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首页 > 热门关键词 > Infineon英飞凌dcdc芯片
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  • 10+

    ¥4.29
  • 30+

    ¥4.21
  • 有货
  • 是高速CAN收发器,用于汽车和工业应用的HS CAN系统。旨在满足ISO 11898-2:2016物理层规范以及SAE J1939和SAE J2284的要求。该产品采用符合RoHS标准、无卤的PG-DSO-8封装。作为物理总线层和HS CAN协议控制器之间的接口,旨在保护微控制器免受网络内部产生的干扰
    • 1+

      ¥5.89
    • 10+

      ¥5.76
    • 30+

      ¥5.68
  • 有货
  • 高速CAN收发器,用于汽车和工业应用的高速控制器局域网 (CAN)。它旨在满足ISO 11898-2 (2016) 物理层规范以及SAE J1939和SAE J2284的要求。它采用无卤且符合RoHS标准的PG-DSO-8封装。作为物理总线层和高速CAN之间的接口,它可保护微控制器免受网络中产生的干扰。具有很高的ESD鲁棒性和优化的RF抗扰度,无需额外的保护设备(如抑制二极管或共模扼流圈)即可用于汽车应用。当未供电时,发射器关闭,对高速CAN的所有其他节点呈现最低负载
    • 1+

      ¥7.55
    • 10+

      ¥7.36
    • 30+

      ¥7.23
  • 有货
  • 是全桥变压器驱动器系列,可为开环隔离电源的输出提供高达13W的功率。针对多种开关(如TRENCHSTOP IGBT、OptiMOS MOSFET、CoolMOS超结MOSFET、CoolGaN高电子迁移率晶体管和CoolSiC MOSFET)的栅极驱动器进行了优化,可与EiceDRIVER栅极驱动器IC和其他类似产品配合使用。有41种可选的开关频率或可同步到外部PWM以适应变压器。有41种可选的占空比选项来调整输出电源电压。提供多种安全功能,如欠压锁定(UVLO)监控、过温保护、输出短路保护、平均过流保护、软启动和就绪输出。采用热增强型封装PG-TSSOP-8-1,引脚间距为0.65mm。
    • 1+

      ¥7.75
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      ¥7.58
    • 30+

      ¥7.46
  • 有货
  • TLE7268 是一款用于本地互联网络(LIN)的双收发器,具备集成唤醒和保护功能。TLE7268 专为使用高达 20 kbps 数据传输速率的车载网络而设计。TLE7268 包含两个独立的收发器,可作为协议控制器与物理 LIN 网络之间的总线驱动器
    • 1+

      ¥7.75
    • 10+

      ¥7.56
    • 30+

      ¥7.43
  • 有货
  • 是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达200V。传播延迟匹配,简化了HVIC在高频应用中的使用。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.89
    • 10+

      ¥6.55
    • 30+

      ¥5.81
    • 100+

      ¥4.98
  • 有货
    • 1+

      ¥8.59
    • 10+

      ¥8.4
    • 30+

      ¥8.28
  • 有货
  • 特性:单通道隔离式MOSFET驱动器。 输入到输出隔离电压高达1200 V。 适用于高压功率MOSFET。 轨到轨输出的典型峰值电流高达10 A。 独立的源极和漏极输出。 电流隔离核心
    数据手册
    • 1+

      ¥9.01
    • 10+

      ¥7.48
    • 30+

      ¥6.64
  • 有货
  • 适用于汽车和工业应用中的CAN网络,符合ISO 11898-2标准,具有高电磁抗扰度和低电磁发射。
    • 1+

      ¥9.26
    • 10+

      ¥9.03
    • 30+

      ¥8.88
  • 有货
  • CoolGaN™ 及类似的氮化镓(GaN)开关在导通状态下需要几毫安的连续栅极电流。此外,由于阈值电压较低且开关瞬态极快,可能需要负的关断电压电平。广泛使用的 RC 耦合栅极驱动器可满足这些要求,但其开关动态特性存在占空比依赖性,且在特定情况下缺乏负栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥11.22
    • 10+

