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首页 > 热门关键词 > UMW友台dcdc芯片
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操作
特性:60W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Ci = 0.7pF 典型值)。应用:数据线。 自动取款机
数据手册
  • 20+

    ¥0.2238
  • 200+

    ¥0.1764
  • 600+

    ¥0.1501
  • 3000+

    ¥0.1201
  • 9000+

    ¥0.1064
  • 21000+

    ¥0.099
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 20+

      ¥0.2259
    • 200+

      ¥0.1805
    • 600+

      ¥0.1553
    • 3000+

      ¥0.1402
    • 9000+

      ¥0.1271
    • 21000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的低功耗高压稳压器。最大输入电压为30V,输出电压范围为1.5V-12.0V。具有高精度输出电压、极低电源电流和极低压降的特点。
    • 20+

      ¥0.226
    • 200+

      ¥0.1754
    • 600+

      ¥0.1473
    • 3000+

      ¥0.1304
    • 9000+

      ¥0.1158
    • 21000+

      ¥0.1079
  • 有货
  • 固定电压单片集成电路稳压器适用于需要高达100mA电源的应用。
    • 10+

      ¥0.2296
    • 100+

      ¥0.1801
    • 300+

      ¥0.1554
    • 1000+

      ¥0.1423
    • 5000+

      ¥0.1275
    • 10000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 74AUP1G00是一款高性能单路2输入与非门,工作电源电压范围为0.8V至3.6V。该器件采用先进的CMOS工艺制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力。
    • 20+

      ¥0.2304
    • 200+

      ¥0.1788
    • 600+

      ¥0.1501
    • 3000+

      ¥0.1329
    • 9000+

      ¥0.118
    • 21000+

      ¥0.11
  • 有货
  • 特性:适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡和其他电池供电电路中的低电压应用。 低导通电阻:RDS(ON) < 65mΩ(VGS = 4.5V);RDS(ON) < 82mΩ(VGS = 2.5V)。 漏源电压:VDS(V) = 30V。 漏极电流:ID = 2.2A(VGS = 4.5V)。应用:笔记本电脑。 便携式电话
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2328
    • 200+

      ¥0.1803
    • 600+

      ¥0.1511
    • 3000+

      ¥0.1335
    • 9000+

      ¥0.1184
    • 21000+

      ¥0.1102
  • 有货
  • 4路单向TVS/ESD管,VRWM:5.25V,VBR:6V,VC MAX:17V
    • 20+

      ¥0.2328
    • 200+

      ¥0.1803
    • 600+

      ¥0.1511
    • 3000+

      ¥0.1335
    • 9000+

      ¥0.1184
    • 21000+

      ¥0.1102
  • 有货
  • 旨在保护敏感设备免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT) 和雷电感应浪涌的损坏。
    • 10+

      ¥0.2335
    • 100+

      ¥0.1834
    • 300+

      ¥0.1584
    • 3000+

      ¥0.1396
    • 6000+

      ¥0.1246
    • 9000+

      ¥0.1171
  • 有货
  • 是一款低电容 TVS(瞬态电压抑制器)阵列,旨在保护高速数据接口。专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受 ESD(静电放电)引起的过应力影响。
    • 10+

      ¥0.2355
    • 100+

      ¥0.1859
    • 300+

      ¥0.161
    • 3000+

      ¥0.1424
    • 6000+

      ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 特性:符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。 -IEC 61000-4-5 (Lightning) 6A (8/20μs)。 超低泄漏:nA 级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。应用:USB 2.0 电源和数据线。 机顶盒和数字电视
    • 10+

      ¥0.2363
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      ¥0.1863
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      ¥0.1425
    • 6000+

      ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 特性:ESD/瞬态保护高速数据线,符合以下标准: -IEC61000-4-2 (ESD):±25 kV(空气/接触)。 -IEC61000-4-4 (EFT):±2.5 kV/±50 A (5/50 ns)。 -IEC61000-4-5 (浪涌):±6 A (8/20 µs)。 最大工作电压:VRWM = 5.5 V。 可自由选择一条线路保护VBUS。 极低电容:CL = 0.45 pF(I/O到GND,典型值)。 非常低的动态电阻:RDYN = 0.2Ω(I/O到GND,典型值)。 非常低的反向钳位电压:VCL = 9 V(典型值,IPP = 16 A)
    • 10+

      ¥0.2366
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      ¥0.1865
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      ¥0.1615
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      ¥0.1427
    • 6000+

      ¥0.1277
    • 9000+

      ¥0.1202
  • 有货
  • 2路单向TVS/ESD管,VRWM:5V,VBR:6V,VC MAX:15V
    • 10+

      ¥0.2386
    • 100+

      ¥0.1876
    • 300+

      ¥0.1622
    • 3000+

      ¥0.1431
    • 6000+

      ¥0.1278
    • 9000+

      ¥0.1202
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 20+

      ¥0.2438
    • 200+

      ¥0.1886
    • 600+

      ¥0.158
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      ¥0.1396
    • 9000+

      ¥0.1237
    • 21000+

      ¥0.1151
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压:-20V。 当栅源电压为 -4.5V,漏极电流为 -4.2A 时,导通电阻小于 40mΩ。 当栅源电压为 -2.5V,漏极电流为 -3.4A 时,导通电阻小于 50mΩ
    • 10+

      ¥0.2461
    • 100+

      ¥0.1946
    • 300+

      ¥0.1688
    • 3000+

      ¥0.1494
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      ¥0.134
    • 9000+

      ¥0.1262
  • 有货
  • 是超低电容瞬态电压抑制器阵列,设计用于保护便携式电子产品和智能手机等应用。该系列提供单向和双向配置,在8/20μs波形下额定功率为250W。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2462
    • 200+

