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低电压、双刀双掷（0.8Ω）、带16kV ESD的模拟开关

型号：FSA2258L10X 编号：C457761

封装：DFN-10(1.6x2.1)

品牌：onsemi(安森美)

FSA2258 是一款高性能双单刀双掷（SPDT）模拟开关，在 3.0V VCC 电压下典型导通电阻（RON）低至 0.8Ω。FSA2258 的 VCC 工作电压范围为 1.65V 至 4.3V，设计用于先断后通操作。选择输入与 TTL 电平兼容

1+
￥4.93
10+
￥4.82
30+
￥4.75

有货

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2.5V~36V 并联 50ppm/℃

型号：LM431SAIMFX 编号：C891360

封装：SOT-23F-3

品牌：onsemi(安森美)

2% 容差分路稳压器

数据手册

1+
￥5
10+
￥4.12
30+
￥3.69

有货

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3.3V LVDS 2-Bit 高速差分接收器

型号：FIN1028MX 编号：C457688

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该双接收器设计用于高速互连，利用低电压差分信号 (LVDS) 技术。接收器将 LVDS 电平转换为 LVTTL 信号电平。LVDS 提供了在高频下的低 EMI 和超低功耗。

数据手册

1+
￥5.12
10+
￥5.01
30+
￥4.93

有货

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高速USB多路复用器和集线器路由开关

型号：FSUSB73UMX 编号：C895431

封装：UMLP-16(1.8x2.6x0.55)

品牌：onsemi(安森美)

FSUSB73 是一个双向、低功耗、高速 USB 2.0 3:1 多路复用器加一个隔离开关。它优化了三个高速 (480Mbps) 或全速/低速 USB/UART 源切换到一个 USB 2.0 连接器。

数据手册

1+
￥5.28
10+
￥5.15
30+
￥5.07

有货

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微功率电压基准二极管

型号：LM385Z-2.5G 编号：C513141

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

LM285/LM385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差。较大的动态工作范围使这些器件能够在电源变化范围较大的应用中实现出色的稳压效果。极低的工作电流使这些器件非常适合用于微功耗电路，如便携式仪器、稳压器和其他需要延长电池寿命的模拟电路。 LM285/LM385系列采用低成本TO - 226塑料封装，有1.235 V和2.500 V两种电压版本，由器件后缀表示。LM285的工作温度范围为 - 40°C至 + 85°C，而LM385的额定温度范围为0°C至 + 70°C。 LM385也有1.235 V和2.500 V电压的表面贴装塑料封装版本。

数据手册

1+
￥5.44
10+
￥4.44
30+
￥3.94

有货

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2.5V~36V 并联 50ppm/℃

型号：LM431ACZX 编号：C480716

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

LM431A/LM431B/LM431C是三端输出可调稳压器，在整个工作温度范围内具有热稳定性。通过两个外部电阻，输出电压可设置为VREF（约2.5 V）至36 V之间的任意值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.2 Ω。有源输出电路具有快速开启特性，使其在许多应用中可出色替代齐纳二极管。

数据手册

1+
￥5.45
10+
￥4.41
30+
￥3.88

有货

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并联 13uA 80ppm/℃

型号：LM385BD-2.5G 编号：C897692

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

微功率电压参考二极管

数据手册

1+
￥5.53
10+
￥4.51
30+
￥4

有货

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电池充电前端保护，兼容USB和AC/DC电源

型号：NCP367DPMUECTBG 编号：C892446

封装：DFN-8-EP(2x2.2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP367是一款充电路径保护器件，当检测到错误的充电条件时，可将系统与输出引脚断开。该系统具备正向过压保护功能，最高可承受+30 V电压。由于电流消耗极低，USB充电与该集成元件兼容。该器件采用内部PMOS FET，无需外部器件，从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。若输入电压超过过压阈值，NCP367能够立即将输出与输入断开。额外的过流保护功能可在充电电流超过电流限制时关闭内部PMOS FET，电流限制值可通过外部选择。可通过控制逻辑引脚修改电流限制值，将其除以内部增益，实现USB 100 mA/500 mA充电或USB/壁式适配器充电，直至达到过流阈值。同时，持续监测锂离子电池电压，为充电过程提供更高的安全性。此外，还具备热关断保护功能。NCP367提供一个负向标志（FLAG）输出，当出现过压（电源或电池电压）、过流或热事件等故障时，会向系统发出警报。此外，当使用1 μF或更大的电容进行旁路时，该器件的输入具备ESD保护（15 kV空气放电）。

