Infineon英飞凌dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BGB741L7ESDE6327XTSA1 编号：C3191817

封装：XFDFN-6-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：1EDN7146GXTMA1 编号：C3654847

封装：VSON-10

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IRS21271STRPBF 编号：C476118

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：2ED2304S06F 编号：C533055

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通，防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 650 V。

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型号：2EP100RXTMA1 编号：C22814662

封装：TSSOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是全桥变压器驱动器系列，可为开环隔离电源的输出提供高达13W的功率。针对多种开关（如TRENCHSTOP IGBT、OptiMOS MOSFET、CoolMOS超结MOSFET、CoolGaN高电子迁移率晶体管和CoolSiC MOSFET）的栅极驱动器进行了优化，可与EiceDRIVER栅极驱动器IC和其他类似产品配合使用。有41种可选的开关频率或可同步到外部PWM以适应变压器。有41种可选的占空比选项来调整输出电源电压。提供多种安全功能，如欠压锁定（UVLO）监控、过温保护、输出短路保护、平均过流保护、软启动和就绪输出。采用热增强型封装PG-TSSOP-8-1，引脚间距为0.65mm。

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型号：BGA 420 H6327 编号：C534156

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BGA420 是一款基于 SIEGET 25 技术的 Si-MMIC 放大器，具有 50Ω 增益块，无条件稳定，适用于多级级联。

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型号：2ED2106S06FXUMA1 编号：C1848355

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚上高达 -11 V的负电压 (VCC = 15 V) 瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，工作电压高达650 V。

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型号：2ED21844S06JXUMA1 编号：C1850283

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达 -11V DC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

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型号：IR2302STRPBF 编号：C148147

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：2EDL8023GXUMA1 编号：C3655452

封装：VDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDL8x2x是一款专为电信和数据通信应用等先进开关转换器设计的高端-低端驱动器。2EDL802x采用带内置迟滞的独立输入，以增强抗噪能力；而2EDL812x采用带内置迟滞的差分输入，以增强抗噪能力。2EDL812x固有的直通保护确保了系统的稳定性

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型号：2EDB7259KXUMA1 编号：C17349824

封装：LGA-13(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款双通道隔离栅极驱动IC，用于驱动Si MOSFET、SiC MOSFET和GaN功率开关。通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，保证了稳健的操作和行业基准共模抑制（CMTI）。高传播延迟精度和低通道间失配使其非常适合用于快速开关电源系统。此外，高CMTI、高反向电流能力和低于欠压锁定（UVLO）的快速输出钳位保证了应用中的可靠运行。

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型号：CYPD3176-24LQXQ 编号：C7156429

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Infineon(英飞凌)

EZ - PDM BCR - PLUS是一款高度集成的预编程USB Type - C受电端口控制器，属于桶形连接器替代（BCR）系列产品。它能够支持具备或不具备USB数据功能的端口。其主要目标应用于使用传统桶形连接器（功率高达100W）或USB micro - B连接器供电的电子设备，如无人机、智能音箱、电动工具及其他可充电设备

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型号：2EDB8259KXUMA1 编号：C17368311

封装：LGA-13(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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型号：IR2118PBF 编号：C152176

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动

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型号：CY8CMBR3106S-LQXI 编号：C2940555

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

可实现先进且易于实施的电容式触摸感应用户界面解决方案。支持多达16个电容感应输入的寄存器可配置系列，消除了耗时的固件开发。非常适合以最短的开发周期实现电容式按钮、滑块和接近感应解决方案。具有先进的模拟感应通道和电容式Sigma Delta PLUS（CSD PLUS）感应算法，信噪比（SNR）大于100:1，确保在极嘈杂的环境中也能实现触摸精度。采用SmartSense Auto-tuning算法，补偿制造差异，动态监控并在所有环境条件下保持最佳传感器性能，消除开发和生产过程中耗时的手动调整工作，加快产品上市时间。具备LED亮度控制、接近感应和系统诊断等高级功能，节省开发时间

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型号：TDA38806XUMA1 编号：C40408294

封装：QFN-14

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：1EDB9275FXUMA1 编号：C1870162

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相

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型号：2ED2183S06FXUMA1 编号：C1850284

