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2ED2183S06FXUMA1

型号：2ED2183S06FXUMA1 编号：C1850284

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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1+
￥15.27
10+
￥12.86
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￥11.35

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双通道、功能型和增强型隔离式MOSFET栅极驱动器停产

型号：2EDF7235KXUMA1 编号：C2677067

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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1+
￥15.44
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￥13
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￥11.48

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快速、耐用的双通道电流隔离式栅极驱动IC

型号：2EDB8259YXUMA1 编号：C17294632

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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￥17.56
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￥14.77
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￥13.03

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三路半桥

型号：TLE62083GXUMA1 编号：C126689

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE 6208 - 3 G是一款全保护型三半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该器件基于西门子的SPT功率技术，允许双极和CMOS控制电路与DMOS功率器件集成在同一单芯片电路中。在运动控制中，最多可将2个执行器（直流电机）连接到3个半桥输出端（级联配置）

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1+
￥17.9614 ￥28.97
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￥17.1926 ￥27.73
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￥16.7276 ￥26.98
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￥16.3308 ￥26.34

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USB Billboard 控制器

型号：CY7C65210-24LTXI 编号：C466879

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C65210 是一个全速 USB 控制器，枚举为 Billboard 设备。它集成了电压调节器、振荡器和闪存，用于存储配置参数。

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1+
￥18.8394 ￥36.94
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￥16.4577 ￥32.27
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￥15.0399 ￥29.49
100+
￥13.6068 ￥26.68
490+
￥12.9489 ￥25.39
980+
￥12.648 ￥24.8

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1ED3120MC12HXUMA1

型号：1ED3120MC12HXUMA1 编号：C5311646

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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￥19.76
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￥16.81
30+
￥15.06

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宽体封装单通道 IGBT 栅极驱动 IC

型号：1EDI60H12AH 编号：C533024

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器，具有电气隔离功能，其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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￥21.08
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￥17.93
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高集成度同步降压转换器

型号：IR3447MTRPBF 编号：C537642

封装：PQFN-29-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3447是一款高集成度、高效能的同步降压转换器,适用于5V至21V的应用。该器件具有宽输入电压范围（1.5V至21V）,内置PWM控制器和MOSFET,提供精确的电源管理解决方案。

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1+
￥21.2718 ￥32.23
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￥20.394 ￥30.9
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￥18.9486 ￥28.71
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￥18.4998 ￥28.03

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BGT 24LTR11N16 E6327

型号：BGT 24LTR11N16 E6327 编号：C534254

封装：QFN-16-EP(2.4x2.4)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：24GHz tran

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1+
￥24.4
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￥23.53

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NAC1080XTMA2

型号：NAC1080XTMA2 编号：C17588379

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于NFC通信控制驱动，包含NFC收发器、驱动接口、微控制器和有线通信接口。有16引脚和32引脚封装，功能引脚相同。可在两种不同电源模式下工作: -有源供电模式：由外部3V电源（如电池）供电。 -无源供电模式：从外部NFC射频场获取能量，无需额外外部电源，可对外部电容充电以存储能量。应用：NFC激活的智能锁。 NFC配置的时间继电器

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￥24.9
10+
￥21.1
30+
￥18.84
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￥16.56

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1EDC20I12AHXUMA1

型号：1EDC20I12AHXUMA1 编号：C17567116

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥28.33
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￥27.99
30+
￥27.77

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2.8 MHz 同步降压调节器

型号：TLS4120D0EPV33XUMA1 编号：C1512163

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

OPTIREG 开关 TLS4120D0EPV33 是一款专为汽车应用设计的 2.8 MHz 同步降压稳压器。该器件具有 2 A 的电流容量、3.3 V 的固定输出电压以及 ±1.5% 的 PWM 模式下反馈电压精度。

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1+
￥29.51
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￥25.08
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￥22.45

