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1 Form A(SPSTNO),1 Form B(SPSTNC) 负载AC,DC 负载电压200V

型号：LH1512BACTR 编号：C2653965

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

LH1512继电器包含常开和常闭开关，可以独立用作1 Form A和1 Form B继电器，或者当一起使用时，作为1 Form C继电器。这些继电器构造为多芯片混合器件。驱动控制通过红外LED实现。输出开关是由光电二极管阵列与MOSFET开关及控制电路组合而成的。

数据手册

1+
￥29.88 ￥41.5
10+
￥29.2248 ￥40.59
30+
￥28.7784 ￥39.97
100+
￥28.3392 ￥39.36

有货

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单向TVS 40V截止峰值浪涌电流：77.5A@10/1000us

型号：5KP40A-E3/54 编号：C1978864

封装：P600

品牌：VISHAY(威世)

特性：P600玻璃钝化芯片结。仅提供单向极性。 5000W峰值脉冲功率能力，波形为10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由电感负载开关和雷电在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

数据手册

1+
￥32.91
10+
￥28.39
30+
￥25.7

有货

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VSMY98545ADS 停产

型号：VSMY98545ADS 编号：C5179676

封装：SMD,3.9x3.9mm

品牌：VISHAY(威世)

是基于表面发射技术的红外 850nm 发光二极管，具有高辐射功率和高速度，采用带透镜的低热阻 SMD 封装。42 密耳芯片可提供出色的辐射强度，并允许器件在高达 1A 的直流下工作。集成齐纳二极管可确保出色的 ESD 特性。

数据手册

1+
￥41.65
10+
￥35.91
30+
￥28.94

有货

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1 Form A(SPSTNO),1 Form B(SPSTNC) 负载AC,DC 负载电压350V

型号：LH1502BB 编号：C1558839

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

LH1502继电器包含常开和常闭开关，这些开关可分别作为1A型和1B型继电器独立使用，也可组合起来作为1C型继电器使用。该继电器采用多芯片混合器件结构。其驱动控制通过红外LED实现

数据手册

1+
￥50.26
10+
￥48.98
30+
￥48.12

有货

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快速雪崩贴片整流二极管

型号：BYG21M-E3/TR3 编号：C4749230

封装：DO-214AC

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化颗粒芯片结。低反向电流。软恢复特性。快速反向恢复时间。应用：用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。用于消费、汽车和电信领域的续流二极管

1+
￥1.6
10+
￥1.57
30+
￥1.54

有货

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表面贴装超快速雪崩整流二极管

型号：AU1PM-M3/84A 编号：C4990365

封装：DO-220AA(SMP)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形，典型高度为 1.0mm。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。高频下超快恢复时间。低反向电流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 260℃。应用：用于消费和汽车应用的高温条件下，适用于交流/交流和直流/直流转换器的超快开关速度的二次整流和续流。

5+
￥2.4896
50+
￥1.9907
150+
￥1.7769

有货

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高速890nm红外发光二极管，表面发射技术

型号：VSMY2890GX01 编号：C6326595

封装：SMD

品牌：VISHAY(威世)

是基于 GaAlAs 表面发射芯片技术的红外 890 nm 发光二极管，具有极高的辐射强度、高光功率和高速特性，采用透明、无色塑料封装（带透镜），适用于表面贴装（SMD）。

1+
￥3.02
10+
￥2.94
30+
￥2.89

有货

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940nm高速红外发光二极管，表面发射技术

型号：VSMY2940RG 编号：C5452771

封装：SMD

品牌：VISHAY(威世)

作为SurfLightTM产品组合的一部分，该系列是基于GaAlAs表面发射芯片技术的940nm红外发光二极管，具有极高的辐射强度、高光学功率和高速度，采用透明、无色塑料封装（带透镜），用于表面贴装（SMD）。

1+
￥3.46
10+
￥3.37
30+
￥3.31

有货

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600V 8A

型号：NSB8JT-E3/81 编号：C145208

封装：TO-263AB

品牌：VISHAY(威世)

