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首页 > 热门关键词 > Infineon英飞凌dcdc芯片
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1EBN1001AE是一款IGBT/MOSFET栅极驱动增强器,专为10kW以上的汽车电机驱动而设计。1EBN1001AE基于高性能双极技术,旨在取代基于分立器件的缓冲级。由于采用了热优化的外露焊盘封装,1EBN1001AE能够驱动并吸收高达15A的峰值电流
数据手册
  • 1+

    ¥23.226 ¥38.71
  • 10+

    ¥18.93 ¥37.86
  • 30+

    ¥14.916 ¥37.29
  • 100+

    ¥14.688 ¥36.72
  • 有货
  • IR3840W是一款高效、易于使用的集成降压调节器,支持1.5V至16V的宽输入电压范围和0.7V至0.9*Vin的宽输出电压范围。它具有连续12A负载能力,内置自举二极管,可编程开关频率高达1.5MHz,具备多种保护功能,适用于服务器、网络通信、存储和计算等应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.1032 ¥29.46
    • 10+

      ¥23.616 ¥28.8
    • 30+

      ¥20.4264 ¥28.37
    • 100+

      ¥20.1096 ¥27.93
  • 有货
  • 特性:USB 2.0 认证,全速(12 Mbps)。支持通信驱动类(CDC)、个人医疗设备类(PHDC)和供应商设备类。电池充电器检测(BCD)符合 USB 电池充电规范第 1.2 版(仅外设检测)。集成 USB 终端电阻。两通道可配置 UART 接口。数据速率高达 3 Mbps。应用:医疗/保健设备。销售点(POS)终端
    • 1+

      ¥29.52
    • 10+

      ¥25.09
    • 30+

      ¥22.45
  • 有货
  • EiceDRIVER栅极驱动器1EDI3033AS是一款高压碳化硅(SiC)-MOSFET驱动器,专为5 kW以上的汽车电机驱动而设计。该器件基于无芯变压器(CT)技术,可在低压和高压区域之间提供电流隔离。该器件支持400 V、600 V和1200 V的SiC-MOSFET技术
    • 1+

      ¥31.93
    • 10+

      ¥27.11
    • 30+

      ¥24.24
    • 100+

      ¥21.34
    • 500+

      ¥20
    • 1000+

      ¥19.4
  • 订货
  • 高性能CAN SBC,支持FD通信,最高5 Mbps,具有低功耗模式和多种保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.8482 ¥42.66
    • 10+

      ¥24.7297 ¥36.91
    • 30+

      ¥19.038 ¥33.4
    • 100+

      ¥17.3622 ¥30.46
  • 有货
  • CY8CMBR2016 CapSense Express电容式触摸感应控制器集成了多项创新特性,可帮助您在设计中快速实现电容式触摸感应用户界面,从而节省时间和成本。它是一款硬件可配置设备,无需任何软件工具、固件编码或设备编程。该设备采用了具有开创性的SmartSense自动调谐算法
    • 1+

      ¥33.17 ¥66.34
    • 10+

      ¥22.972 ¥57.43
    • 30+

      ¥15.6 ¥52
    • 100+

      ¥14.235 ¥47.45
  • 有货
  • 是一款高压SiC-MOSFET驱动器,专为5kW以上的汽车电机驱动器设计。基于无芯变压器(CT)技术,在低压和高压域之间提供电气隔离,支持400V、600V和1200V的SiC-MOSFET技术。具有最小12A峰值电流的高输出级。全面的功能集可对器件和功率开关进行高级保护,优化驱动器性能和稳健性
    • 1+

      ¥34.25
    • 10+

      ¥29.02
    • 30+

      ¥25.92
  • 有货
  • 该设备将F-RAM内存与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起。主要功能包括非易失性存储器、实时时钟、低VDD复位、看门狗定时器、非易失性事件计数器、可锁定的64位序列号区域,以及可用于电源故障(NMI)中断或任何其他目的的通用比较器。该设备是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit/256-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的,其读写操作类似于RAM。这种存储器是真正的非易失性,而不是由电池支持。它可提供151年的可靠数据保留,同时消除了其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题
    • 1+

      ¥35.66 ¥71.32
    • 10+

      ¥28.528 ¥71.32
    • 30+

      ¥21.396 ¥71.32
  • 有货
  • 是高度集成的IC系列,用于控制变速电机控制系统,并带有额外的用户可编程微控制器。通过集成所需的硬件、软件和用户程序来控制永磁同步电机 (PMSM),以最低的系统和开发成本提供了电机控制系统的高度灵活性。
    • 1+

