669

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款采用超小型SMD封装的单片集成低压降电压跟踪器。它旨在为汽车应用恶劣条件下的传感器等供电。该设备具备针对过载、短路和反极性的额外保护功能。高达40V的电源电压可通过外部电阻跟踪至调节输入的参考电压。输出能够驱动高达400mA的负载，同时可在0.5%的精度内跟踪主电压调节器的5V输出。对于高达300mA的负载，跟踪精度为0.2%。可通过使能EN输入将其切换到待机模式，使电流消耗降至非常低的值，适用于低功耗电池应用。

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型号：TLE4251G 编号：C539670

封装：TO-263-5

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE 4251 是一款采用超小型 SMD 封装 PG-TO252-5-1 的单片集成低压降电压跟踪器。它专为在汽车应用的严苛条件下为传感器等设备供电而设计。因此，该器件具备针对过载、短路和反极性的额外保护功能

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型号：BTS6133D 编号：C152388

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。

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型号：TLE8366EVXUMA1 编号：C3191573

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE8366 是一种 PWM 降压 DC/DC 转换器，内置 1.8 A 功率开关，采用带裸露焊盘的小型 PG-DSO-8 封装。有三个版本：两个固定电压版，分别为 5.0 V (TLE8366EV50) 和 3.3 V (TLE8366EV33)，以及一个参考反馈电压仅为 600 mV 的可调电压版 TLE8366EV。4.75 至 45 V 的宽输入电压范围使得 TLE8366 适用于多种应用场合。设计用于恶劣的汽车环境。标称 370 kHz 的开关频率允许使用小型且经济实惠的电感器和电容器，从而实现低且可预测的输出纹波，并最大限度地减少电路板空间占用。如果需要，可以与 200 至 530 kHz 之间的外部频率源同步。TLE8366 包含安全特性，如逐周期电流限制、过温关断和输入欠压锁定。启用功能在关断模式下消耗电流小于 2 μA，便于电池供电系统中的电源管理。电压调节环路提供出色的线路和负载调节能力。可以通过使用外部补偿网络来调整环路的稳定性。此补偿网络结合电压模式调节和前馈控制路径确保了高效的线路瞬态抑制。启动期间，集成软启动限制了浪涌电流峰值并防止电压过冲。

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型号：BTS117TC 编号：C2150103

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。

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