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首页 > 热门关键词 > UMW友台dcdc芯片
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特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = -6A。 RDS(ON) < 45mΩ (VGS = 10V)
数据手册
  • 5+

    ¥0.5078
  • 50+

    ¥0.403
  • 150+

    ¥0.3506
  • 500+

    ¥0.3113
  • 3000+

    ¥0.2668
  • 6000+

    ¥0.2511
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。玻璃钝化结。内置应变消除。出色的钳位能力。薄型封装。低电感。快速响应时间:通常从0伏到最小击穿电压小于1.0 ps。典型反向电流在10V以上小于1A。保证高温焊接:端子250℃/10秒
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5222
    • 50+

      ¥0.4174
    • 150+

      ¥0.3651
    • 500+

      ¥0.3258
    • 1800+

      ¥0.2666
    • 5400+

      ¥0.2509
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=30V。 ID = 8.4A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 22mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 30mΩ (VGS = 4.5V)。 快速开关速度。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
    • 5+

      ¥0.5511
    • 50+

      ¥0.4344
    • 150+

      ¥0.376
    • 500+

      ¥0.3323
    • 3000+

      ¥0.2972
    • 6000+

      ¥0.2797
  • 有货
  • 是单P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。高达 -30V 的工作电压非常适合用于开关模式电源、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
    • 5+

      ¥0.5516
    • 50+

      ¥0.4348
    • 150+

      ¥0.3764
    • 500+

      ¥0.3325
    • 3000+

      ¥0.2975
    • 6000+

      ¥0.28
  • 有货
  • 此功率 MOSFET 采用最新的处理技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括150℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。
    • 5+

      ¥0.5569
    • 50+

      ¥0.438
    • 150+

      ¥0.3785
    • 500+

      ¥0.334
    • 2500+

      ¥0.2983
    • 5000+

      ¥0.2804
  • 有货
  • 特性:低外形封装,内置应力消除功能,适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低增量浪涌电阻。 低电感。 出色的钳位能力。 1500W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 非常快的响应时间。 塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级 94V-0
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5726
    • 50+

      ¥0.4401
    • 150+

      ¥0.3738
    • 850+

      ¥0.3242
    • 2550+

      ¥0.2844
    • 5100+

      ¥0.2645
  • 有货
  • NE556双通道独立定时器电路是一种能够产生高精度延时或振荡的控制器。在延时模式下工作时,时间由外部电阻和电容精确控制。对于像振荡器这样的稳定运行,自由运行频率和占空比均由两个外部电阻和一个电容精确控制
    • 5+

      ¥0.5855
    • 50+

      ¥0.4623
    • 150+

      ¥0.4007
    • 500+

      ¥0.3545
    • 2500+

      ¥0.3085
    • 5000+

      ¥0.29
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 漏源电压(VDS) = -30V。 漏极电流(ID) = -12A。 导通电阻(RDS(ON)) < 20mΩ(栅源电压VGS = 10V)
    • 5+

      ¥0.5875
    • 50+

      ¥0.4621
    • 150+

      ¥0.3994
    • 500+

      ¥0.3523
    • 3000+

      ¥0.3147
    • 6000+

      ¥0.2959
  • 有货
  • D-PAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5瓦。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6179
    • 50+

      ¥0.4894
    • 150+

      ¥0.4252
    • 500+

      ¥0.377
    • 2500+

      ¥0.3224
    • 5000+

      ¥0.3031
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7006
    • 50+

      ¥0.5539
    • 150+

      ¥0.4805
    • 500+

      ¥0.4254
    • 3000+

      ¥0.3814
    • 6000+

      ¥0.3594
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥0.7038
    • 50+

      ¥0.5658
    • 150+

      ¥0.4968
    • 500+

      ¥0.445
    • 2500+

      ¥0.4036
    • 5000+

      ¥0.3829
  • 有货
  • 特性:适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(V) = 30V。 ID = 15A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 7.5mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 10mΩ (VGS = 4.5V)。 高功率和电流处理能力。 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷(典型值47nC)。 快速开关速度
    • 5+

      ¥0.7597
    • 50+

      ¥0.6625
    • 150+

      ¥0.6209
    • 500+

      ¥0.569
    • 3000+

      ¥0.5458
    • 6000+

      ¥0.532
  • 有货
  • 针对同步降压操作中的关键参数(包括导通电阻RDS(ON)和栅极电荷)进行了优化,以降低传导和开关损耗。较低的总损耗使其非常适合为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC-DC转换器。
    • 5+

      ¥0.7901
    • 50+

      ¥0.6227
    • 150+

      ¥0.5391
    • 500+

      ¥0.4763
    • 3000+

      ¥0.4261
    • 6000+

      ¥0.401
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 38A (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 21mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 25mΩ (VGS = 6V)。 低栅极电荷(典型值33nC)。 快速开关速度。应用:DC/DC转换器。 电机驱动器
    • 5+

      ¥0.8568
    • 50+

      ¥0.7473
    • 150+

      ¥0.7003
    • 500+

      ¥0.6417
    • 2500+

      ¥0.6157
    • 5000+

      ¥0.6
  • 有货
  • OPA348系列放大器是采用微型封装的单电源、低功耗CMOS运算放大器。OPA348系列具有1MHz的扩展带宽,电源电流为45μA,适用于2.1V至5.5V单电源的低功耗应用。45μA的低电源电流和0.5pA的输入偏置电流,使OPA348系列成为烟雾探测器和其他传感器等低功耗、高阻抗应用的理想选择
    • 5+

