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首页 > 热门关键词 > 安森美dcdc芯片
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电压检测器系列
型号：NCV301LSN28T1G 编号：C892920
封装：TSOP-5-1.5mm
品牌：onsemi(安森美)
是第二代超低电流电压探测器，专为基于便携式微处理器的系统中的复位控制器而设计，在这些系统中，延长电池寿命至关重要。每个系列都有一个带迟滞的高精度欠压检测器，可防止在比较器阈值被跨越时系统复位操作不稳定。有互补输出或N沟道开漏输出，复位输出有低电平有效或高电平有效两种选择。采用Thin TSOP-5封装，有标准欠压阈值，也可制造0.9V至4.9V、以100mV为步长的额外阈值。
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    高性能硅栅CMOS模拟多路复用器/解复用器
    型号：MC74HC4051ADWR2G 编号：C233465
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：onsemi(安森美)
    高性能硅门极 CMOS MC74HC4051A、MC74HC4052A 和 MC74HC4053A 使用硅门极 CMOS 技术，可实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。这些模拟多路复用器/信号分离器控制在完整电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。HC4051A、HC4052A 和 HC4053A 的引脚输出与金属门极 MC14051AB、MC14052AB 和 MC14053AB 完全相同。沟道选择输入通过模拟开关决定将哪个模拟输入/输出连接公共输出/输入。启用引脚为高电平时，所有模拟开关关闭。沟道选择和启用输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。这些器件设计比金属门极 CMOS 模拟开关的导通电阻 (RON) 基于输入电压的线性也更强。有关带有抑制电流保护的多路复用器/信号分离器，参见 HC4851A 和 HC4852A。
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    低压同步降压控制器
    型号：NCP1589AMNTWG 编号：C463125
    封装：DFN-10(3x3)
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP1589A 或 NCP1589B 是一款低成本 PWM 控制器，运行电压为 5V 到 12V。此器件能够产生低至 0.8V 的输出电压。此器件能够从低至 2.5V 的电压进行转换。此 10 引脚器件提供了最佳集成水平，减小了电源尺寸，降低了成本。
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    高速双MOSFET驱动器
    型号：MC33151VDR2G 编号：C603251
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。
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    1.0 A 可调输出电压降压开关稳压器
    型号：LM2575D2T-3.3R4G 编号：C70337
    封装：D2PAK-5
    品牌：onsemi(安森美)
    LM2575系列稳压器是单片集成电路，非常适合轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能够驱动1.0 A的负载，且具有出色的线性和负载调节能力。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本
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    大电流IGBT栅极驱动器
    型号：NCD5703ADR2G 编号：C904336
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCx5703y 是用于高功率应用的大电流、高性能独立 IGBT 驱动器，这些应用包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过省去外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源漏极开路故障输出
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    可编程USB Type-C控制器带PD功能
    型号：FUSB302TVMPX 编号：C891313
    封装：WQFN-14(2.5x2.5)
    品牌：onsemi(安森美)
    FUSB302T 针对力求实现 USB Type-C 壁式充电器或旅行充电器的系统设计人员而设计。 除了默认的 SRC 功能，该器件还支持通过少量编程实现 DRP/SRC/SNK。
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    NCP3064系列高效DC-DC转换器
    型号：NCP3064DR2G 编号：C464242
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP3064系列是更高频率的MC33063A和MC34063A单片DC-DC转换器升级版。这些器件包含内部温度补偿参考、比较器、受控占空比振荡器、带主动电流限制电路的驱动器和高电流输出开关。该系列专为最小外部组件数量的降压、升压和反相应用设计。
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    Programmable USB Type-C and Power Delivery 3.1 Source Controller with PPS Support
    型号：FUSB15101MNTWG 编号：C5209317
    封装：QFN-20(4x4)
    品牌：onsemi(安森美)
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    3 MHz同步升压调节器
    型号：FAN4860UC5X 编号：C890707
    封装：WLCSP-6(0.9x1.2)
    品牌：onsemi(安森美)
    FAN4860是一款低功耗升压调节器,设计用于从单节锂离子电池提供3.3V、5.0V或5.4V的稳定输出。该调节器具有同步整流功能,最大负载电流可达300mA,输入电压范围为2.3V至5.4V,静态电流低至37μA,效率高达92%。

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    带充电 FET 的高端栅极驱动器
    型号：FAN7085MX-GF085 编号：C903541
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    FAN7085_GF085 是一款带复位输入和内置充电器 FET 的高端栅极驱动 IC。它设计用于为工作电压高达300V的MOSFET或IGBT提供高压、高速驱动。
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    并联 80ppm/℃
    型号：LM385BD-1.2R2G 编号：C7952
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LM285/LM385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差。较大的动态工作范围使这些器件能在电源变化范围大的应用中实现出色的稳压效果。极低的工作电流使这些器件非常适合用于微功耗电路，如便携式仪器、稳压器和其他需要延长电池寿命的模拟电路。 LM285/LM385系列采用低成本TO - 226塑料封装，有1.235 V和2.500 V两种电压版本，由器件后缀表示。LM285的工作温度范围为 - 40°C至 + 85°C，而LM385的额定温度范围为0°C至 + 70°C。 LM385也有1.235 V和2.500 V电压的表面贴装塑料封装。
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    固定频率脉宽调制控制电路
    型号：NCV494BDR2G 编号：C603951
    封装：SOIC-16
    品牌：onsemi(安森美)
    TL494是一款固定频率脉宽调制控制电路,设计主要用于开关电源控制。它包括完整的脉宽调制控制电路、片上振荡器、片上误差放大器、5.0V参考电压、可调死区时间控制、推挽或单端操作输出控制、欠压锁定等功能。
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    高效降压型开关稳压器
    型号：LM2595DSADJR4G 编号：C898715
    封装：D2PAK-5
    品牌：onsemi(安森美)
    LM2595是一款单片集成电路,适用于设计高效的降压型开关稳压器。它可以驱动1.0 A负载,具有良好的线性和负载调节性能。该设备具有可调输出版本,并且内部补偿以减少外部组件数量,简化电源设计。

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    NCV51511PDR2G
    型号：NCV51511PDR2G 编号：C603956
    封装：VFQFN-24
    品牌：onsemi(安森美)
