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首页 > 热门关键词 > UMW友台dcdc芯片
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特性:VDS(V)=60V。 ID = 50A (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 16mΩ (VGS = 10V)。 175℃工作温度
  • 5+

    ¥1.1251
  • 50+

    ¥0.8798
  • 150+

    ¥0.7747
  • 500+

    ¥0.6435
  • 2500+

    ¥0.5851
  • 5000+

    ¥0.55
  • 有货
    • 5+

      ¥1.1257
    • 50+

      ¥0.8824
    • 150+

      ¥0.7781
    • 500+

      ¥0.648
    • 2500+

      ¥0.59
    • 5000+

      ¥0.5553
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压(VDS):60V。 漏极电流(ID):30A(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 23mΩ(VGS = 10V)。 导通电阻(RDS(ON))< 29mΩ(VGS = 4.5V)。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 获得无铅产品认证
    • 5+

      ¥1.1315
    • 50+

      ¥0.885
    • 150+

      ¥0.7794
    • 500+

      ¥0.6476
    • 2500+

      ¥0.5889
    • 5000+

      ¥0.5537
  • 有货
  • TL084是一款具有四个J-FET输入的高速运算放大器,由高压J-FET和双极晶体管组成。它具有高转换速率、低输入偏置电流和失调电流,以及低失调电压温度系数。
    • 5+

      ¥1.1768
    • 50+

      ¥0.9204
    • 150+

      ¥0.8106
    • 500+

      ¥0.6735
    • 2500+

      ¥0.6125
    • 5000+

      ¥0.5758
  • 有货
  • 低导通电阻,以最小化传导损耗。低电容,以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷,以最小化开关损耗。这些器件无铅且符合 RoHS 标准。CPU 电源传输。DC-DC 转换器。低端开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2053
    • 50+

      ¥1.0566
    • 150+

      ¥0.9929
    • 500+

      ¥0.9134
    • 2500+

      ¥0.8355
    • 5000+

      ¥0.8142
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = -40V。 RDS(ON) < 17mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 29mΩ (VGS = -4.5V)。 封装具有低热阻
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2143
    • 50+

      ¥0.9518
    • 150+

      ¥0.8393
    • 500+

      ¥0.699
    • 2500+

      ¥0.6365
    • 5000+

      ¥0.599
  • 有货
  • 是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS标准和产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
    • 5+

      ¥1.223
    • 50+

      ¥0.9586
    • 150+

      ¥0.8453
    • 500+

      ¥0.704
    • 3000+

      ¥0.641
    • 6000+

      ¥0.6033
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=40V。 RDS(ON)<17mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<21mΩ(VGS=4.5V)。 超低栅极阻抗。 极低的RDS(on)。 完全表征的雪崩电压和电流。应用:用于电信和工业的带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器。 用于计算机处理器电源的高频降压转换器
    • 5+

      ¥1.2408
    • 50+

      ¥0.9674
    • 150+

      ¥0.8503
    • 500+

      ¥0.7042
    • 3000+

      ¥0.6391
    • 6000+

      ¥0.6
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2493
    • 50+

      ¥0.9875
    • 150+

      ¥0.8753
    • 1000+

      ¥0.6816
    • 2000+

      ¥0.6193
    • 5000+

      ¥0.5819
  • 有货
    • 5+

      ¥1.342
    • 50+

      ¥1.0383
    • 150+

      ¥0.9081
    • 500+

      ¥0.7457
    • 2000+

      ¥0.6734
    • 5000+

      ¥0.63
  • 有货
  • 特性:先进的工艺技术。 动态dv/dt额定值。 快速开关。 完全雪崩额定值。 无铅。 VDS(V) = 55V。 ID = 34A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ(VGS = 10V)
    • 5+

      ¥1.4279
    • 50+

      ¥1.1192
    • 150+

      ¥0.987
    • 500+

      ¥0.8219
    • 2500+

      ¥0.7484
    • 5000+

      ¥0.7043
  • 有货
  • 设计用于保护低电压 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬变影响。低电容补偿二极管集成到 TVS 中,使每条线路的典型电容降至 6pF。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6675
    • 50+

      ¥1.2882
    • 150+

      ¥1.1257
    • 500+

      ¥0.8658
    • 2500+

      ¥0.7755
    • 5000+

      ¥0.7213
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 坚固耐用的器件设计。 VDS(V) = 55V。 ID = 16A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 10V)
    • 5+

      ¥1.7762
    • 50+

      ¥1.3922
    • 150+

      ¥1.2277
    • 500+

      ¥1.0224
    • 2000+

      ¥0.931
    • 5000+

      ¥0.8761
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于各种应用。
    • 5+

      ¥1.7809
    • 50+

      ¥1.393
    • 150+

      ¥1.2267
    • 500+

      ¥1.0192
    • 2500+

      ¥0.9269
    • 5000+

      ¥0.8714
  • 有货
  • UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容,为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距(M型)和贴片式(SMD)可选
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8488
    • 50+