      ¥0.8867
    • 50+

      ¥0.6989
    • 150+

      ¥0.605
    • 500+

      ¥0.5346
    • 2500+

      ¥0.4782
    • 5000+

      ¥0.45
  • 有货
  • 特性:采用专有平面条纹和 DMOS 技术生产。 VDS(V) = 100V。 ID = 15.6A(VGS = 10V)。 RDS(Ou)< 100mΩ (VGS = 10V)。 RDS(Ou)< 110mΩ (VGS = 5V)。 低栅极电荷(典型值 14 nC)。 低 Crss(典型值 35 pF)
    • 5+

      ¥0.8901
    • 50+

      ¥0.7015
    • 150+

      ¥0.6073
    • 500+

      ¥0.5366
    • 2500+

      ¥0.48
    • 5000+

      ¥0.4517
  • 有货
  • ULN2003 是一款高压、大电流达林顿驱动集成电路,由 7 对 NPN 达林顿管组成。所有单元的发射极共用,且每个单元均采用集电极开路输出。每对达林顿管都串联了一个 2.7KΩ 的电阻,可与 TTL 和 5V CMOS 兼容,无需逻辑缓冲器即可进行数据处理
    • 5+

      ¥0.9338
    • 50+

      ¥0.7293
    • 150+

      ¥0.6417
    • 500+

      ¥0.5323
    • 2500+

      ¥0.4836
    • 4000+

      ¥0.4544
  • 有货
  • 特性:采用先进工艺生产,可最大限度降低导通电阻并保持出色的开关性能。 漏源电压(VDS):100V。 导通电阻(RDS(ON)):当栅源电压(VGS)为10V时为124mΩ;当栅源电压(VGS)为5V时为175mΩ。 低栅极电荷:典型值为2.78nC。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准
    • 5+

      ¥0.9605
    • 50+

      ¥0.7529
    • 150+

      ¥0.6639
    • 500+

      ¥0.5529
    • 2500+

      ¥0.5034
    • 5000+

      ¥0.4738
  • 有货
    • 5+

      ¥0.973
    • 50+

      ¥0.7627
    • 150+

      ¥0.6725
    • 500+

      ¥0.5601
    • 2500+

      ¥0.51
    • 5000+

      ¥0.4799
  • 有货
    • 5+

      ¥0.9792
    • 50+

      ¥0.7689
    • 150+

      ¥0.6788
    • 500+

      ¥0.5663
    • 2500+

      ¥0.5163
    • 5000+

      ¥0.4862
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。 漏源电压(VDS):-30V。 当栅源电压(VGS)为 -10V 时,导通电阻(RDS(ON))< 8mΩ。 当栅源电压(VGS)为 -20V 时,导通电阻(RDS(ON))< 6.2mΩ
    • 5+

      ¥0.9808
    • 50+

      ¥0.7672
    • 150+

      ¥0.6756
    • 500+

      ¥0.5613
    • 2500+

      ¥0.5105
    • 5000+

      ¥0.4799
  • 有货
  • MOS管
    • 5+

      ¥0.9819
    • 50+

      ¥0.768
    • 150+

      ¥0.6764
    • 500+

      ¥0.562
    • 2500+

      ¥0.511
    • 5000+

      ¥0.4805
  • 有货
  • 特性:三端正电压调节器。 输出电流可达1.2A。 输出电压为5V、6V、8V、9V、12V、15V。 热过载保护。 短路保护。 输出过渡安全工作区保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0062
    • 50+

      ¥0.736
    • 150+

      ¥0.6482
    • 500+

      ¥0.5386
    • 2000+

      ¥0.4898
    • 5000+

      ¥0.4605
  • 有货
  • D-PAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5瓦。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0076
    • 50+

      ¥0.7783
    • 150+

      ¥0.6637
    • 500+

      ¥0.5777
    • 2500+

      ¥0.485
    • 5000+

      ¥0.4506
  • 有货
  • 极低的导通电阻RDS(ON),在VGS = 10V时。低栅极电荷。高电流能力
    • 5+

      ¥1.0203
    • 50+

      ¥0.7997
    • 150+

      ¥0.7052
    • 500+

      ¥0.5873
    • 2500+

      ¥0.5348
    • 5000+

      ¥0.5033
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=30V。 RDS(ON)<27mΩ(VGS=5V)。 电源。 电感负载。 PWM电机控制
    • 5+

      ¥1.0235
    • 50+

      ¥0.8006
    • 150+

      ¥0.705
    • 500+

      ¥0.5858
    • 2500+

      ¥0.5327
    • 5000+

      ¥0.5008
  • 有货
  • 特性:采用先进的沟槽技术设计,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 符合Rohs标准。 快速开关。 低反向传输电容。 低导通电阻。 低栅极电荷
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0259
    • 50+

      ¥0.8024
    • 150+

      ¥0.6906
    • 500+

      ¥0.6068
    • 2500+

      ¥0.4729
    • 5000+

      ¥0.4393
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-60V。 RDS(ON)<120mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON)<150mΩ(VGS =-4.5V)
    • 5+

      ¥1.0334
    • 50+

      ¥0.81
    • 150+

      ¥0.7143
    • 500+

      ¥0.5948
    • 3000+

      ¥0.5417
    • 6000+

      ¥0.5097
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
    • 5+

      ¥1.0662
    • 50+

      ¥0.8339
    • 150+

      ¥0.7344
    • 500+

      ¥0.6102
    • 2500+

      ¥0.5549
    • 5000+

      ¥0.5217
  • 有货
  • 最新沟槽功率MOSFET技术。在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
    • 5+

      ¥1.08
    • 50+

      ¥0.8465
    • 150+

      ¥0.7465
    • 500+

      ¥0.6216
    • 2500+

      ¥0.5661
    • 5000+

      ¥0.5327
  • 有货
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