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首页 > 热门关键词 > Infineon英飞凌dcdc芯片
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650V半桥栅极驱动器，集成自举二极管
型号：2ED21834S06JXUMA1 编号：C1850288
封装：SOIC-14
品牌：Infineon(英飞凌)
是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。
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    结合 CoolSiC、CoolMOS 和 EiceDRIVER，用于工业应用中的节能型开关电源（SMPS）设计
    型号：2EDS9265HXUMA1 编号：C1870163
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相
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    1EDI40I12AH
    型号：1EDI40I12AH 编号：C533023
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    HX2VL超低功耗USB 2.0集线器控制器
    型号：CY7C65632-28LTXC 编号：C466889
    封装：QFN-28-EP(5x5)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    高性能、低功耗的USB 2.0集线器，最多支持四个下游端口。
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    全速USB控制器
    型号：CY7C64215-28PVXCT 编号：C2952825
    封装：SSOP-28
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    自振荡半桥驱动器
    型号：IR21531SPBF 编号：C537595
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比，提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能，因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就相同，从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V，显著提高了抗噪性。最后，特别注意最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
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    高端和低端驱动器
    型号：IR2106PBF 编号：C537545
    封装：PDIP-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V
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    集成自举二极管的600 V半桥栅极驱动器
    型号：2EDL23I06PJXUMA1 编号：C2676931
    封装：DSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    2EDL系列器件可在半桥配置中控制最大阻断电压为+600 V的MOS晶体管或IGBT等功率器件。该器件对瞬态电压具有出色的耐受能力，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会出现寄生闩锁现象
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    CY8C20110-SX2I
    型号：CY8C20110-SX2I 编号：C2953748
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    系统基础芯片
    型号：TLE9261-3BQX 编号：C540130
    封装：VQFN-48-EP(7x7)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    支持CAN FD，部分网络功能，多路高边开关和高压唤醒输入。
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    IR2301SPBF
    型号：IR2301SPBF 编号：C537624
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    半桥驱动器
    型号：IR2109PBF 编号：C537552
    封装：PDIP-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    集成自举二极管的160V、4A/8A半桥SOI栅极驱动器
    型号：2ED2748S01GXTMA1 编号：C6404744
    封装：VSON-10(3x3)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    基于SOI技术、耐压160 V的栅极驱动器，专为半桥无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定

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    红外整流器高端和低端驱动器
    型号：IR2301PBF 编号：C537623
    封装：PDIP-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V
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    IR2011PBF
    型号：IR2011PBF 编号：C537538
    封装：PDIP-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款高功率、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200伏的N沟道功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。
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    SLS32AIA010MLUSON10XTMA9
    型号：SLS32AIA010MLUSON10XTMA9 编号：C17444580
    封装：USON-10
    品牌：Infineon(英飞凌)
    高安全性控制器，支持ECC、RSA、AES等加密算法，提供I2C接口，适用于工业控制、智能家居等领域。

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    60A集成PowlRstage
    型号：IR3550MTRPBF 编号：C537667
    封装：PQFN-32(6x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR3550集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET共同封装。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率
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    IR2112SPBF
    型号：IR2112SPBF 编号：C2972
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V
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    BGA 616 H6327
    型号：BGA 616 H6327 编号：C534163
    封装：SOT-343-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BGA616 是一款宽带匹配通用MMIC放大器，采用达林顿配置。它针对60 mA的典型供电电流进行了优化。BGA616基于英飞凌科技的B7HF硅锗技术。
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    单通道5.7kV（rms）带两级压摆率控制（2L - SRC）的隔离栅极驱动IC
    型号：1ED3240MC12HXUMA1 编号：C17229782
    封装：SOIC-8-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    该系列是一组采用DSO-8 300 mil封装的单通道驱动IC。驱动IC可提供高达18 A的典型峰值输出电流。该系列实现了两级压摆率控制（2L-SRC），此功能允许控制两个独立的栅极电阻，从而优化EMI和开关损耗。该系列包括标准输出配置和具有相同电流额定值的有源米勒钳位输出配置，以防止寄生导通

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    ASK单变频接收器
    型号：TDA5200XUMA1 编号：C539599
    封装：TSSOP-28
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    CYPD4226-40LQXIT
    型号：CYPD4226-40LQXIT 编号：C2951576
    封装：QFN-40(6x6)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    EZ-PD CCG4 是一款双 USB Type-C 控制器，符合最新的 USB Type-C 和 PD 标准。CCG4 为笔记本电脑、电源适配器和扩展坞提供完整的双 USB Type-C 和 USB-Power Delivery 端口控制解决方案。它还可以用于双角色和下游端口应用。CCG4 采用英飞凌专有的 M0S8 技术，配备 32 位、48 MHz Arm Cortex-M0 处理器，具有 128 KB 闪存，并集成了两个完整的 Type-C 收发器，包括 Type-C 终端电阻 R_P 和 R_D。

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    高压三相栅极驱动IC
    型号：IRS2336DSTRPBF 编号：C538332
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2336xD 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，具备三个高端和三个低端参考输出通道，适用于三相应用。该集成电路设计用于搭配低成本自举电源；自举二极管功能已集成到该器件中，以减少元件数量和 PCB 尺寸。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术已应用于坚固的单片结构中
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    OPTIGA™ TPM SLM 9670 TPM2.0 可信平台模块
    型号：SLM9670AQ20FW1311XTMA1 编号：C2651754
    封装：VFQFN-32-EP(5x5)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    支持多种加密算法，包括RSA-1024、RSA-2048、SHA-1、SHA-256、ECC NIST P256和ECC BN256。具备SPI接口，适用于工业应用。
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    低静态电流背对背MOSFET驱动器
    型号：AUIR3241STR 编号：C533197
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    AUIR3241S 是一款适用于背对背拓扑结构的高端 MOSFET 驱动器，主要用于背对背开关。其特点是在开启和关断状态下均具有极低的静态电流。AUIR3241S 集成了一个使用外部电感的升压型 DC/DC 转换器和一个栅极驱动器
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    具备过流保护（OCP）、使能（EN）、故障指示功能及集成自举二极管（BSD）的200 V和600 V三相栅极驱动器
    型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965
    封装：TSSOP-28
    品牌：Infineon(英飞凌)
    6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构
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    CY7C65216-24LTXI
    型号：CY7C65216-24LTXI 编号：C7156246
    封装：QFN-24(4x4)
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    TDA21470
    型号：TDA21470 编号：C539591
    封装：IQFN-39
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    8.6A 无刷直流BLDC电机驱动芯片 5.25V
    型号：TLE82092SAAUMA1 编号：C2150693
    封装：DSO-20
    品牌：Infineon(英飞凌)
    设计用于安全关键型汽车应用中的直流电机控制。具有四个可选电流范围、两个可选压摆率设置，并可通过SPI进行广泛诊断。该设备监控数字电源电压VDD，在VDD过压或欠压时关闭输出级，从而在数字控制电路发生故障时提供安全的关断路径。为了在极端热条件下降低功耗，当结温超过165℃时，电流限制阈值会线性降低。SPI中会设置一个热警告位。两个半桥也可独立用于驱动两个单独的负载，如螺线管或单向直流电机。
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    CY7C65213-28PVXI
    型号：CY7C65213-28PVXI 编号：C2953704
    封装：SSOP-28
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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