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封装：TQFN-10(1.3x1.6)

PI3USB102E 是一个单差分通道 2:1 多路复用器/解复用器 USB 2.0 开关。其主要优势包括低通道电阻和 I/O 电容，导致传播延迟为 250ps。它支持高速 USB 2.0 (480 Mb/s)，并提供 Y+/Y- 引脚的过电压保护。

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型号：APX803S-26SA-7 编号：C526393

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX803S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与5.0V、3.3V、3.0V和2.5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，实现了出色的电路可靠性和低成本。这些电路执行单一功能：在上电时以及每当VCC电源电压降至预设阈值以下时，它们会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后的一段固定时间内保持该信号

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型号：AP63200WU-7 编号：C2071868

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP63200/AP63201/AP63203/AP63205是一款2A同步降压转换器，输入电压范围宽，为3.8V至32V，并且完全集成了一个125mΩ的高端功率MOSFET和一个68mΩ的低端功率MOSFET，以提供高效的降压式DC/DC转换。由于采用峰值电流模式控制以及集成补偿网络，AP63200/AP63201/AP63203/AP63205器件通过减少外部元件数量，使用起来十分便捷。

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型号：LM4040B30FTA 编号：C460604

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

LM4040是一系列带隙电路，旨在实现2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5.0V的精密微功耗电压基准。这些器件有初始容差为0.2%的B级、0.5%的C级和1%的D级可供选择。它们采用小外形SOT23表面贴装封装，非常适合对空间要求苛刻的应用。在60μA至15mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，可保持出色的稳定性。此器件是LM4040电压基准的引脚兼容替代方案。

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型号：PI4IOE5V9535ZDEX 编号：C3188776

封装：QFN-24(4x4)

品牌：DIODES(美台)

PI4IOE5V9535 是一个24引脚设备，提供16位通用并行输入/输出(GPIO)扩展，适用于IC总线/SMBus应用。它包括高驱动能力、5V耐压、低功耗、单个I/O配置和小封装等特性。

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型号：PI3EQX7502AIZDEX 编号：C526708

封装：TQFN-24-EP(4x4)

品牌：DIODES(美台)

低功耗，高性能5.0 Gbps信号ReDriver，专为USB 3.0协议设计。提供可编程均衡、去加重和输入阈值控制，以优化各种物理介质上的性能。

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型号：AP63357DV-7 编号：C2158014

封装：VDFN3020-13

品牌：DIODES(美台)

AP63356/AP63357 是一款 3.5A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 3.8V 至 32V。该器件完全集成了一个 74mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 40mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络，AP63356/AP63357 器件最大程度减少了外部元件数量，使用起来十分便捷

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型号：ZRC250F01TA 编号：C460618

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZRC250采用带隙电路设计，实现了2.5伏的精密微功耗电压基准。该器件有小外形表面贴装封装，适用于对节省空间要求较高的应用，也有通孔封装可供选择。 ZRC250无需外部电容即可提供稳定电压，并且在容性负载下也能保持稳定。建议ZRC250在20μA至5mA的电流范围内工作，因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大电流25mA时，该器件仍能保持出色的性能。此外，其坚固的设计和20伏处理能力使该基准能够承受高达200mA的瞬态效应和电流。卓越的开关能力使该器件仅需几微秒即可达到稳定工作状态。

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型号：PI4IOE5V6408ZTAEX 编号：C526717

封装：UQFN-16(1.8x2.6)

品牌：DIODES(美台)

提供远程I/O扩展，适用于大多数微控制器家族通过I²C总线接口。支持双向电压电平转换。

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型号：PI3HDX511EZLSEX 编号：C2674182

封装：TQFN-32-EP(3x6)

品牌：DIODES(美台)

PI3HDX511E是一款HDMI 1.4b重驱动器和双模式电平转换器，支持高达3.4Gbps的数据速率和48-bpp DeepColor。适用于笔记本电脑、台式机、视频流设备、A/V接收器、开关盒和Dongle。