      ¥0.1948
    • 600+

      ¥0.1663
    • 3000+

      ¥0.1323
    • 9000+

      ¥0.1175
    • 21000+

      ¥0.1095
  • 有货
  • 采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器。最大输入电压为30V,输出电压范围为1.5V至12.0V。具有高精度输出电压、极低电源电流和极低压降的特点。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.247
    • 200+

      ¥0.1863
    • 600+

      ¥0.1525
    • 3000+

      ¥0.1324
    • 9000+

      ¥0.1149
    • 21000+

      ¥0.1055
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的低功耗高压稳压器。最大输入电压为30V,输出电压范围为1.5V-12.0V。具有高精度输出电压、极低电源电流和极低压降的特点。
    • 20+

      ¥0.2501
    • 200+

      ¥0.1894
    • 600+

      ¥0.1557
    • 3000+

      ¥0.1355
    • 9000+

      ¥0.1179
    • 21000+

      ¥0.1085
  • 有货
  • 74AUP1G14是一款高性能单反相器,具有施密特触发器输入,工作电源电压范围为0.8V至3.6V。
    • 10+

      ¥0.2561
    • 100+

      ¥0.2019
    • 300+

      ¥0.1747
    • 3000+

      ¥0.1544
    • 6000+

      ¥0.1381
    • 9000+

      ¥0.13
  • 有货
  • 特性:塑料封装具有UL 94V-0可燃性等级。 金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 有保护环用于过压保护。 低功率损耗,高效率。 高电流能力,低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 保证高温焊接:端子在250℃下可承受10秒
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2674
    • 100+

      ¥0.211
    • 300+

      ¥0.1828
    • 3000+

      ¥0.1605
    • 6000+

      ¥0.1436
    • 9000+

      ¥0.1351
  • 有货
  • TVS/ESD管,VRWM:5V,VBR:6V,VC MAX:18V,
    • 10+

      ¥0.2758
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1882
    • 3000+

      ¥0.1663
    • 6000+

      ¥0.1488
    • 9000+

      ¥0.14
  • 有货
  • 特性:P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低电压 PowerTrench 工艺。针对电池电源管理应用进行了优化。VDS(V) = 12V。ID = -2.6A。RDS(ON) = 40mΩ (VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 50mΩ (VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 80mΩ (VGS = -1.8V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2778
    • 100+

      ¥0.2158
    • 300+

      ¥0.1848
    • 3000+

      ¥0.1498
    • 6000+

      ¥0.1312
    • 9000+

      ¥0.1219
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 V(BR)DS = -30V。 ID = -3A。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 145mΩ (VGS = -4.5V)
    • 10+

      ¥0.2998
    • 100+

      ¥0.2358
    • 300+

      ¥0.2038
    • 3000+

      ¥0.1798
    • 6000+

      ¥0.1606
    • 9000+

      ¥0.151
  • 有货
  • 特性:适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(VI) = 30V。 ID =-2A(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 80mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 125mΩ(VGS =-4.5V)。 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷(典型值6.2nC),更高的功率处理能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3156
    • 100+

      ¥0.2465
    • 300+

      ¥0.212
    • 3000+

      ¥0.1861
    • 6000+

      ¥0.1654
    • 9000+

      ¥0.155
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 10+

      ¥0.3656
    • 100+

      ¥0.2858
    • 300+

      ¥0.2459
    • 3000+

      ¥0.216
    • 6000+

      ¥0.192
    • 9000+

      ¥0.18
  • 有货
  • 集成超低电容二极管,为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。该强大组件能够安全吸收高于 IEC61000-4-2 国际标准(4 级,±8kV 接触放电)规定的最大水平的重复 ESD 冲击,且性能不会下降。
    • 10+

      ¥0.3964
    • 100+

      ¥0.3117
    • 300+

      ¥0.2694
    • 3000+

      ¥0.2377
    • 6000+

      ¥0.2123
    • 9000+

      ¥0.1996
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 10+

      ¥0.411
    • 100+

      ¥0.3233
    • 300+

      ¥0.2794
    • 3000+

      ¥0.2465
    • 6000+

      ¥0.2202
    • 9000+

      ¥0.207
  • 有货
  • 最大输入电压:57V;最大输出电流:3A;输出电压(固定):15V;静态电流(最大):10mA;
    • 10+

      ¥0.4322
    • 100+

      ¥0.3406
    • 300+

      ¥0.2949
    • 3000+

      ¥0.2605
    • 6000+

      ¥0.2331
    • 9000+

      ¥0.2194
  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性,适用于所有电子产品。
    • 5+

      ¥0.4728
    • 50+

      ¥0.3731
    • 150+

      ¥0.3232
    • 500+

      ¥0.2858
    • 2500+

      ¥0.2502
    • 5000+

      ¥0.2353
  • 有货
  • 特性:1500W浪涌能力(1ms)。 出色的钳位能力。 低齐纳阻抗。 快速响应时间:通常从0V到VBR(min)小于1.0ps。 典型IR在10V以上小于1μA
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4738
    • 100+

      ¥0.3737
    • 300+

      ¥0.3236
    • 850+

      ¥0.2651
    • 5100+

      ¥0.2351
    • 10200+

      ¥0.22
  • 有货
  • 特性:宽单电源范围:2.0V 至 30V。分离电源范围:±1.0V 至 ±15V。极低电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。低输入偏置电流:25nA。低输入失调电流:5.0nA。低输入失调电压:5.0mV(最大值)。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压
    • 5+

      ¥0.4925
    • 50+

      ¥0.3882
    • 150+

      ¥0.3361
    • 500+

      ¥0.2969
    • 2500+

      ¥0.2656
    • 4000+

      ¥0.25
  • 有货
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