安森美dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCV431AIDMR2G 编号：C184595

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

电压参考，可编程精度，分路稳压器

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型号：MC74HC4051ADG 编号：C233534

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

该系列模拟多路复用器/解复用器利用硅栅CMOS技术实现了快速传播延迟、低导通电阻和低关断泄漏电流。这些设备适用于控制在完整电源范围内的模拟电压。

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型号：FAN3216TMX 编号：C903479

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3216 和 FAN3217 双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。它们均提供 TTL 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。FAN3216/17 驱动器结合了用于最终输出级的 MillerDriveH 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。FAN3216 提供了两个反相驱动器，FAN3217 提供两个非反相驱动器。两者均采用标准 8 引脚 SOIC 封装。

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型号：NCN1188MUTAG 编号：C891970

封装：UQFN-12(1.7x2)

品牌：onsemi(安森美)

允许便携系统通过单个USB 2.0或3.0插座传输和接收来自三个不同位置的配对信号。所有三个差分通道都符合高速USB 2.0、全速USB 1.1、低速USB 1.0和任何通用UART协议。

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型号：MC74LVX4066DTR2G 编号：C233548

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74LVX4066 是一款高速硅栅CMOS模拟开关/多路复用器/解复用器，具有低导通电阻和低关断泄漏电流。

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型号：NCV51513ABMNTWG 编号：C5209111

封装：DFNW-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV51513是一款130 V半桥驱动器，具有高驱动电流能力，适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟，静态电流低，且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制

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型号：NCV7343D20R2G 编号：C2902154

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7343 是一种 CAN FD 收发器，支持高达 5 Mbit/s 的数据速率。它具有低功耗模式和通过 CAN 总线唤醒的功能。

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型号：MC74VHC4053DTR2G 编号：C464022

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC4053 是一种高性能硅栅 CMOS 模拟多路复用器/多路信号分离器，具有快速传播延迟、低导通电阻和低关断泄漏电流。它可以控制从 Vcc 到 VEE 的完整电源范围内的模拟电压。

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型号：NCP1239PD65R2G 编号：C603522

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1239 是一款固定频率电流模式控制器，具有动态自供电功能。此功能可激活内部启动电流源使其在启动期间、瞬变、锁存、待机等期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 Vcc 电容器的设计。该控制器供电范围高达 35 V，具有带抖动的 65 kHz 或 100 kHz 开关电路，在峰值电流模式控制下运行。当辅助侧功率开始降低时，该控制器将其开关频率自动折回至最低 26 kHz 的水平。当功率进一步下降时，该零部件进入跳过周期，同时对峰值电流进行限制，确保轻型负载条件下的卓越能效。它具有基于计时器的故障检测可确保过载检测，还具有可调节补偿，有助于保持最大功率，而无论输入电压如何。

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型号：NCV7357MW0R2G 编号：C893050

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7357 是一个高速 CAN FD 收发器，符合 ISO 11898-2:2016 标准，支持高达 5 Mbps 的数据速率。

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型号：NCV431AIDR2G 编号：C463603

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

TL431、A、B 集成电路为三端子可编程分路稳压器二极管。此类单片集成电路电压参考作为低温度系数齐纳运行，配合两个外部电阻可从 Vref 至 36 V 进行编程。此类器件具有 1.0 mA 至 100 mA 的宽运行电流范围，典型动态阻抗为 0.22 W。此类参考的特性使其成为很多应用中齐纳二极管的绝佳替代器件，如数字电压计、电源和运算放大器电路。2.5 V 参考使其能够从 5.0 V 逻辑电源方便地获取稳定参考，因为 TL431、A、B 作为分路稳压器运行，所以既可用作正电压参考也可用作负电压参考。

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型号：NCD57201DR2G 编号：C2902040

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP51105ASNT1G 编号：C39611918

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

是一款高电流低端栅极驱动器，用于驱动功率MOSFET和IGBT。逻辑输入与CMOS和TTL输出兼容。具有OCP引脚，可通过检测开关电流检测电阻两端的负电压来提供过流保护；还有EN引脚，能够向外部控制器（如MCU）报告故障状态。EN引脚在正常工作时必须上拉至高于阈值的电压，在所有故障条件下将被下拉以禁用输出。内部VDD电路提供欠压锁定功能，将输出保持为低电平，直到电源电压恢复到工作范围内，故障恢复时间可通过连接到EN引脚的电阻和电容的时间常数进行编程。

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型号：NCV6323FELMTW10TBG 编号：C3190149

封装：WDFNW-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCV6323F 是一款同步降压转换器，针对 2.8 V 至 5.5 V 范围内的预调节器电源轨为不同子系统供电进行了优化。该器件能够在固定输出电压下提供高达 1.6 A 的直流电流（环境温度 85°C）。3 MHz 的开关频率工作模式允许使用小尺寸的电感器和电容器

