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型号：LP7812CQVF 编号：C47345738

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP7812C是一款多合一的智能TWS充电仓管理IC，集成电池充电，耳机放电，温度管理，霍尔检测，按键检测以及LED显示等功能。集成的线性充电电路给电池仓充电，同时支持高达28V的输入电压和最大0.8A的充电电流。两路独立的耳机充电电路支持TWS耳机超低压差跟随充电以支持大电流快充，同时显著提升充电仓续航时长。

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￥3.31
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￥1.8

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型号：LPW5209AB5F 编号：C387727

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPW5209是一款用于自供电和总线供电通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的N沟道MOSFET，以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流（μA）和小封装（SOT23 - 5）特别适用于电池供电的便携式设备

数据手册

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型号：LP3202AB5F 编号：C2890378

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP3202是一款1.5MHz常频电流模式PWM降压转换器,集成了主开关和同步整流开关。它支持2.5V到6V的输入电压范围,输出电压可在0.61V到VIN之间调节,最大输出电流为2A。该转换器具有高效率、低关断电流、短路保护和热故障保护等功能。

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型号：LP5300B6F 编号：C387703

封装：SOT-23-6

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP5300 是一款过压保护（OVP）和过流保护（OCP）器件。当输入电压或输入电流超过阈值时，该器件会关断内部 MOSFET，断开 VIN 与 VOUT 的连接，以保护负载。过温保护（OTP）功能可监测芯片温度，保护器件

数据手册

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型号：LP3102QVF 编号：C517005

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP3102 DC/DC 转换器集成了两个低噪声、高效率的电荷泵，用于双路输出，包括一路反相输出和一路升压输出。该器件的输入电压范围为 2.5V 至 4.8V，可提供两倍于输入电压的升压输出电压（VP）。负反相输出（VN）是正输出 VP 的 -1 倍反相

数据手册

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￥1.38

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型号：LP6482SOF 编号：C517089

封装：SOP-8

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP6482 是一款340KHz、2A输出电流的降压转换器,具有软启动功能。输入电压范围为4.5V到30V,输出电压范围为0.6V到12V。该转换器集成了主开关和同步整流器,提供高达95%的效率。具有短路保护和热故障保护功能,采用SOP8封装,工作温度范围为-40°C到85°C。

数据手册

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￥2.47
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￥1.94
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￥1.72
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￥1.43
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￥1.16

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型号：LP6255QVF 编号：C517065

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP6255是一款高效的同步升压转换器,采用外部N通道MOSFET,具有自适应死区时间控制和可编程高频切换,适用于大功率输出。内置1.31V精密参考电压,支持电流模式控制和外部补偿网络,易于稳定系统。提供TQFN-20封装。

数据手册

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￥3.71
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￥2.26
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￥1.77

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型号：LP6216B6F 编号：C517048

封装：SOT-23-6

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP6216是一款高效率的3A升压DC-DC转换器,采用电流模式控制,内置3A电流功率MOSFET,最高效率可达94%,支持1MHz固定频率切换,具有内部补偿和软启动功能,适用于电池产品等应用。

数据手册

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￥0.862695 ￥0.9081
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￥0.684855 ￥0.7209
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型号：LP5308B6F 编号：C5139783

封装：SOT-23-6

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP5308是一款电源开关器件，可为可能遇到大电流和输入过压情况的系统和负载提供全面保护。该器件包含一个导通电阻为135mΩ的MOSFET，可在3.0V至36V的输入电压范围内工作。当VIN上的电压高于过压阈值时，过压保护（OVP）功能会切断VIN和VOUT之间的连接

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￥0.6203
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￥0.3153

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型号：LP4034QVF 编号：C42460070

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP4034是一款独立的单节开关型电池充电器，可为4.1V至6V的电池提供高达3.5A的充电电流。

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型号：LP3983SAB5F-08 编号：C324567

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP3983S专为对性能和空间有严格要求的便携式射频和无线应用而设计。LP3983S针对电池供电系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。它设有一个噪声旁路引脚，可进一步降低输出噪声

数据手册

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型号：LP3980H-33QVF 编号：C517233

封装：X2-SON-4-EP(1x1)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式RF和无线应用。针对电池供电系统进行了优化，可实现超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于0.01μA，快速开启时间小于50μs。其他特性包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

数据手册

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￥0.4127
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型号：LP28400AQVF 编号：C387681

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP28400A是一款用于多节锂离子电池的完整恒流/恒压开关充电器。升压 + 线性充电器与符合USB 2.0标准的电源IC协同工作，确保为两节锂离子电池充电。当电池电压较低时，充电器以线性工作模式运行

数据手册

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￥3.73
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￥2.06
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型号：LP3997-30QVF 编号：C34039746

封装：DFN-4(1x1)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

高性能低压差LDO电压调节器，具有超低静态电流、高电源抑制比、快速瞬态响应和高精度。采用先进CMOS工艺，适用于许多需要高达300mA负载电流稳压电源的应用。包括标准固定输出电压1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V和3.3V。使用1.0μF-10μF陶瓷输出电容时稳定。具有限流功能防止短路，热过载保护防止过热。提供标准SOT23、DFN-4 (1mmx1mm)和SOT23-5封装。

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型号：LP3982S-28QVF 编号：C42460078

封装：DFN-4-EP(1x1)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP3982S 系列是高性能低压差（LDO）稳压器，具有高电源抑制比（PSRR）、快速瞬态响应、高精度和低输出噪声的特点。这些采用先进 CMOS 工艺的器件适用于许多需要最高 300mA 负载电流稳压电源的应用场景。该系列包括 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V 和 3.3V 等标准固定输出电压

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型号：LPB1010HQVF 编号：C47345803

封装：DFN-4-EP(1x1)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

该产品是用于锂电池保护的集成FET的IC。该设备包含一个60mΩ的N沟道MOSFET，将系统接地与电池阴极相连。该设备支持锂离子/聚合物电池的所有保护，包括过充电电压和过放电电压保护、过放电电流和过放电电流保护、负载短路保护、过温保护等。该产品具有非常低的电流以节省系统功耗。由于高精度的过充电电压保护，该产品可以确保安全和充分利用的充电过程。这些部件采用节省空间的4引脚DFN封装，尺寸仅为1mm x 1mm。

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￥0.4004

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型号：LP28303AQVF 编号：C517000

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP28303A 是一款 2.5A 的锂离子电池充电器。它采用 600KHz 同步降压转换器拓扑结构，以减少充电过程中的功耗。低功耗和内部 MOSFET 使充电器体积小巧，可嵌入到各种手持设备应用中

数据手册

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型号：LP28300AQVF 编号：C387717

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

带CP、OTP 18V耐压2A开关式充电

数据手册

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￥2.24
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￥1.84
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￥1.7
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￥1.62
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￥1.58

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型号：LP6483SPF 编号：C517162

封装：ESOP-8

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP6483是一款340KHz的3A降压转换器,具有软启动功能。输入电压范围为4.5V至30V,输出电压范围为0.6V至12V,最大负载电流为3A,效率高达95%,具备短路保护和热故障保护功能。采用ESOP8封装,工作温度范围为-40°C至85°C。

数据手册

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￥2.5431
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￥1.5635
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￥1.2871

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型号：LP3980-33QVF 编号：C517152

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下功耗小于0.01μA，开启时间小于50μs。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

数据手册

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