      ¥37.31
    • 10+

      ¥31.86
    • 30+

      ¥28.54
  • 有货
  • 高频、薄型 DC-DC 转换器;用于 CPU、GPU 和 DDR 内存阵列的电压调节器;电信受控和非受控应用。TDA21570 集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC,它与控制和同步 MOSFET 共同封装,并带有一个有源二极管结构,该结构能实现与肖特基二极管相似的低 Vsd,且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时,该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和 MOSFET 组合能够在前沿 CPU、GPU 和 DDR 内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 感测方法相比,内部 MOSFET 感测实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括 IC 温度报告和过温保护功能(带热关断的 OTP)、逐周期过流保护(OCP)、控制 MOSFET 短路检测(HSS - 高端短路检测)、VDRV 和自举欠压保护。TDA21570 还具有自举电容“刷新”功能,以防止自举电容过度放电。高达 1.5 MHz 的开关频率操作可实现高性能瞬态响应,允许输出电感以及输入和输出电容小型化,同时保持行业领先的效率。TDA21570 包含一个改进的高速 MOSFET 驱动器,该驱动器经过优化,可在高达 1.5 MHz 的频率下驱动一对共同封装的高端和低端 OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法(如 DCR 感测和 Rdson 感测)的 DC-DC 控制器通常存在局限性。DCR 电流感测对电感的温度变化敏感,需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面,Rdson 电流感测不依赖于电感,但 MOSFET 的 rdson 存在温度系数。此外,很难对高端 MOSFET 实施 Rdson 电流感测,因此用模拟电流代替,而低端电流则通过 MOSFET 进行感测。通过 TDA21570 中的先进电流镜感测,在实现卓越精度的同时消除了所有这些局限性。高端和低端 MOSFET 上的电流都在一个感测 MOSFET 上进行镜像。
    • 1+

      ¥37.33
    • 10+

      ¥32.07
    • 30+

      ¥28.87
  • 有货
  • 由采用小型PG-DSO-16封装的单通道栅极驱动IC组成,爬电距离和电气间隙达8mm。提供典型峰值输出电流3A、6A和9A。包含可调控制和保护功能,简化高可靠性系统设计。所有参数调整都可从输入侧完成,仅需两个电阻即可调节DESAT滤波时间、前沿消隐时间和软关断电流水平。所有逻辑I/O引脚与3.3V或5V CMOS兼容,可直接连接微控制器。通过集成无芯变压器技术实现跨电隔离的数据传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥39.02
    • 10+

      ¥33.77
    • 30+

      ¥30.57
  • 有货
  • CCG3PA提供额外功能和BOM集成优势,包括Type-C端口、集成电压调节电路和系统级ESD保护。支持USB PD3.0版本1.1规范,包括可编程电源模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥39.1
    • 10+

      ¥33.63
    • 30+

      ¥30.29
  • 有货
  • IR2181(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥43.17 ¥71.95
    • 10+

      ¥31.16 ¥62.32
    • 30+

      ¥22.584 ¥56.46
    • 100+

      ¥20.616 ¥51.54
  • 有货
  • IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥43.614 ¥72.69
    • 10+

      ¥31.48 ¥62.96
    • 30+

      ¥22.812 ¥57.03
    • 100+

      ¥20.824 ¥52.06
  • 有货
    • 1+

      ¥47.74
    • 10+

      ¥41.3
    • 30+

      ¥37.38
  • 有货
  • FM31276/FM31278 器件将 F-RAM 存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起。主要特性包括非易失性存储器、实时时钟、低 VDD 复位、看门狗定时器、非易失性事件计数器、可锁定的 64 位序列号区域,以及可用于掉电(NMI)中断或其他用途的通用比较器。FM31276/FM31278 是一款采用先进铁电工艺的 64 Kbit/256 Kbit 非易失性存储器
    • 1+

      ¥47.845 ¥95.69
    • 10+

      ¥38.276 ¥95.69
    • 30+

      ¥28.707 ¥95.69
  • 有货
  • PSoC 3 是一种真正的可编程嵌入式片上系统,集成了可配置的模拟和数字外设、存储器和微控制器于单个芯片上。PSoC 3 架构通过 8051 核心、DMA 控制器和数字滤波器处理器来提高性能,工作频率高达 67 MHz。它具有超低功耗和业界最宽的电压范围。可编程的数字和模拟外设能够实现自定义功能,灵活的路由允许任何模拟或数字外设功能连接到任何引脚。PSoC 设备采用高度可配置的片上系统架构,用于嵌入式控制设计。它们集成了可配置的模拟和数字电路,由片上微控制器控制。单个 PSoC 设备可以集成多达 100 个数字和模拟外设功能,从而缩短设计时间、减少板空间、降低功耗和系统成本,同时提高系统质量。
    • 1+