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Optimos功率级

型号：TDA21472AUMA1 编号：C3654949

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC-DC转换器，适用于CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节器。TDA21472功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，与肖特基二极管以及高端和低端MOSFET共同封装。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和MOSFET的组合，能够在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高的效率。TDA21472内部带有温度补偿的MOSFET电流检测算法，与同类最佳的基于控制器的电感DCR检测方法相比，可实现卓越的电流检测精度。保护功能包括具有可编程阈值的逐周期过流保护、VCC/VDRV欠压锁定（UVLO）保护、相位故障检测、IC温度报告和热关断。TDA21472还具有自举电容自动补充功能，以防止过度放电。TDA21472具备深度睡眠节能模式，当多相系统进入PS3/PS4模式时，可大幅降低功耗。高达1.5 MHz的开关频率运行能够实现高性能瞬态响应，在保持行业领先效率的同时，允许减小输出电感和输出电容。TDA21472针对服务器应用中的CPU核心供电进行了优化。它能够满足服务器市场的严格要求，这也使其非常适合为GPU和DDR内存设计供电。TDA21472包含一个低静态电流、高效率和高速的MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可驱动一对与肖特基二极管共同封装的高端和低端N沟道MOSFET，频率高达1.5 MHz。使用传统电感DCR电流检测的DC-DC控制器通常精度会降低。负载电流高估会降低CPU性能，而负载电流低估则会因对电压调节器和CPU施加过大压力而影响系统级可靠性。TDA21472采用了一种新颖的基于MOSFET的电流检测技术，提高了精度，并消除了与电感DCR检测相关的复杂性。通过片上电流检测实现卓越的电流检测精度，以增强系统性能。

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￥33.59
30+
￥32.03

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高频低剖面DC-DC转换器

型号：TDA21570AUMA1 编号：C3655211

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型 DC-DC 转换器；用于 CPU、GPU 和 DDR 内存阵列的电压调节器；电信受控和非受控应用。TDA21570 集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，它与控制和同步 MOSFET 共同封装，并带有一个有源二极管结构，该结构能实现与肖特基二极管相似的低 Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和 MOSFET 组合能够在前沿 CPU、GPU 和 DDR 内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 感测方法相比，内部 MOSFET 感测实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括 IC 温度报告和过温保护功能（带热关断的 OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制 MOSFET 短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV 和自举欠压保护。TDA21570 还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达 1.5 MHz 的开关频率操作可实现高性能瞬态响应，允许输出电感以及输入和输出电容小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21570 包含一个改进的高速 MOSFET 驱动器，该驱动器经过优化，可在高达 1.5 MHz 的频率下驱动一对共同封装的高端和低端 OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法（如 DCR 感测和 Rdson 感测）的 DC-DC 控制器通常存在局限性。DCR 电流感测对电感的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson 电流感测不依赖于电感，但 MOSFET 的 rdson 存在温度系数。此外，很难对高端 MOSFET 实施 Rdson 电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过 MOSFET 进行感测。通过 TDA21570 中的先进电流镜感测，在实现卓越精度的同时消除了所有这些局限性。高端和低端 MOSFET 上的电流都在一个感测 MOSFET 上进行镜像。

1+
￥35.78
10+
￥30.52
30+
￥27.31

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宽输入输出电压范围的dc-dc调节器

型号：TDA387400000AUMA1 编号：C7121323

封装：QFN-36(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38740/725是一款易于使用、高度集成且高效的直流-直流稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMoSTM FET使TDA38740/725成为一种占位面积小的解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用了快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速瞬态响应

1+
￥39.48
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￥33.72
30+
￥30.2

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1200V半桥栅极驱动器，带集成自举二极管和过流保护

型号：2ED1322S12MXUMA1 编号：C20189641

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件，在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供固有的保护，防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。

1+
￥42.67
10+
￥36.32
30+
￥32.45

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双输出数字多相控制器

型号：IR3584MTRPBF 编号：C537682

封装：QFN-40-EP(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3584 是一款双环路数字多相降压 PWM 控制器,设计用于 CPU 电压调节,完全符合 Intel VR12 和 VR12.5 Rev 1.3 规范。它包括动态相位控制、自动功率状态切换和自适应瞬态算法等功能,以提高效率和降低成本。

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单价：
￥46.87 / 个

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1EDN7116GXTMA1

型号：1EDN7116GXTMA1 编号：C3654881

封装：VSON-10

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道栅极驱动IC，优化用于驱动英飞凌CoolGaN™ SG HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET。该栅极驱动器包含几个关键特性，可实现使用快速开关晶体管的高性能系统设计，包括真差分输入（TDI）、四种驱动强度选项、有源米勒钳位、自举电压钳位和可调电荷泵。