      ¥10.94
    • 30+

      ¥10.75
  • 有货
  • 是单通道隔离栅极驱动器IC系列,用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装,输入到输出爬电距离为4 mm,通过片上无芯变压器(CT)技术提供隔离。具有严格的时序规格,适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸,使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。
    • 1+

      ¥11.75
    • 10+

      ¥11.49
    • 30+

      ¥11.32
  • 有货
  • 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.52
    • 10+

      ¥12.2
    • 30+

      ¥11.98
  • 有货
  • IR3897是一款易于使用、高度集成且高效的DC/DC调节器。内置PWM控制器和MOSFET,提供准确的电源传输。适用于5V至21V的应用,具有宽输入电压范围(1.0V至21V),可编程开关频率高达1.5MHz,内部数字软启动/软停止,增强的线路/负载调节,内置LDO以提高轻载和满载效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.08
    • 10+

      ¥11.29
    • 30+

      ¥9.63
  • 有货
  • 是高度集成的单芯片解决方案,为智能手机、平板电脑和其他便携式设备提供最低的物料清单成本。芯片包括2.4 GHz WLAN IEEE 802.11 b/g/n MAC/基带/无线电,以及蓝牙5.1标准。此外,它集成了一个满足大多数手持系统输出功率要求的功率放大器(PA)、一个具有一流接收器灵敏度的低噪声放大器(LNA)和一个内部发射/接收(iTR)射频开关,进一步降低了整体解决方案成本和印刷电路板面积。WLAN主机接口支持gSPI和SDIO v2.0模式,在50 MHz总线频率下以4位模式运行时,提供高达200 Mbps的原始数据传输速率
    数据手册
    • 1+

      ¥14.4
    • 10+

      ¥12.15
    • 30+

      ¥10.75
  • 有货
  • USB-Serial桥接器,支持UART、I2C和SPI接口,集成CapSense功能,符合USB 2.0全速标准。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.93
    • 10+

      ¥15.57
    • 30+

      ¥15.33
  • 有货
  • 是一款双通道多拓扑DC-DC控制器,专为LED应用设计,内置保护功能,可实现紧凑的LED驱动器。两个通道产生的输出电流相互独立,通过峰值电流控制环进行调节。使用内部斜率补偿,以避免在高占空比(如高于50%)时产生次谐波振荡。在工作温度范围内,电流精度优于3.5%(不应用模拟调光时)
    • 1+

      ¥15.94
    • 10+

      ¥15.59
    • 30+

      ¥15.36
  • 有货
  • IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本,集成了一个高压半桥栅极驱动器,其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比,IR2153 功能更丰富,使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出
    数据手册
    • 1+

      ¥16.23
    • 10+

      ¥13.65
    • 30+

      ¥12.04
  • 有货
  • 可实现先进且易于实施的电容式触摸感应用户界面解决方案。支持多达16个电容感应输入的寄存器可配置系列,消除了耗时的固件开发。非常适合以最短的开发周期实现电容式按钮、滑块和接近感应解决方案。具有先进的模拟感应通道和电容式Sigma Delta PLUS(CSD PLUS)感应算法,信噪比(SNR)大于100:1,确保在极嘈杂的环境中也能实现触摸精度。采用SmartSense Auto-tuning算法,补偿制造差异,动态监控并在所有环境条件下保持最佳传感器性能,消除开发和生产过程中耗时的手动调整工作,加快产品上市时间。具备LED亮度控制、接近感应和系统诊断等高级功能,节省开发时间
    • 1+

      ¥17.32
    • 10+

      ¥14.66
    • 30+

      ¥12.99
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道,适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可通过外部电流检测电阻终止所有六个输出。具有使能功能,可同时终止所有六个输出。提供开漏FAULT信号,指示过流或欠压关断。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.33
    • 10+

