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首页 > 热门关键词 > Infineon英飞凌dcdc芯片
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  • IRS21091是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
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    IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术,实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
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    TLE94003EP是一款受保护的三重半桥驱动器,专为汽车运动控制应用(如侧视镜x-y调节)而设计。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载
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    高速CAN收发器,符合ISO 11898-2 (2016) 和SAE J2284-4/-5标准,支持高达5 MBit/s的数据帧。
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      ¥15.09708
    IRS2183/IRS21834是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3路。
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    600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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      ¥14.196303
    是一款高功率、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。传播延迟匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200伏的N沟道功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。
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  • 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪能力,能够在VS引脚上高达 -11 VDC的负电压瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,工作电压高达650 V。
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  • 高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动
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    IR2112(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。
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    FlexRay收发器,支持数据传输速率从1 Mbit/s到10 Mbit/s,适用于车载网络。具有低功耗待机模式和远程唤醒功能。
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