特性：功率封装。玻璃钝化颗粒芯片结。低正向压降。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值245°C（适用于TO-263AB封装）。浸焊最高275°C，最长10秒，符合JESD 22-B106（适用于TO-220AC和ITO-220AC封装）。应用：电源、逆变器、转换器的通用整流。续流二极管应用

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1+
￥9.89
10+
￥9.68
30+
￥9.54

有货

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高功率850nm红外发光二极管，表面发射技术

型号：VSMA1085600 编号：C7389207

封装：SMD-3P

品牌：VISHAY(威世)

是一款850 nm红外发光二极管，采用双堆叠发射芯片，可实现最高辐射功率。42 mil的芯片尺寸允许1.5 A直流运行，并支持高达5.0 A的脉冲电流。

1+
￥11.95
10+
￥11.65
30+
￥11.44

有货

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高功率红外发射二极管，940nm，表面发射技术

型号：VSMA1094600X02 编号：C20346092

封装：SMD-3P,3.4x3.4mm

品牌：VISHAY(威世)

VSMA1094600X02是一款红外940 nm发射二极管。它采用双堆叠发射芯片，可实现最高辐射功率。42密耳的芯片尺寸允许……

1+
￥15.03
10+
￥14.66
30+
￥14.41

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2个N沟道耐压:30V 电流:125A

型号：SIZF5300DT-T1-GE3 编号：C17242909

封装：PowerPAIR3x3FS

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。对称双N沟道。倒装芯片技术实现最佳热设计。高端和低端MOSFET为50%占空比形成优化组合。优化的RDS-Qg和RDS-Qg FOM提高高频开关效率。 100% Rg和UIS测试。应用：同步降压。计算机/服务器外设

单价：
￥8.466526 / 个

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停产高功率850nm红外发光二极管，表面发射技术

型号：VSMY7852X01-GS08 编号：C511614

封装：SMD,7x6mm

品牌：VISHAY(威世)

作为SurfLightTM产品系列的一部分，VSMY7852X01是一款基于表面发射技术的850 nm红外发射二极管，具有高辐射功率和高速性能，采用低热阻Little Star封装。该器件采用20密耳芯片，正向电压极低，允许最高250 mA的直流工作电流。

数据手册

1+
￥15.594 ￥22.6
10+
￥15.3042 ￥22.18
30+
￥15.1041 ￥21.89
100+
￥14.904 ￥21.6

有货

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350nm~1100nm 20V

型号：VEMD8082 编号：C30665735

封装：SMD

品牌：VISHAY(威世)

是高速高灵敏度的PIN光电二极管，对可见光具有增强的灵敏度。是一种低外形表面贴装器件（SMD），包括一个具有6.0mm²敏感面积的芯片，可检测可见光和近红外辐射。

1+
￥18.07
10+
￥15.31
30+
￥13.67

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1 Form B(SPSTNC) 负载AC,DC 负载电压350V

型号：LH1501BAB 编号：C1558828

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

LH1501 继电器是单刀单掷常闭开关（1 型 B），可在许多应用中替代机电继电器。这些继电器采用多芯片混合器件结构。其驱动控制通过红外 LED 实现

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1+
￥22.92
10+
￥22.39
30+
￥22.03

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：VO3063-X007T 编号：C144874

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

由GaAs红外LED与单片光敏过零三端双向可控硅探测器芯片光耦合而成。600 V阻断电压允许以大于2的安全系数控制高达240 VAC的离线电压，足以承受高达380 V的电压。

数据手册

1+
￥23.7
10+
￥20.41
30+
￥18.46

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1 Form B 固态继电器

型号：LH1511BAB 编号：C6890404

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

LH1511 继电器是 SPST 常闭开关（1 形式 B），可以在许多应用中替代机电继电器。这些继电器构造为多芯片混合器件。驱动控制通过红外 LED 实现。输出开关是由光电二极管阵列与 MOSFET 开关及控制电路组成的组合。这些继电器可以配置为 AC/DC 或仅 DC 操作。

1+
￥32.47
10+
￥27.79
50+
￥25

有货

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单向TVS 28V截止峰值浪涌电流：8.8A@8/20us