      ¥16.88
    • 30+

      ¥16.59
  • 有货
  • 企业级数字控制器为英特尔VR13和VR12.5应用提供电源。通过支持5mV/步和10mV/步VID表、动态电压识别(DVID)、电源状态(PS)和VR数据与配置寄存器要求的SVID接口来控制命令和监控功能。先进的控制回路特性,如主动瞬态响应(ATR)调制和快速DVID响应,能够对高di/dt负载瞬变和大电压阶跃实现最佳响应。对电流检测进行可编程温度补偿,使设计人员能够针对不同温度调整响应,以实现最佳负载线精度。通过高过采样率和数字电流估计实现了一流的抗噪能力。除了电感DCR电流检测外,企业级控制器还支持具有集成电流检测和集成温度检测的英飞凌集成功率级
    • 1+

      ¥17.36
    • 10+

      ¥16.93
    • 30+

      ¥16.64
  • 有货
  • IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.0V逻辑。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.58
    • 10+

      ¥18.14
    • 30+

      ¥16.93
  • 有货
  • 是一款多MOSFET驱动IC,专用于控制多达八个n沟道MOSFET。包括四个半桥,用于直流电机控制应用,如汽车电动座椅控制或其他应用。采用24位串行外设接口(SPI)来配置和控制半桥,还可读取状态寄存器以进行诊断。提供广泛的诊断功能,如监控电源电压、电荷泵电压、温度警告和过温关断。每个栅极驱动器独立监控其外部MOSFET的漏源电压以检测故障。采用带有外露焊盘的VQFN-48封装,支持引脚检查,该封装具有良好的热性能,并最小化所需的PCB空间。
    • 1+

      ¥18.95
    • 10+

      ¥18.48
    • 30+

      ¥18.17
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.64
    • 10+

      ¥19.16
    • 30+

      ¥18.84
  • 有货
  • OPTIREG™ 开关 TLS4125D0EPV33 是一款专为汽车应用设计的 2.8 MHz 同步降压稳压器。该器件具有 2.5 A 的电流容量、3.3 V 的固定输出电压以及PWM 模式下 ±1.5% 的反馈电压精度。集成功率级、软启动功能和集成补偿网络减少了所需的外部元件数量,从而减少了系统成本和电路板空间。宽输入电压范围和 100% 占空比工作模式使该器件非常适合汽车应用中的电池启动场景。宽开关频率范围允许选择合适的线圈和电容。开关频率可以与外部时钟信号同步。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.73
    • 10+

      ¥17.72
    • 30+

      ¥15.26
  • 有货
  • 高性能、低功耗的USB 2.0集线器,优化用于低成本设计。支持最多四个下游端口,并具有多个事务转换器(TT)。
    • 1+

      ¥20.85
    • 10+

      ¥20.37
    • 30+

      ¥20.04
  • 有货
  • 双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟,结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺,可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和(安全)次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度,适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET,也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.7
    • 10+

      ¥19.3
    • 30+

      ¥17.28
  • 有货
  • 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,带有过流限制保护电路。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至2.5V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器交叉导通。保护电路检测被驱动功率晶体管中的过电流并限制栅极驱动电压。逐个周期关断由外部电容器编程,该电容器直接控制过流限制条件检测和锁存关断之间的时间间隔。浮动通道可用于驱动工作电压高达500V的高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.14
    • 10+

      ¥22.63
    • 25+

      ¥21.23
  • 有货
  • 支持多种加密算法,包括RSA-1024、RSA-2048、SHA-1、SHA-256、ECC NIST P256和ECC BN256。具备SPI接口,适用于工业应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.36
    • 10+

      ¥24.73
    • 30+

      ¥24.31
  • 有货
  • 控制半桥配置中最大阻断电压为 +1200V 的 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件。基于 SOI 技术,在瞬态电压下具有出色的耐用性,器件中不存在寄生晶闸管结构,设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。 两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制,低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。 具有对称的欠压锁定电平,有力支持集成的超快自举二极管。此外,离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时,为晶体管提供了针对浮动栅极条件下寄生导通的固有保护。
    • 1+

      ¥27.31
    • 10+

      ¥26.61
    • 30+

      ¥26.15
  • 有货
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