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模拟多路复用器/解复用器

型号：MC74LVXT4052DTRG 编号：C904156

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74LVXT4052 使用硅门极 CMOS 技术来实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。此模拟多路复用器/信号分离器控制在完整电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。LVXT4052 与高速 HC4052A 和金属门极 MC14052B 的引脚输出相似。沟道选择输入通过模拟开关决定将哪个模拟输入/输出连接到公用输出/输入。启用引脚为高电平时，所有模拟开关都关闭。沟道选择和启用输入与标准 TTL 电平兼容。与金属门极 CMOS 和高速 CMOS 模拟开关的导通电阻相比，该器件的导通电阻 (RON) 线性更强。

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￥7.43
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微功耗欠压检测电路

型号：MC33164D-5R2G 编号：C903941

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34164系列是欠压检测电路，专为在需要延长电池使用寿命的基于便携式微处理器的系统中用作复位控制器而设计。这些器件为设计人员提供了一种经济的解决方案，可通过单个外部电阻实现低电压检测。MC34164系列具有带隙基准、具有精确阈值和内置迟滞功能的比较器（用于防止复位操作不稳定）以及一个集电极开路复位输出，其灌电流能力超过6

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￥6.39
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2A低电压PMos-NMos桥驱动器

型号：FAN3268TMX 编号：C464150

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3268 双 2A 门极驱动器适用于在以最高 18 V 的电压轨运行的电机控制应用中驱动高压侧 P 沟道 MOSFET 和低压侧 N 沟道 MOSFET。该驱动器具有 TTL 输入阈值，提供从逻辑输入的缓冲和电平转换功能。内部电路提供欠电压锁闭功能，可在 VDD 电源电压低于运行水平时阻止输出开关设备运行。内部 100kΩ 电阻会将非反向输出低电平和反向输出偏置到 VDD，以便在启动间隔期间，逻辑控制信号不存在时保持外部 MOSFET 的关断状态。FAN3268 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3268 具有两个独立的启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。如果用于非反向沟道 A 的启用引脚拉低，OUTA 则强制为低电平；如果用于反向沟道 B 的启用引脚拉低，OUTB 则强制为高电平。如果一个输入保持未联接，内部电阻则会偏置多个输入，以便外部 MOSFET 为关断状态。

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￥7.48
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降压型 3A 2.5V~5.5V

型号：FAN53526UC224X 编号：C2902207

封装：WLCSP-15(1.3x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN53526 是一款数字可编程降压开关电压调节器,输入电压范围为 2.5 V 至 5.5 V,输出电压可通过 I2C 接口编程,最高支持 3.4MHz。该调节器采用同步整流技术,可在轻载条件下保持高效率,最大输出电流为 3.0 A,开关频率为 2.4MHz。

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NS5S1153 USB 2.0 高速和音频开关，具有负摆幅能力

型号：NS5S1153MUTAG 编号：C179608

封装：UQFN-10(1.4x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

NS5S1153 是一个用于结合真地音频和 USB 2.0 高速数据应用的 DPDT 开关。它允许便携式系统使用单个端口通过外部耳机传递 USB 数据或音频信号。

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￥6.66
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低功耗单端口高速USB 2.0 (480Mbps) 开关

型号：FSUSB31K8X 编号：C184088

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

FSUSB31是一款低功耗、单端口、高速USB 2.0开关。该器件配置为双极单掷开关，适用于切换或隔离高速（480Mbps）或全速（12Mbps）源。

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￥8.17
10+
￥6.79
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升压型 3.2V~40V

型号：NCV887104D1R2G 编号：C604106

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8871 是一款可调节输出非同步升压控制器，驱动外部 N 沟道 MOSFET。该器件使用峰值电流模式控制，带有内部斜率补偿。该集成电路结合了为门极驱动器提供电荷的内部稳压器。保护功能包括内部设置软启动、欠压锁定、按周期电流限制、间歇模式短路保护和高温关断。其他功能包括低静止电流睡眠模式和外部可同步开关频率。

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FUSB3307D6MNWTWG

型号：FUSB3307D6MNWTWG 编号：C2902208

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

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四通道2-通道模拟多路复用器/解复用器

型号：MC14551BDG 编号：C233584

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14551B是一款数字控制的模拟开关。该设备实现了一个4PDT固态开关，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。可以控制高达整个电源电压范围内的模拟信号。

