UMW友台dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDN327N(UMW) 编号：C5290356

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

此N沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。

数据手册

20+
￥0.1655
200+
￥0.1285
600+
￥0.1079
3000+
￥0.0915
9000+
￥0.0808
21000+
￥0.075

有货

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型号：IRLML2402TR(UMW) 编号：C5236680

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用

20+
￥0.1669
200+
￥0.13
600+
￥0.1095
3000+
￥0.0914
9000+
￥0.0808
21000+
￥0.075

有货

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型号：BST23C032V(UMW) 编号：C7588059

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

静电放电ESD

20+
￥0.1681
200+
￥0.1305
600+
￥0.1096
3000+
￥0.097
9000+
￥0.0861
21000+
￥0.0803

有货

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型号：MMBTA06 编号：C545555

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：适用于开关和放大器应用。互补型PNP晶体管MMBTA56

数据手册

20+
￥0.1704
200+
￥0.1332
600+
￥0.1126
3000+
￥0.1002
9000+
￥0.0895
21000+
￥0.0837

有货

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型号：ESDA5V3L 编号：C7529150

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：350瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。双向和单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触，±30kV空气。应用：数据线。自动取款机

20+
￥0.1715
200+
￥0.1319
600+
￥0.1099
3000+
￥0.0967
9000+
￥0.0852
21000+
￥0.079

有货

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型号：PESD24VL2BT 编号：C3008371

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

ESD静电管

数据手册

20+
￥0.1737
200+
￥0.1354
600+
￥0.1142
3000+
￥0.0972
9000+
￥0.0862
21000+
￥0.0802

有货

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型号：FDV303N(UMW) 编号：C5340723

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V) = 25V。 ID = 0.68A。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 2.7V)。 Compact industry standard SOT-23 surface mount package。 Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits, VGS(TH)< 1V。 Gate-Source Zener for ESD ruggedness, >6kV Human Body Model

数据手册

20+
￥0.1753
200+
￥0.136
600+
￥0.1142
3000+
￥0.1011
9000+
￥0.0898
21000+
￥0.0837

有货

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型号：MMBZ6V2ALT1G 编号：C2931137

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1757
200+
￥0.1369
600+
￥0.1154
3000+
￥0.0947
9000+
￥0.0835
21000+
￥0.0775

有货

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型号：FDN302P(UMW) 编号：C5346819

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：该P沟道2.5V产品针对电源管理应用进行了优化，具有宽范围的栅极驱动电压（2.5V-12V）。漏源击穿电压VDS(V) = 20V。漏极电流ID = -2.4A。静态漏源导通电阻RDS(ON)：55mΩ（VGS = -4.5V）；80mΩ（VGS = -2.5V）

数据手册

20+
￥0.1784
200+
￥0.1381
600+
￥0.1157
3000+
￥0.1023
9000+
￥0.0907
21000+
￥0.0844

有货

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型号：IRLML0030TR(UMW) 编号：C5271200

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。

数据手册

20+
￥0.1794
200+
￥0.1391
600+
￥0.1168
3000+
￥0.0989
9000+
￥0.0873
21000+
￥0.081

有货

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型号：SM03C 编号：C19185903

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

静电放电(ESD）

20+
￥0.1852
200+
￥0.1433
600+
￥0.1201
3000+
￥0.1061
9000+
￥0.094
21000+
￥0.0875

有货

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型号：SDD32C05L01 编号：C7529147

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于保护低电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其非常适合在电路板空间有限的设计中进行ESD保护。

20+
￥0.1885
200+
￥0.1463
600+
￥0.1228
3000+
￥0.1087
9000+
￥0.0965
21000+
￥0.09

有货

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型号：CDSOD323-T03C(UMW) 编号：C7588056

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

静电放电ESD

20+
￥0.19
200+
￥0.1471
600+
￥0.1233
3000+
￥0.109
9000+
￥0.0966
21000+
￥0.0899

有货

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型号：MMBZ12VALT1G 编号：C2931139

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.1906
200+
￥0.1476
600+
￥0.1237
3000+
￥0.1094
9000+
￥0.0969
21000+
￥0.0902

有货

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型号：IRFML8244TR(UMW) 编号：C5271199

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。

数据手册

20+
￥0.1921
200+
￥0.1491
600+
￥0.1252
3000+
￥0.1061
9000+
￥0.0937
21000+
￥0.087

有货

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型号：PESD5V0S1UA(UMW) 编号：C7436900

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

特性：对一条线路进行瞬态电压抑制（TVS）保护。最大峰值脉冲功率：Pₚₚ = 890 W。低钳位电压：V_CL = 19 V。低泄漏电流：I_RM = 300 nA。 ESD保护高达30 kV。 IEC 61000-4-2；4级（ESD）。应用：计算机及外围设备。音频和视频设备

20+
￥0.1929
200+
￥0.1488
600+
￥0.1243
3000+
￥0.1096
9000+
￥0.0969
21000+
￥0.09

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型号：BSS138PS 编号：C5271194

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 RDS(ON)<2Ω(VGS=10V)。 RDS(ON)<2.2Ω(VGS=4.5V)。应用：Notebook。 Load Switch

数据手册

20+
￥0.1932
200+
￥0.151
600+
￥0.1275
3000+
￥0.1088
9000+
￥0.0966
21000+
￥0.09

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型号：PTVSHC3D7VU(UMW) 编号：C19712159

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。采用SOD-323封装，工作电压为7V。

20+
￥0.1939
200+
￥0.1501
600+
￥0.1258
3000+
￥0.1112
9000+
￥0.0986
21000+
￥0.0918

有货

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型号：PESD3V3U1UA(UMW) 编号：C42165049

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

TVS/ESD管，VRWM:3.3V,VBR:4.5V

20+
￥0.1978
200+
￥0.1521
600+
￥0.1267
3000+
￥0.1115
9000+
￥0.0983
21000+
￥0.0912

有货

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型号：NUP4201MR6T1G(UMW) 编号：C19626392

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

特性：60W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。低钳位电压。低泄漏电流。低电容 (Cj = 0.3pF 典型值，IO 到 IO)。保护一条数据/电源线至:IEC 61000-4-2 空气放电 ±15kV，接触放电 ±12kV。IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns)。应用：以太网。数字视频接口 (DVI)