1+
￥2.74
10+
￥2.68
30+
￥2.64
100+
￥2.6

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200V 高端 TDI 栅极驱动 IC，适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET

型号：1EDN7136UXTSA1 编号：C5484766

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

1+
￥2.8
10+
￥2.73
30+
￥2.69
100+
￥2.65

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具备高共模抑制比（CMR）容性隔离（TDI）输入的单通道高端和低端栅极驱动器

型号：1EDN6550BXTSA1 编号：C5481755

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动器 IC 的 TDI 系列产品。TDI 系列具备全差分输入电路。真正的差分输入（TDI）提供出色的共模抗扰度（CMR），并消除误触发风险

1+
￥2.88
10+
￥2.81
30+
￥2.76
100+
￥2.71

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单通道EiceDRIVER栅极驱动IC，具备真差分输入

型号：1EDN8550B 编号：C533032

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动 IC 的新系列产品。由于采用了独特的全差分输入电路，具备出色的共模抑制能力，逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制，完全独立于驱动器的参考（接地）电位。这消除了误触发的风险，因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势，这是采用 4 引脚封装（开尔文源极连接）、高寄生 PCB 电感（长距离、单层 PCB）和双极栅极驱动的系统常见的问题

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1+
￥2.9
10+
￥2.83
30+
￥2.79
100+
￥2.75

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超低功耗低噪声放大器，适用于GNSS应用

型号：BGA123N6E6327XTSA1 编号：C3191830

封装：TSNP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

BGA123N6 设计用于增强可穿戴设备和移动蜂窝 IoT 应用中的 GNSS 信号灵敏度。其超低功耗（1.5mW）有助于节省宝贵的电池电量，适合小型电池供电的 GNSS 设备。支持所有 GNSS 系统，包括 GPS、GLONASS、北斗和伽利略。器件尺寸非常小，仅为 0.7 x 1.1 mm²，最大高度为 0.375 mm。

1+
￥3.1
10+
￥2.42
30+
￥2.13

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2EDN8524R

型号：2EDN8524R 编号：C533089

封装：TSSOP-8-EP-3.0mm

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥3.95
10+
￥3.19
30+
￥2.81
100+
￥2.44

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高速CAN FD收发器

型号：TLE9351VSJXTMA1 编号：C3231994

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

完全符合ISO11898-2:2016和SAE J2284-4/-5标准，具有低电磁发射、总线唤醒模式等功能。

1+
￥5.98
10+
￥4.84
30+
￥4.27

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高、低端驱动器

型号：IRS2106STRPBF 编号：C538256

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2106/IRS21064是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥6.92
10+
￥5.68
30+
￥5

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BGA 8U1BN6 E6327

型号：BGA 8U1BN6 E6327 编号：C534182

封装：TSNP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 4.0 GHz 至 6.0 GHz 的宽频率范围。在第 4 章所述的应用配置中，该 LNA 在 4.5 mA 的电流消耗下提供 13.7 dB 的增益和 1.6 dB 的噪声系数。在旁路模式下，LNA 的插入损耗为 7.5 dB。它基于 B7HF 硅锗技术，工作电源电压为 1.6 V 至 3.1 V，具有多状态控制（关断、旁路和高增益模式）。

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1+
￥7.01
10+
￥5.82
30+
￥5.17

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IRS2001STRPBF

型号：IRS2001STRPBF 编号：C495819

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥7.16
10+
￥6.99
50+
￥6.88

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集成自举二极管的650 V半桥栅极驱动器

型号：2ED2182S06FXUMA1 编号：C1850289

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2182(4)S06F(J)是一款半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 VDC 的负电压瞬态时，仍能维持逻辑操作。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

数据手册

1+
￥8.4
10+
￥8.18
30+
￥8.04

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快速、耐用的双通道电流隔离式栅极驱动IC

型号：2EDB8259KXUMA1 编号：C17368311

封装：LGA-13(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

1+
￥9.91
10+
￥8.34
30+
￥7.36

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EZ-PD CCG2 USB Type-C端口控制器

型号：CYPD2103-14LHXIT 编号：C462540

封装：DFN-14

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

EZ-PD CCG2 是一个符合最新USB Type-C和PD标准的USB Type-C控制器，提供完整的USB Type-C和USB Power Delivery端口控制解决方案。

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1+
￥11.35
10+
￥9.63
30+
￥8.56
100+
￥7.46

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