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型号：PI3DBS16222Q2ZLEX 编号：C5441276

封装：TQFN-30(2.5x4.5)

品牌：DIODES(美台)

支持20Gbps数据速率，适用于PCI Express 4.0、USB 4.0、USB 3.1 Gen 2、Thunderbolt 4和10G BASE-KR等应用。

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型号：APX803S-31SA-7 编号：C129757

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

APX803S用于微处理器（μP）监控电路，以监测μP和数字系统中的电源。当与5.0V、3.3V、3.0V和2.5V供电电路配合使用时，它们通过省去外部元件和调节环节，提供了出色的电路可靠性和低成本优势。这些电路执行单一功能：在上电时以及每当VCC电源电压降至预设阈值以下时，它们会发出复位信号，并在VCC升至复位阈值以上后的一段固定时间内保持该信号。对于APX803S，这段时间至少为1ms，而对于其他APX803S变体，该时间至少为140ms。复位比较器设计为忽略VCC上的快速瞬变，并且保证在VCC低至1V时输出处于正确的逻辑状态。 APX803S具有不同的复位阈值，适用于各种电源电压。APX803S具有漏极开路、低电平有效的RESET输出，与具有推挽输出级的Diodes APX809S/810S互补。低电源电流使APX803S非常适合用于便携式设备。APX803S有3引脚SOT23封装的两种引脚排列变体。

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型号：AP3015KTR-G1 编号：C151334

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

AP3015/A 是脉冲频率调制（PFM）DC/DC 转换器。除开关电流限制外，这两款器件在功能上等效

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型号：ZXGD3009E6TA 编号：C156293

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009E6是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达2A的峰值源极/灌电流，以对容性负载进行有效充放电。这款栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

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型号：AP62150WU-7 编号：C3194237

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP62150是一款1.5A同步降压转换器，输入电压范围宽，为4.2V至18V。该器件完全集成了一个90mΩ的高端功率MOSFET和一个65mΩ的低端功率MOSFET，可实现高效的降压式DC - DC转换。AP62150采用恒定导通时间（COT）控制，能够实现快速瞬态响应、轻松稳定环路并降低输出电压纹波，同时将外部元件数量减至最少，因而易于使用

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￥1.9795
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型号：TLV431TFTA 编号：C189221

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

TLV431是一款三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性，可处理高达20mA的输出电流。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为1.24V至18V之间的任意选定值。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，TLV431可用作齐纳二极管的替代品

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型号：PT7M3808G01TAEX 编号：C780887

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

DIODES PT7M3808G系列微处理器监控电路可监控0.4V至5.0V的系统电压。当检测电压降至预设阈值以下，或手动复位（MR）引脚变为逻辑低电平时，该电路会输出漏极开路的复位（RESET）信号。在检测电压和手动复位（MR）信号分别回升至各自的阈值以上后，复位输出信号会在用户可调节的延迟时间内保持低电平

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￥2.652 ￥3.4
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型号：ZXGD3005E6TA 编号：C177098

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3005E6是一款高速同相单栅极驱动器，能够在最高25V的电源电压下，向MOSFET或IGBT的栅极电容性负载提供高达10A的驱动电流。其传播延迟时间低至<10ns，相应的上升/下降时间<20ns。该栅极驱动器可确保MOSFET或IGBT快速开关，以最大限度减少大电流开关应用中的功率损耗和失真

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型号：AP63203QWU-7 编号：C5248536

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP63200Q/AP63201Q/AP63203Q/AP63205Q是一款符合汽车应用标准的2A同步降压转换器，输入电压范围宽，为3.8V至32V。该器件完全集成了一个125mΩ的高端功率MOSFET和一个68mΩ的低端功率MOSFET，可实现高效的降压式DC - DC转换。由于采用了峰值电流模式控制并集成了环路补偿网络，AP63200Q/AP63201Q/AP63203Q/AP63205Q器件减少了外部元件数量，使用起来十分便捷