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￥8.36
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￥8.17
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升压型 1.5A 3V~40V

型号：NCP3064BMNTXG 编号：C894982

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP3064是一款单片式功率开关稳压器，专为直流到直流转换器应用而优化。其特性组合使系统设计人员能够使用最少数量的外部元件直接实现升压、降压和电压反相转换器。潜在应用包括对成本敏感的消费产品以及工业市场设备

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高速低功耗CAN收发器

型号：NCV7349D10R2G 编号：C893046

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7349 CAN 收发器是控制器区域网络 (CAN) 协议控制器和物理总线之间的接口。该收发器为总线提供差分发射功能，向 CAN 控制器提供差分接收功能。NCV7349 是 CAN 高速收发器系列的新增产品，是 NCV734x CAN 系列和 AMIS42665、AMIS3066x 等前代 CAN 收发器产品的补充。由于接收器输入较宽的共模电压范围和其他设计功能，NCV7349 能够达到出色的电磁灵敏度 (EMS)。与之相似，通过输出信号的卓越匹配，可以实现极低的电磁辐射 (EME)。

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具备浪涌电流管理功能的自保护型低端驱动器

型号：NCV8412ASTT1G 编号：C2902281

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

NCV8412是一款三端保护型低边智能分立FET。其保护功能包括Δ热关断、过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件还可通过栅极引脚提供故障指示

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升压型 2V~40V

型号：NCV887711D1R2G 编号：C5209144

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8877是一款非同步升压控制器，旨在车辆启停操作期间电池电压下降时提供最低输出电压。该控制器驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制。IC集成了一个内部稳压器，为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括逐周期电流限制和热关断。其他特性包括低静态电流睡眠模式操作。当电源电压降至唤醒阈值以下时，NCV8877启用。当电源电压降至调节设定点以下时，启动升压操作。

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系统基础芯片，带CAN FD、LDO稳压器和唤醒比较器

型号：NCV7451MW0R2G 编号：C2902228

封装：VDFN-14-EP(3x4.5)

品牌：onsemi(安森美)

该系统基础芯片集成了+5V/250 mA LDO稳压器、高速CAN FD收发器和本地唤醒比较器。

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高性能硅栅CMOS模拟多路复用器/解复用器

型号：MC74HC4052ADWR2G 编号：C463538

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC4052A是双极四位置加公共端关闭的模拟多路复用器/解复用器，具有快速切换和传播速度、低串扰等特点。

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￥9.43
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升压型 1A 2.7V~4.5V

型号：FAN48619UC50X 编号：C890719

封装：BGA-9

品牌：onsemi(安森美)

FAN48619是一款低功耗PWM升压调节器,设计用于从标准单节锂离子电池和高级电池化学物质提供最小电压调节轨。即使系统电池电压低于最低值,该器件仍能维持1000mA负载电流的输出电压调节。内置功率晶体管、同步整流和低供电电流使其适用于电池供电应用。

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￥9.57
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NCD57201DR2G

型号：NCD57201DR2G 编号：C2902040

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

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高性能硅栅CMOS模拟多路复用器/解复用器

型号：MC74HC4051ADWR2G 编号：C233465

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HC4051A、MC74HC4052A 和 MC74HC4053A 使用硅门极 CMOS 技术，可实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。这些模拟多路复用器/信号分离器控制在完整电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。HC4051A、HC4052A 和 HC4053A 的引脚输出与金属门极 MC14051AB、MC14052AB 和 MC14053AB 完全相同。沟道选择输入通过模拟开关决定将哪个模拟输入/输出连接公共输出/输入。启用引脚为高电平时，所有模拟开关关闭。沟道选择和启用输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。这些器件设计比金属门极 CMOS 模拟开关的导通电阻 (RON) 基于输入电压的线性也更强。有关带有抑制电流保护的多路复用器/信号分离器，参见 HC4851A 和 HC4852A。

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降压型 4.5V~13.2V 停产

型号：NCP1589AMNTWG 编号：C463125

封装：DFN-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP1589A 或 NCP1589B 是一款低成本 PWM 控制器，运行电压为 5V 到 12V。此器件能够产生低至 0.8V 的输出电压。此器件能够从低至 2.5V 的电压进行转换。此 10 引脚器件提供了最佳集成水平，减小了电源尺寸，降低了成本。