型号：SMAJ28A-E3/61 编号：C1973934

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低轮廓封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变

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5+
￥0.409
50+
￥0.3996
150+
￥0.3933

有货

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双向TVS 20V截止峰值浪涌电流：46.3A@10/1000us

型号：SMCJ20CA-E3/57T 编号：C1973537

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。单双向可选。出色的钳位能力。响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变

数据手册

1+
￥11.07
10+
￥9.52
30+
￥8.67
100+
￥7.71
500+
￥7.29
850+
￥7.09

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厚膜电阻 1MΩ ±0.5% 62.5mW

型号：CRCW04021M00DHEDP 编号：C4267311

封装：0402

品牌：VISHAY(威世)

生产严格受控,遵循一套为可重复性制定的广泛指令。在具有预制内部触点的高级 (Al2O3) 陶瓷基板上沉积金属陶瓷薄膜层和玻璃覆盖层。使用特殊激光平滑微调电阻层以达到目标值,而不损坏陶瓷。电阻元件由用于电气、机械和气候保护的保护涂层覆盖。终端进行最后的纯锡镀镍处理。通过对 100% 的单个芯片电阻器进行广泛的测试程序来验证确定生产的结果。只有合格的产品才会按照 IEC 60286 3 类型 1a (1) 直接放入胶带中。

5+
￥0.532
50+
￥0.4288
150+
￥0.3773
500+
￥0.3386
2500+
￥0.3077
5000+
￥0.2922

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厚膜电阻 30Ω ±1% 750mW

型号：CRCW120630R0FKEAHP 编号：C313982

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

生产严格受控,遵循一套为可重复性而制定的广泛指令。在高等级(Al2O3)陶瓷基板的两侧沉积金属陶瓷膜层和玻璃覆盖层,其两侧均有预制内触点。使用特殊激光对电阻层进行精细微调以达到目标值,且不会损坏陶瓷。电阻元件由保护性涂层覆盖,用于电气、机械和气候防护。终端进行最后的镍上纯锡电镀。通过对100%的单个芯片电阻进行广泛测试程序来验证既定生产的结果。只有合格的产品才会按照IEC 60286 3 Type 1a和Type 2a直接放入带中。

10000+
￥0.336
20000+
￥0.3304
40000+
￥0.322
80000+
￥0.308

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100kΩ 500mW

型号：NTCLE100E3104JB0 编号：C142583

封装：插件,P=2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

热敏电阻具有负温度系数。该部件由一个NTC芯片组成，焊接在两根镀锡铜丝之间。它有一个灰色的基底涂层，并采用色带编码。涂层没有特定的绝缘性能。

数据手册

1500+
￥2.218557
3000+
￥2.19857
4500+
￥2.158596

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1个N沟道耐压:30V

型号：SIR158DP-T1-GE3 编号：C142530

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：VISHAY(威世)

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET，PowerPAK SO-8 Single 封装。PowerPAK 是围绕 SO-8 封装开发的新技术，PowerPAK SO-8 与标准 SO-8 具有相同的占位面积和引脚排列，可直接替代标准 SO-8 封装。作为无引脚封装，它利用整个 SO-8 占位面积，能容纳比标准 SO-8 更大的芯片。

数据手册

10+
￥2.59335
100+
￥2.4973
200+
￥2.3052
1000+
￥2.20915
2000+
￥2.1131

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厚膜电阻 1000MΩ ±1% 500mW

型号：CRHV2010AF1G00FKE1 编号：C3933508

封装：2010

品牌：VISHAY(威世)

特性：高电压可达3000V。出色的稳定性 < 0.5%。可波峰焊接。可定制尺寸。具备自动贴片能力。提供卷带包装。端接方式:三边环绕端接或单端倒装芯片标准;可选五边环绕端接。国际标准化尺寸。适用于可焊接、环氧粘接或引线键合应用。端接材料:标准为镀锡镍阻挡层或镀锡非磁性端接;可选金、钯银、铂金、铂银或铂钯金端接。多种样式、端接材料和配置,设计灵活性高。提供环氧粘接或引线键合非磁性端接