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型号：MC74LVXT4066DTRG 编号：C233635

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅栅CMOS四通道模拟开关/多路复用器/解复用器，适用于高速和低功耗应用。

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型号：NCP4318ALKDR2G 编号：C3688681

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP4318是一款适用于LLC谐振转换器的先进同步整流(SR)控制器，具有最少的外部组件。它有两个栅极驱动器用于驱动SR MOSFETs以整流二次变压器绕组的输出。这两个栅极驱动器有自己的漏极和源极感应引脚，并且独立运行。先进的自适应死区时间控制补偿寄生电感上的电压，以最小化体二极管导通并最大化系统效率。先进的关断控制算法允许在整个负载范围内稳定SR操作。NCP4318有两种引脚分配版本——NCP4318A和NCP4318B，以及两种封装类型——SOIC−8和SOIC−8 EP。

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型号：FAN53526UC224X 编号：C2902207

封装：WLCSP-15(1.3x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN53526 是一款数字可编程降压开关电压调节器,输入电压范围为 2.5 V 至 5.5 V,输出电压可通过 I2C 接口编程,最高支持 3.4MHz。该调节器采用同步整流技术,可在轻载条件下保持高效率,最大输出电流为 3.0 A,开关频率为 2.4MHz。

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型号：NCN8024DWR2G 编号：C899929

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCN8024 是一款单智能卡接口。它专用于 3.0 V / 5.0 V 智能卡读/写应用。该器件完全符合 ISO7816-3 和 EMV 标准，以及 NDS 等机顶盒 (STB) 条件访问的规定标准要求。可根据要求提供详细说明如何使用和实施 NCN8024 的应用注释 - 参考 AND8452。

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型号：NS5S1153MUTAG 编号：C179608

封装：UQFN-10(1.4x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

NS5S1153 是一个用于结合真地音频和 USB 2.0 高速数据应用的 DPDT 开关。它允许便携式系统使用单个端口通过外部耳机传递 USB 数据或音频信号。

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型号：FSUSB31K8X 编号：C184088

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

FSUSB31是一款低功耗、单端口、高速USB 2.0开关。该器件配置为双极单掷开关，适用于切换或隔离高速（480Mbps）或全速（12Mbps）源。

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型号：MC14551BDG 编号：C233584

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14551B是一款数字控制的模拟开关。该设备实现了一个4PDT固态开关，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。可以控制高达整个电源电压范围内的模拟信号。

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型号：MC33152PG 编号：C603252

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：FAN1101A-F085 编号：C903465

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP3064BMNTXG 编号：C894982

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP3064是一款单片式功率开关稳压器，专为直流到直流转换器应用而优化。其特性组合使系统设计人员能够使用最少数量的外部元件直接实现升压、降压和电压反相转换器。潜在应用包括对成本敏感的消费产品以及工业市场设备

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￥8.53
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￥8.32
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￥8.18

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型号：NCV7349D10R2G 编号：C893046

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7349 CAN 收发器是控制器区域网络 (CAN) 协议控制器和物理总线之间的接口。该收发器为总线提供差分发射功能，向 CAN 控制器提供差分接收功能。NCV7349 是 CAN 高速收发器系列的新增产品，是 NCV734x CAN 系列和 AMIS42665、AMIS3066x 等前代 CAN 收发器产品的补充。由于接收器输入较宽的共模电压范围和其他设计功能，NCV7349 能够达到出色的电磁灵敏度 (EMS)。与之相似，通过输出信号的卓越匹配，可以实现极低的电磁辐射 (EME)。

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￥8.66
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￥8.52

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型号：NCV8412ASTT1G 编号：C2902281

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

NCV8412是一款三端保护型低边智能分立FET。其保护功能包括Δ热关断、过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件还可通过栅极引脚提供故障指示

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1+
￥8.96
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￥7.35
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￥6.47

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型号：NCV7451MW0R2G 编号：C2902228

封装：VDFN-14-EP(3x4.5)

品牌：onsemi(安森美)

该系统基础芯片集成了+5V/250 mA LDO稳压器、高速CAN FD收发器和本地唤醒比较器。

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￥9.13
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型号：FAN3225TMX 编号：C603199

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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￥4.83
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型号：FAN48619UC50X 编号：C890719

封装：BGA-9

品牌：onsemi(安森美)

FAN48619是一款低功耗PWM升压调节器,设计用于从标准单节锂离子电池和高级电池化学物质提供最小电压调节轨。即使系统电池电压低于最低值,该器件仍能维持1000mA负载电流的输出电压调节。内置功率晶体管、同步整流和低供电电流使其适用于电池供电应用。

1+
￥9.57
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￥7.95
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￥7.06

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型号：FL73282MX 编号：C903681

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。

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