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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型号：PXM1310CDM-G003 编号：C538654

封装：VQFN-40

品牌：Infineon(英飞凌)

企业级数字控制器为英特尔VR13和VR12.5应用提供电源。通过支持5mV/步和10mV/步VID表、动态电压识别（DVID）、电源状态（PS）和VR数据与配置寄存器要求的SVID接口来控制命令和监控功能。先进的控制回路特性，如主动瞬态响应（ATR）调制和快速DVID响应，能够对高di/dt负载瞬变和大电压阶跃实现最佳响应。对电流检测进行可编程温度补偿，使设计人员能够针对不同温度调整响应，以实现最佳负载线精度。通过高过采样率和数字电流估计实现了一流的抗噪能力。除了电感DCR电流检测外，企业级控制器还支持具有集成电流检测和集成温度检测的英飞凌集成功率级

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￥15.42
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￥15.06
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￥14.82

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型号：TLE8457CLEXUMA1 编号：C2671316

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥11.69

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型号：IRS2184SPBF 编号：C1549306

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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1+
￥16.75
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型号：IR3555MTRPBF 编号：C537670

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

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型号：IR21364STRPBF 编号：C537592

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可通过外部电流检测电阻终止所有六个输出。具有使能功能，可同时终止所有六个输出。提供开漏FAULT信号，指示过流或欠压关断。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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1+
￥17.22
10+
￥16.79
30+
￥16.51

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型号：IR2109PBF 编号：C537552

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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1+
￥17.68
10+
￥17.26
30+
￥16.08

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型号：IR2010SPBF 编号：C537537

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑。

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￥18.29
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￥17.85
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￥16.64

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型号：TLE92104232QXXUMA1 编号：C3655597

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款多MOSFET驱动IC，专用于控制多达八个n沟道MOSFET。包括四个半桥，用于直流电机控制应用，如汽车电动座椅控制或其他应用。采用24位串行外设接口（SPI）来配置和控制半桥，还可读取状态寄存器以进行诊断。提供广泛的诊断功能，如监控电源电压、电荷泵电压、温度警告和过温关断。每个栅极驱动器独立监控其外部MOSFET的漏源电压以检测故障。采用带有外露焊盘的VQFN-48封装，支持引脚检查，该封装具有良好的热性能，并最小化所需的PCB空间。

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￥18.95
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￥18.48
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￥18.17

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型号：TDA21490AUMA1 编号：C3654867

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型 DC-DC 转换器，适用于 CPU、GPU 和大电流轨的电压调节器。TDA21490 功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，与高端和低端 MOSFET 共封装。当遵循布局指南时，该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的组合，可在前沿 CPU、GPU 和 DDR 内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。TDA21490 内部带有温度补偿的 MOSFET 电流检测算法，与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 检测方法相比，可实现卓越的电流检测精度。保护功能包括具有可编程阈值的逐周期过流保护、VCC/VDRV 欠压锁定 (UVLO) 保护、自举电容欠压保护、相位故障检测、IC 温度报告和热关断。TDA21490 还具有自举电容自动补充功能，以防止过放电。TDA21490 具有深度睡眠节能模式，当多相系统进入 PS3/PS4 模式时，可大大降低功耗。高达 1.5 MHz 的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，在保持行业领先效率的同时，允许降低输出电感和输出电容值。TDA21490 针对服务器应用中的 CPU 核心电源传输进行了优化。能够满足服务器市场的严格要求，也使 TDA21490 非常适合为 GPU 和 DDR 内存设计供电。

1+
￥19.86
10+
￥16.98
30+
￥15.27

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型号：IR3550MTRPBF 编号：C537667

封装：PQFN-32(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3550集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET共同封装。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率

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1+
￥20.2
10+
￥19.7
30+
￥19.37

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型号：2EDF7175FXUMA2 编号：C1869517

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

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1+
￥22.7
10+
￥19.3
30+
￥17.28

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型号：TLE8250GVIO 编号：C2671818

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE8250GVIO是为汽车和工业应用中的CAN网络设计的收发器。作为物理总线层和CAN协议控制器之间的接口，TLE8250GViO驱动信号发射并在广泛的频率范围内提供极低的电磁辐射。

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￥24.33
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￥20.93
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