      ¥134.9652 ¥143.58
    • 10+

      ¥116.844 ¥139.1
    • 12+

      ¥102.934 ¥139.1
  • 有货
  • 特性:SEMPER Flash和HYPERRAM 2.0采用多芯片封装(MCP),具备HYPERBUS接口。 1.8 V,512Mb SEMPER Flash和64Mb HYPERRAM 2.0(S76HS512TC0)。 3.0 V,512Mb SEMPER Flash和64Mb HYPERRAM 2.0(S76HL512TC0)。 FBGA 24球,8×8×1.2 mm封装。 HYPERBUS接口。 1.8 V I/O(S76HS-TC0)
    • 1+

      ¥195.43
    • 30+

      ¥186.29
  • 有货
  • PSoC 5LP 是一种真正的可编程嵌入式系统芯片,集成了可配置的模拟和数字外设、存储器以及微控制器于单一芯片上。PSoC 5LP 架构通过以下特性提升性能:- 32位 Arm CorteX-M3 核心加上 DMA 控制器和数字滤波处理器,最高可达80 MHz- 超低功耗,具有业界最宽的工作电压范围- 可编程的数字和模拟外设支持自定义功能- 灵活地将任何模拟或数字外设功能路由到任意引脚PSoC 设备采用高度可配置的系统芯片架构用于嵌入式控制设计。它们集成了可配置的模拟和数字电路,并由片上微控制器控制。单个 PSoC 设备可以集成多达100种数字和模拟外设功能,从而减少了设计时间、板级空间、功耗和系统成本,同时提高了系统质量。
    • 1+

      ¥201.68
    • 30+

      ¥195
  • 有货
  • 是一款专为WLAN和蓝牙应用设计的射频MOS开关。3个端口中的任何一个都可用作分集天线的终端,可处理高达30 dBm的功率。该SP3T在天线端口处具有低插入损耗和高抗干扰信号能力,在终端模式下产生低谐波。片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器,由1.35V至VDD的控制输入驱动。采用英飞凌专利的MOS技术制造,兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性,包括固有的更高ESD鲁棒性。尺寸仅为1.1×1.1mm²,最大高度为0.4mm。在典型应用中,只要任何RF端口不施加直流,就不需要去耦电容。
    • 5+

      ¥1.5543
    • 50+

      ¥1.2333
    • 150+

      ¥1.0956
  • 有货
  • CY8CMBR3xxx CapSense Express 控制器可实现先进且易于实施的电容式触摸感应用户界面解决方案。该系列控制器可通过寄存器配置,最多支持 16 个电容感应输入,无需进行耗时的固件开发。这些控制器非常适合在最短的开发周期内实现电容式按钮、滑块和接近感应解决方案
    数据手册
    • 1+

      ¥2.86
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.77
  • 有货
  • 该系列产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小型通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力、有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使该系列成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥2.99
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.89
  • 有货
  • 1EDN7x/1EDN8x 是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和普通电平 MOSFET,支持 OptiMOS、CoolMOS、标准电平 MOSFET、超结 MOSFET,以及 IGBT 和 GaN 功率器件。控制和使能输入与 LV-TTL 兼容(CMOS 3.3 V),输入电压范围为 -5 V 至 +20 V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.79
    • 10+

      ¥3.08
    • 30+

      ¥2.72
  • 有货
    • 1+

      ¥4.58
    • 10+

      ¥3.71
    • 30+

      ¥3.28
    • 100+

      ¥2.85
  • 有货
  • EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动 IC 的 TDI 系列产品。TDI 系列具备全差分输入电路。真正的差分输入(TDI)提供出色的共模抗扰度(CMR),并消除误触发风险
    • 1+

      ¥5.45
    • 10+

      ¥4.42
    • 30+

      ¥3.91
  • 有货
  • BGA614是一款采用达林顿结构的宽带匹配通用MMIC放大器。它针对40 mA的典型供电电流进行了优化。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.95
    • 10+

      ¥4.83
    • 30+

      ¥4.27
  • 有货
  • 是单通道栅极驱动IC,针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性,可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计,包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

      ¥4.31
  • 有货
  • 2ED21091S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力,在瞬态电压下,VS引脚($V_{CC}=15 V$)上的负电压高达11 V时仍能保持工作逻辑。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    数据手册
    • 1+

      ¥7.62
    • 10+

      ¥6.25
    • 30+

      ¥5.5
    • 100+

      ¥4.65
  • 有货
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