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￥6.26
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￥5.16
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型号：PI4IOE5V6416ZDEX 编号：C2652314

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：DIODES(美台)

提供远程I/O扩展，支持双向电压电平转换。

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￥6.89
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型号：PI3USB14-ALEX 编号：C5249158

封装：TSSOP-16

品牌：DIODES(美台)

PI3USB14-A 是一个2通道、4:1多路复用器/解复用器，具有5Ω开关和三态输出。适用于USB 2.0信号和其他高带宽信号。

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型号：PI7C9X2G404SLBFDEX 编号：C500767

封装：LQFP-128-EP(14x14)

品牌：DIODES(美台)

4通道PCI Express Gen 2交换机，支持4个PCI Express端口。支持Cut-through和Store and Forward模式的数据包交换。

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型号：AZ431LBNTR-G1 编号：C154868

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AZ431L系列集成电路（IC）是低压三端可调稳压器，在整个工作范围内能保证热稳定性。这些IC具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器、主板及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。通过两个外部电阻，输出电压可设置在1.24V至18V之间的任意值

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型号：AP1534SG-13 编号：C110462

封装：SOP-8

品牌：DIODES(美台)

AP1534是一款采用PWM控制的降压转换器,具有低纹波、高效率和出色的瞬态特性。该器件包括参考电压源、振荡电路、误差放大器和内部P沟道MOSFET。它支持3.6V到18V的输入电压范围,输出电压可在0.8V到Vcc之间调节,最大输出电流为2A。内置过流保护和短路保护功能。

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型号：AP62300TWU-7 编号：C1883519

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP62300/AP62301/AP62300T 是一款 3A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 4.2V 至 18V。该器件完全集成了一个 75mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 45mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。AP62300/AP62301/AP62300T 采用恒定导通时间（COT）控制，以实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，通过减少外部元件数量，使其易于使用

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型号：TLV431AFTA 编号：C189218

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

TLV431是一款三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性，可处理高达20mA的输出电流。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为1.24V至18V之间的任意选定值。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，TLV431可用作齐纳二极管的替代品

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￥0.7804
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型号：AP3429KTTR-G1 编号：C507879

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

AP3429/A 是一款 2A 降压型 DC - DC 转换器。在重载情况下，恒定频率 PWM 控制具有出色的稳定性和瞬态响应，无需外部补偿元件。AP3429/A 支持 2.7V 至 5.5V 的输入电压范围，可使用单节 Li+/锂聚合物电池、多节碱性/镍氢电池及其他标准电源

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型号：APX811-29UG-7 编号：C110471

封装：SOT-143

品牌：DIODES(美台)

APX811/812用于微处理器监控电路，以监测电源。这些电路执行单一功能：只要Vcc电源电压降至预设阈值以下，它们就会发出复位信号，并在Vcc升至复位阈值以上后，至少保持240ms的复位状态。提供适用于各种电源电压工作的复位阈值

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型号：ZRC330F03TA 编号：C460619

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZRC330采用带隙电路设计，实现了3.3伏的精密微功耗电压基准。该器件采用小外形表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用。 ZRC330的设计无需外部电容即可提供稳定的电压，并且在容性负载下也能保持稳定。建议ZRC330在20μA至5mA的电流范围内工作，因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大电流25mA的情况下，仍能保持出色的性能。此外，其坚固的设计和20伏处理能力使该基准能够承受高达200mA的瞬态电流和影响。卓越的开关能力使器件仅需几微秒即可达到稳定的工作状态。

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型号：AP64501SP-13 编号：C2071517

封装：SOIC-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64501 是一款 5A 同步降压转换器,具有宽输入电压范围（3.8V 至 40V）,集成高侧和低侧 MOSFET,提供高效降压 DC-DC 转换。该器件采用峰值电流模式控制,减少外部组件数量,优化 EMI 性能。

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