VISHAY威世dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MLV1812E33003T 编号：C2655802

封装：1812

品牌：VISHAY(威世)

尺寸1812（M4532）多层芯片压敏电阻，带有镍锡终止端处理。

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1+
￥6.31
10+
￥6.16
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￥6.07

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型号：MURS340HE3_A/H 编号：C145437

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化颗粒芯片结。适合自动贴装。超快反向恢复时间。低开关损耗，高效率。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值为260℃。应用：用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

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1+
￥6.37
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￥6.24
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型号：BYQ28E-200-E3/45 编号：C506473

封装：TO-220AB-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：功率封装。玻璃钝化芯片结。超快恢复时间。软恢复特性。低开关损耗，高效率。高正向浪涌能力。应用：用于开关电源的低压、高频整流器。续流二极管

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1+
￥6.39
10+
￥5.2
50+
￥4.61

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型号：IRF510STRLPBF 编号：C727738

封装：D2PAK

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其低内部连接电阻，D2PAK (TO-263)适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0 W的功率。

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1+
￥6.85
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￥6.72
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型号：SIZF5302DT-T1-RE3 编号：C17312998

封装：PowerPAIR3x3FS

品牌：VISHAY(威世)

特性：采用TrenchFET Gen V功率MOSFET。对称双N沟道。倒装芯片技术实现优化热设计。高端和低端MOSFET为50%占空比形成优化组合。优化的RDS-Qg和RDS-Qg-FOM提升高频开关效率。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步降压。计算机/服务器外设

1+
￥7.54
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￥7.35
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￥7.22

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型号：SIR120DP-T1-RE3 编号：C5334425

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

MOSFET用于开关应用，现在可提供导通电阻约为 1mΩ 且能够处理 85A 的产品。PowerPAK 是一种解决相关问题的新封装技术，它基于 SO-8 封装开发，采用与标准 SO-8 相同的占位面积和引脚排列，可直接替代标准 SO-8 封装。作为无引脚封装，它利用整个 SO-8 占位面积，能容纳比标准 SO-8 更大的芯片，芯片底部的连接垫暴露以提供低电阻热路径，且封装高度低于标准 SO-8，适合空间受限的应用。

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￥7.61
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￥7.42
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￥7.29

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型号：VDMG10C0 编号：C6017128

封装：SMD-10P

品牌：VISHAY(威世)

10mm SMD七段LED显示屏，采用非常紧凑的封装。器件采用GaAs芯片上的AllnGaP技术。

1+
￥7.91
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￥7.71
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型号：FES8JT-E3/45 编号：C5241881

封装：TO-220AC

品牌：VISHAY(威世)

特性：功率封装。玻璃钝化托盘芯片结。超快恢复时间。低开关损耗，高效率。低泄漏电流。高正向浪涌能力。应用：开关电源的高频整流器。逆变器

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1+
￥8.36
10+
￥7.16
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￥5.96

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型号：IRF9Z34SPBF 编号：C7290283

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D2PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

1+
￥8.43
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￥8.24
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￥8.11

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型号：SMCJ6.5A-E3/57T 编号：C1973371

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。单双向可选。出色的钳位能力。响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变

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1+
￥8.69
10+
￥7.27
30+
￥6.48

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型号：IRFZ34SPBF 编号：C6969416

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET采用先进的制造工艺，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，结合功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

1+
￥9.61
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￥9.37
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￥9.2

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型号：1.5KE250A-E3/73 编号：C467490

封装：DO-27

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化芯片结。提供单向和双向类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止因电感负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上产生的电压瞬变。

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1+
￥10.59
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￥10.38
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型号：IRF9520SPBF 编号：C3288212

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D2PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻

1+
￥11.33
10+
￥9.78
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￥8.31

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型号：NTCLE203E3202SB0 编号：C3154439

封装：插件,P=2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

这些热敏电阻由一个NTC陶瓷芯片和两条实心镀锡镍引线组成。热敏电阻主体涂有蓝色绝缘漆。

1+
￥12.09
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￥11.84
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￥11.67

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型号：IRFZ48SPBF 编号：C3288217

封装：D2PAK(TO-263)

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积下极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

1+
￥12.61
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￥12.33
50+
￥12.14

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型号：NTCLE203E3103GB0 编号：C144985

封装：插件,P=2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

由NTC陶瓷材料制成。该器件由一个带有两条镀锡镍引线的芯片组成。部件有涂层和色带标记。可根据要求提供卷带包装版本。

1+
￥14.1
10+
￥12.02
30+
￥10.73

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型号：BU2506-E3/45 编号：C17387370