1+
￥29.28
10+
￥25.06
30+
￥22.55
100+
￥20.01
500+
￥18.84
1000+
￥18.31

订货

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厚膜电阻 1000MΩ ±1%

型号：CRHV1206AF1G00FMFT 编号：C5441364

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：高电压可达 3000V。出色的稳定性 < 0.5%。可进行波峰焊。可提供定制尺寸。具备自动贴装能力。可提供卷带包装。端接方式:三面环绕端接或单端倒装芯片标准;可提供五面环绕端接。国际标准化尺寸。适用于可焊接、环氧键合或引线键合应用。端接材料:镀镍阻挡层或镀锡非磁性端接标准;可提供金、钯银、铂金、铂银或铂钯金端接。多种样式、端接材料和配置,设计灵活性高。可提供环氧键合或引线键合非磁性端接

1+
￥31.75
10+
￥30.96
30+
￥30.44
100+
￥29.92

订货

我要订货

厚膜电阻 10Ω ±1% 100mW

型号：RCA060310R0FKEA 编号：C4336792

封装：0603

品牌：VISHAY(威世)

生产严格受控,遵循一套广泛的指令以确保可重复性。在高级氧化铝 (Al2O3) 陶瓷基板上沉积金属陶瓷膜层和玻璃覆盖层,基板两侧有预制内部触点。使用特殊激光平滑微调电阻层以达到目标值,且不损坏陶瓷。采用特殊工艺确保电阻器在恶劣环境(含硫气氛)中长期运行。电阻元件由保护性涂层覆盖,用于电气、机械和气候防护。终端采用最终的纯锡镀镍处理。生产结果通过对单个芯片电阻器进行100%的广泛测试程序验证。只有合格产品才会按照IEC 60286 3的1a型和2a型直接放入载带。

20+
￥0.1456
200+
￥0.1142
600+
￥0.0968
5000+
￥0.0863
10000+
￥0.0772
20000+
￥0.0723

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贴片式静电防护整流器

型号：MSE1PG-M3/89A 编号：C3008967

封装：DO-219AD

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形-典型高度为 0.65 mm。适合自动贴装。氧化物平面芯片结。低正向压降，低漏电流。具备 ESD 能力。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 260℃。应用：消费和汽车应用中的通用、极性保护和轨到轨保护

数据手册

1319+
￥0.319396
2638+
￥0.308924
5276+
￥0.303688
10552+
￥0.28798

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厚膜电阻 200MΩ ±5% 100mW

型号：CRCW0603200MJPEAHR 编号：C843929

封装：0603

品牌：VISHAY(威世)

生产严格受控,遵循为可重复性制定的一系列广泛的指令。在具有预制内部触点的高级氧化铝(Al2O3)陶瓷基板上沉积金属陶瓷薄膜层和玻璃覆盖层。使用特殊激光平滑微调电阻层以达到目标值,而不损坏陶瓷。电阻元件由保护性涂层覆盖,用于电气、机械和气候防护。终端进行最后的纯锡镀镍处理。通过对100%的单个芯片电阻器进行广泛的测试程序来验证确定生产的结果。只有合格的产品才会按照IEC 60286 3 Type 1a (1)直接放入卷带中。

20000+
￥0.288
40000+
￥0.2832
80000+
￥0.276
160000+
￥0.264

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耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：20ns

型号：ES2DHE3_A/I 编号：C467537

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化颗粒芯片结。适合自动贴装。超快恢复时间，效率高。低正向电压，低功率损耗。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.33
30+
￥2.05
100+
￥1.7
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

订货

我要订货

厚膜电阻 1MΩ ±1% 300mW

型号：CRMA1206AF1M00FKEF 编号：C2093472

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：AEC-Q200 合格。电压高达 3000 V。具备自动贴片能力。端接方式:提供三面环绕端接或单面端接倒装芯片。提供卷带包装。国际标准尺寸,可定制尺寸。端接材料:标准为镀锡镍阻挡层或镀锡非磁性端接

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥2.63
30+
￥2.3
100+
￥1.97
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

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