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  • 2EDL803x 旨在以半桥配置驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作在最高 120 V 自举电压下的高端 MOSFET。版本 4 具备完整的 4 A 电流驱动能力,而版本 3 具备 3 A 电流驱动能力
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    高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动
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    IR2112(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。
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  • MOS管驱动器芯片
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    FlexRay收发器,支持数据传输速率从1 Mbit/s到10 Mbit/s,适用于车载网络。具有低功耗待机模式和远程唤醒功能。
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  • 这一SP8T RF开关是基于LTE、WCDMA和TDCDMA的多模式手机的理想解决方案。具有出色的RF性能。超低插入损耗有助于客户实现高系统灵敏度,对LTE Tx功率和6 GHz的覆盖实现了非常广泛的应用。其特点是无直流RF端口,仅当外部施加直流电压时,才需要在RF端口使用外部直流阻隔电容。其片上MIPI RFFE 2.0控制器与行业标准完全兼容。
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