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    高电流IGBT/MoSFET栅极驱动器
    型号：NCV5707BDR2G 编号：C5206746
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过消除外部输出缓冲器提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽范围的偏置电源电压。NCx5707B 支持双极电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位 (NCx5707A) 和独立的高低 (VOH 和 VOL) 驱动器输出，方便系统设计 (NCx5707C)。
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    高压，高端和低端驱动器
    型号：NCP5304DR2G 编号：C464048
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP5304 是一款高压功率门极驱动器驱动器，提供两种输出，用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 个独立输入，带交叉导通保护。
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    可调输出电压降压开关稳压器
    型号：LM2574N-ADJG 编号：C236268
    封装：DIP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LM2574NADJG是一款单片集成电路,适用于设计简单的降压开关稳压器。该系列器件能够驱动0.5A负载,具有良好的线路和负载调节性能。LM2574NADJG支持固定的输出电压版本（3.3V, 5.0V, 12V, 15V）和可调输出电压版本。该器件具有±4%的输出电压精度,宽输入电压范围（4.75V至40V）,并且只需要4个外部组件。内置52kHz固定频率振荡器,低功耗待机模式,以及过温保护和过流保护功能。
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    高电流IGBT栅极驱动器
    型号：NCV5703ADR2G 编号：C603971
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    是用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器。该器件通过消除外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源，包括单极性和双极性电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位、用于系统设计方便的单独高低 VOH 和 VOL 驱动器输出，以及用于通过外部信号控制驱动器输出的使能功能。
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    NCD5701BDR2G
    型号：NCD5701BDR2G 编号：C603416
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCD5701 系列是一组高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括电感加热、焊接、太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的中到大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个成本高效的方案。 器件保护特性有有源米勒箝位（对于 NCD5701A）、准确的 UVLO、 DESAT 保护和有效低电平故障输出。这些驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅对于 NCD5701C），方便系统设计。此类驱动器可采用较宽的单极偏置电源电压范围（对于 NCD5701B 则为双极偏置电源）。所有版本均采用 8 引脚 SOIC 封装。
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    3.3 V USB 3.1 Gen-2 10 Gbps 双通道/单端口线性重驱动器
    型号：NB7NPQ1102MMTTWG 编号：C891911
    封装：WQFN-30(2.5x4.5)
    品牌：onsemi(安森美)
    高性能单端口线性重驱动器，设计用于USB 3.1 Gen 1和USB 3.1 Gen 2应用，支持5 Gbps和10 Gbps数据速率。通过在输入接收器处启用不同级别的均衡来补偿信号完整性损失，并在输出发射器上进行平坦增益放大。
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    NCP303160MNTWG
    型号：NCP303160MNTWG 编号：C3655280
    封装：PQFN-39(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
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    16位I2C总线/ SMBus I/O扩展器带中断功能
    型号：PCA9535EDTR2G 编号：C604661
    封装：TSSOP-24
    品牌：onsemi(安森美)
    PCA9535E和PCA9535EC设备通过I2C-bus/SMBus提供16位通用并行输入/输出(GPIO)扩展。每个I/O可以配置为输入或输出。
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    高速双路4A低侧栅极驱动器
    型号：FAN3224TUM1X-F085 编号：C903490
    封装：SOIC-8-EP
    品牌：onsemi(安森美)
    FAN3223-25 系列双 4 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。 FAN3224TUM1X-F085 和 FAN3224TM1X-F085采用带裸露焊盘的 SO8 封装，以改善散热，适用于 EV/HEV 上板上充电器等快速开关应用。
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    双通道 CAN FD 收发器
    型号：NCV7446MW0R2G 编号：C895777
    封装：VDFN-14-EP(3x4.5)
    品牌：onsemi(安森美)
    NCV7446 是一个双通道 CAN FD 物理层收发器，允许与两个独立的 CAN 物理总线和两个独立的 CAN 协议控制器进行接口。
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    3.3V LVDS 4位高速差分驱动器
    型号：FIN1031MX 编号：C903671
    封装：SOIC-16
    品牌：onsemi(安森美)
    该四路驱动器设计用于利用低电压差分信号 (LVDS) 技术实现高速互连。驱动器将 LVTTL 信号电平转换为 LVDS 电平，具有典型的 350mV 差分输出摆幅。
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    1.0 A 可调输出电压降压开关稳压器
    型号：LM2575T-ADJG 编号：C70344
    封装：TO-220-5
    品牌：onsemi(安森美)
    LM2575系列稳压器是单片集成电路，非常适合轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能够驱动1.0 A的负载，且具有出色的线性和负载调节能力。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本
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    NCV5703BDR2G
    型号：NCV5703BDR2G 编号：C904650
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。 该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。
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    FAN7171MX-F085
    型号：FAN7171MX-F085 编号：C903542
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    FAN7171_F085 是单片高端栅极驱动 IC，可以驱动工作电压最高达 +600 V 的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，且所有NMOS晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。
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    NCP51561: 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
    型号：NCP51561BADWR2G 编号：C5206738
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟
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