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降压型 1A 4.75V~40V

型号：LM2575D2T-3.3R4G 编号：C70337

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2575系列稳压器是单片集成电路，非常适合轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能够驱动1.0 A的负载，且具有出色的线性和负载调节能力。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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低静态电流可编程延迟时间监控电路

型号：NCP308MT180TBG 编号：C556437

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

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大电流IGBT栅极驱动器

型号：NCD5703ADR2G 编号：C904336

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx5703y 是用于高功率应用的大电流、高性能独立 IGBT 驱动器，这些应用包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过省去外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源漏极开路故障输出

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10+
￥10.17
30+
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带电流检测功能的紧凑型隔离式 IGBT 栅极驱动器

型号：NCD57085DR2G 编号：C2902212

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx57085是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器，具有2.5 kVrms内部电流隔离，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断和故障报告功能的电流检测功能。NCx57085可适应3.3 V至20 V的宽范围输入偏置电压和信号电平，以及高达30 V的宽范围输出偏置电压。

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￥10.53
10+
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可编程USB Type-C控制器带PD功能

型号：FUSB302TVMPX 编号：C891313

封装：WQFN-14(2.5x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB302T 针对力求实现 USB Type-C 壁式充电器或旅行充电器的系统设计人员而设计。除了默认的 SRC 功能，该器件还支持通过少量编程实现 DRP/SRC/SNK。

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￥10.84
10+
￥9.14
30+
￥8.08

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降压型 1A 4.75V~40V

型号：LM2575D2T-ADJR4G 编号：C70341

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

是一款单片集成电路，非常适合用于简单方便地设计降压开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能够驱动 1.0 A 的负载，并具有出色的线路和负载调节能力。这些器件有 3.3 V、5.0 V、12 V、15 V 的固定输出电压版本以及可调输出版本。该稳压器的设计旨在减少外部组件的数量，以简化电源设计

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双2A高速低侧栅极驱动器

型号：FAN3227TMX-F085 编号：C903500

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

“FAN3226-29 系列双通道 2 A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低端开关应用中的 N 沟道增强 MOSFET。驱动器可提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。此外，此类驱动器在 A 和 B 通道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双栅极驱动应用，如同步整流器。这样可并联两个驱动器，从而有效地使驱动单个 MOSFET 的电流能力增加一倍。

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￥11.53
10+
￥11.26
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升压型 300mA 2.3V~5.4V

型号：FAN4860UC5X 编号：C890707

封装：WLCSP-6(0.9x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN4860是一款低功耗升压调节器,设计用于从单节锂离子电池提供3.3V、5.0V或5.4V的稳定输出。该调节器具有同步整流功能,最大负载电流可达300mA,输入电压范围为2.3V至5.4V,静态电流低至37μA,效率高达92%。

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￥11.6
10+
￥9.81
30+
￥8.69

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带充电 FET 的高端栅极驱动器

型号：FAN7085MX-GF085 编号：C903541

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7085_GF085 是一款带复位输入和内置充电器 FET 的高端栅极驱动 IC。它设计用于为工作电压高达300V的MOSFET或IGBT提供高压、高速驱动。

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10+
￥11.51
30+
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并联 80ppm/℃

型号：LM385BD-1.2R2G 编号：C7952

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM285/LM385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差。较大的动态工作范围使这些器件能在电源变化范围大的应用中实现出色的稳压效果。极低的工作电流使这些器件非常适合用于微功耗电路，如便携式仪器、稳压器和其他需要延长电池寿命的模拟电路。 LM285/LM385系列采用低成本TO - 226塑料封装，有1.235 V和2.500 V两种电压版本，由器件后缀表示。LM285的工作温度范围为 - 40°C至 + 85°C，而LM385的额定温度范围为0°C至 + 70°C。 LM385也有1.235 V和2.500 V电压的表面贴装塑料封装。

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￥12.06
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￥10.26
30+
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1.2A 无刷直流BLDC电机驱动芯片 18V

型号：LB11685AV-TLM-H 编号：C462779

封装：SSOP-24-275mil

品牌：onsemi(安森美)

LB11685AV是一款三相全波电流线性驱动电机驱动IC。它采用无传感器控制系统，无需使用霍尔效应器件。为实现更安静的运行，LB11685AV具备电流软开关电路，非常适合驱动冰箱等设备中的冷却风扇电机。

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