      ¥1.4439
    • 150+

      ¥1.2704
    • 500+

      ¥1.054
    • 2500+

      ¥0.9576
    • 5000+

      ¥0.8997
  • 有货
  • 特性:第五代采用先进加工技术,在单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。 VDS(v) = 55V。 ID = 16A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 10V)
    • 5+

      ¥1.9259
    • 50+

      ¥1.5096
    • 150+

      ¥1.3312
    • 800+

      ¥1.1086
    • 2400+

      ¥1.0094
    • 4800+

      ¥0.9499
  • 有货
  • 晶闸管(可控硅)
    • 5+

      ¥2.2301
    • 50+

      ¥1.7481
    • 150+

      ¥1.5415
    • 500+

      ¥1.2837
    • 2000+

      ¥1.1689
    • 5000+

      ¥1.1
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。 可用于各种应用。
    • 5+

      ¥2.2301
    • 50+

      ¥1.7481
    • 150+

      ¥1.5415
    • 500+

      ¥1.2837
    • 2500+

      ¥1.1689
    • 5000+

      ¥1.1
  • 有货
  • 晶闸管(可控硅)
    • 5+

      ¥2.2491
    • 50+

      ¥1.7591
    • 150+

      ¥1.5492
    • 500+

      ¥1.2872
    • 2000+

      ¥1.1705
    • 5000+

      ¥1.1005
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥2.252
    • 50+

      ¥1.7614
    • 150+

      ¥1.5512
    • 500+

      ¥1.2888
    • 2500+

      ¥1.172
    • 5000+

      ¥1.1019
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=650V。 ID = 10A。 RDS(ON)=0.9Ω
    数据手册
    • 1+

      ¥2.71
    • 10+

      ¥2.06
    • 50+

      ¥1.79
    • 100+

      ¥1.45
    • 500+

      ¥1.3
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
  • 场效应管(MOSFET)
    • 1+

      ¥3.67
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.24
    • 500+

      ¥2.03
    • 800+

      ¥1.92
  • 有货
  • 场效应管(MOSFET)
    • 1+

      ¥4.23
    • 10+

      ¥3.4
    • 30+

      ¥2.99
    • 100+

      ¥2.58
    • 500+

      ¥2.33
    • 800+

      ¥2.2
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=100V。 ID = 120A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 4.5mΩ (VGS = 10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。 无铅。 无卤
    • 1+

      ¥4.82
    • 10+

      ¥3.87
    • 50+

      ¥3.4
    • 100+

      ¥2.94
    • 500+

      ¥2.66
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
  • 场效应管(MOSFET)
    • 1+

      ¥5.26
    • 10+

      ¥4.74
    • 30+

      ¥4.46
    • 100+

      ¥4.14
    • 500+

      ¥4
    • 800+

      ¥3.94
  • 有货
  • DS18B20数字温度计可提供9位至12位的摄氏温度测量,并具备报警功能,其上下触发点可由用户进行非易失性编程。DS18B20通过单总线进行通信,按照定义,仅需一条数据线(和接地)即可与中央微处理器进行通信。其工作温度范围为 -55℃至 +125℃,在 -10℃至 +70℃的范围内,精度可达 ±0.4℃。此外,DS18B20可直接从数据线获取电源(“寄生电源”),无需外部电源
    数据手册
    • 1+

      ¥14.56
    • 10+

      ¥12.08
    • 30+

      ¥10.69
    • 100+

      ¥9.27
    • 500+

      ¥8.63
    • 1000+

      ¥8.35
  • 有货
  • 特性:单线双向静电放电保护。 极低二极管电容:Cd最大11pF。 最大脉冲峰值功率:Ppp = 45W。 低钳位电压:VCL = 12.5V。 超低泄漏电流:IRM < 1nA。 静电放电保护高达30kV,符合IEC61000-4-2;4级(静电放电)。应用:计算机及外围设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0589
    • 500+

      ¥0.0457
    • 1500+

      ¥0.0384
    • 10000+

      ¥0.034
    • 20000+

      ¥0.0302
    • 50000+

      ¥0.0281
  • 有货
  • 特性:90瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
    • 50+

      ¥0.0841
    • 500+

      ¥0.0652
    • 3000+

      ¥0.0548
    • 6000+

      ¥0.0485
    • 24000+

      ¥0.0431
    • 51000+

      ¥0.0401
  • 有货
  • 旨在保护对电压敏感的组件免受ESD损坏或闩锁。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露于ESD的电路板级设计提供一流的保护。由于其体积小且为双向设计,非常适合用于需要音频线路保护的手机、MP3播放器和便携式应用。
    • 50+

      ¥0.0869
    • 500+

      ¥0.0689
    • 3000+

      ¥0.059
    • 6000+

      ¥0.053
    • 24000+

      ¥0.0478
    • 51000+

      ¥0.045
  • 有货
  • 旨在保护对电压敏感的电子元件免受 ESD 和其他瞬态影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露于 ESD 的设计提供一流的保护。
    • 50+

      ¥0.0881
    • 500+

      ¥0.0684
    • 3000+

      ¥0.0574
    • 6000+

      ¥0.0509
    • 24000+

      ¥0.0452
    • 51000+

      ¥0.0421
  • 有货
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