封装：SIP-4

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证文件编号E312394。薄型单列直插式封装。玻璃钝化芯片结。卓越的热导率。浸焊温度最高275℃，每次10s，符合JESD 22-B106标准。应用：开关电源、家用电器和白色家电的交流/直流桥式全波整流通用用途

1+
￥16.43
10+
￥16.04
40+
￥15.78

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型号：PB4008-E3/45 编号：C5358881

封装：SIP-4

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证文件编号E312394 (QQQX2) UL 1557。增强型高电流密度单直插式封装。卓越的热导率。玻璃钝化芯片结。焊接浸锡最高275℃，10s，符合JESD 22-B106。应用：用于开关电源、家用电器和白色家电应用的AC/DC桥式全波整流的通用用途

1+
￥16.98
10+
￥16.55
30+
￥16.26

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型号：5KP33A-E3/54 编号：C1974129

封装：P600

品牌：VISHAY(威世)

特性：P600玻璃钝化芯片结。仅提供单向极性。 5000W峰值脉冲功率能力，波形为10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由电感负载开关和雷电在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

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1+
￥17.28
10+
￥16.89
30+
￥16.63

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型号：GSIB1540-E3/45 编号：C222528

封装：GSIB-5S

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证文件编号E54214。薄型单列直插式封装。玻璃钝化芯片结。高浪涌电流能力。高外壳介电强度2500 VRMS。浸焊温度最高275℃，时间10s，符合JESD 22-B106。应用：开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途

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1+
￥17.9
10+
￥15.48
40+
￥13.96

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型号：5KP28A-E3/54 编号：C1975744

封装：P600

品牌：VISHAY(威世)

特性：P600玻璃钝化芯片结。仅提供单向极性。 5000W峰值脉冲功率能力，波形为10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由电感负载开关和雷电在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

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1+
￥18.69
10+
￥18.28
30+
￥18.01

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型号：NTCALUG01T103FLA 编号：C3154739

封装：-

品牌：VISHAY(威世)

NTC热敏电阻芯片焊接到带有ETFE绝缘层的AWG#26多股镀银铜引线上，并用环氧涂层绝缘。绝缘传感器通过中间缓冲层连接到镀锡铜环形接线片上。引线是绞合的。

1+
￥18.92
10+
￥18.48
30+
￥18.19

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型号：GSIB2520-E3/45 编号：C17429417

封装：SIP-4

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证文件编号E54214。薄型单列直插式封装。玻璃钝化芯片结。高浪涌电流能力。 2500VRMS的高外壳介电强度。按照JESD 22-B106标准，浸焊温度最高275℃，时间最长10s。应用：开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途

1+
￥20.45
10+
￥20.01
40+
￥19.71

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型号：BU1506-E3/51 编号：C467505

封装：SIP-4

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证文件编号E312394。薄型单列直插式封装。玻璃钝化芯片结。提供BU-5S引脚成型选项。卓越的热导率。浸焊温度最高275℃，持续10秒，符合JESD 22-B106标准。应用：通用用途，用于开关电源、家用电器和白色家电的AC/DC桥式全波整流

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1+
￥23.34
10+
￥22.92
30+
￥22.64

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型号：NTCALUG01T103F 编号：C3154118

封装：-

品牌：VISHAY(威世)

NTC热敏电阻芯片焊接到带有ETFE绝缘层的AWG #26多股镀银铜引线上，并采用环氧涂层进行绝缘处理。经过绝缘处理的传感器通过中间缓冲层连接到镀锡铜环形端子上。引线采用绞合方式

1+
￥26.1
10+
￥22.47
30+
￥20.31

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型号：PB4006-E3/45 编号：C511534

封装：SIP-4

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证文件编号E312394 (QQQX2) UL 1557 。增强型高电流密度单排直插式封装。卓越的热导率。玻璃钝化芯片结。按照JESD 22-B106标准，最高275℃，浸焊10s。应用：用于开关电源、家用电器和白色家电应用的AC/DC桥式全波整流的通用用途

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1+
￥30.92
10+
￥30.25
30+
￥29.8

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型号：5KP40A-E3/54 编号：C1978864

封装：P600

品牌：VISHAY(威世)

特性：P600玻璃钝化芯片结。仅提供单向极性。 5000W峰值脉冲功率能力，波形为10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由电感负载开关和雷电在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

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