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1+
￥5.66
10+
￥4.6
30+
￥4.07

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停产单节锂电池保护集成电路，集成功率MOSFET

型号：LC05111C02MTTTG 编号：C603090

封装：WDFN-6-EP(2.6x4)

品牌：onsemi(安森美)

LC05111CMT是一款用于单节锂离子二次电池的保护IC，集成了功率MOSFET。它还集成了高精度检测电路和检测延迟电路，以防止电池过充、过放、过流放电和过流充电。仅需LC05111CMT和少量外部元件即可构成电池保护系统。

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1+
￥6.81
10+
￥5.71
30+
￥5.11

有货

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3 MHz同步降压转换器

型号：NCV6324BMTAATBG 编号：C555497

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP6324/NCV6324 是一系列同步降压转换器,优化用于由单节锂离子或三节碱性/NiCd/NiMH电池供电的便携式应用。这些设备能够提供高达2 A的外部可调电压,工作频率为3MHz,支持小尺寸电感和电容器。同步整流和自动PWM/PFM节能模式提高了系统效率。

数据手册

1+
￥6.88
10+
￥5.77
30+
￥5.16

有货

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音频插孔检测和配置，MIC/GND交叉点开关

型号：FSA8049UCX 编号：C128378

封装：WLCSP-9(1.2x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

FSA8049是一款用于3极或4极配件的音频插孔检测开关。它能够检测音频插头上的GND和MIC位置，并自动将它们路由到适当的连接。

数据手册

1+
￥7.23
10+
￥5.95
30+
￥5.24

有货

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高速USB 2.0 DPDT开关

型号：NLAS7242MUTBG 编号：C232414

封装：UTQFN-10L(1.4x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

优化用于便携系统中的高速USB 2.0应用，具有超低导通电容和带宽高于950 MHz。适用于单个USB接口连接器路由多种信号类型的应用。

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1+
￥7.46
10+
￥6.27
30+
￥5.62

有货

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NUD3112DMT1G 停产

型号：NUD3112DMT1G 编号：C146757

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

该器件用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。该器件集成了 MOSFET 开关、ESD 保护和齐纳箝位等所有必要项。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

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1+
￥7.58
10+
￥6.36
30+
￥5.69

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欠压检测电路

型号：MC34064SN-5T1G 编号：C891426

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是一款欠压感应电路，专为基于微处理器的系统中的复位控制器而设计。它为低电压检测提供了一种经济的解决方案，只需一个外部电阻。该电路具有一个封装内微调的带隙基准，以及一个具有精确阈值和内置迟滞的比较器，可防止复位操作不稳定。其开集电极复位输出能够吸收超过10mA的电流，并且在低至1.0V的输入电压下仍能保证正常工作，待机电流低。

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1+
￥8.72
10+
￥8.5
30+
￥8.35

有货

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双路MOSFET栅极驱动器

型号：NCP81085MTTXG 编号：C3655494

封装：WDFN-9(4x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81085是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极进行了优化。NCP81085采用片上自举二极管，无需使用外部分立二极管。高悬浮高端驱动器设计可承受高达180 V的半桥（HB）电压

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1+
￥9.14
10+
￥8.9
30+
￥8.75

有货

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高性能电流模式控制器

型号：UC3845BDG 编号：C897347

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且均具有迟滞、按周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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1+
￥9.18
10+
￥7.73
30+
￥6.93

有货

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高效率降压DC-DC转换器

型号：FAN2001MPX 编号：C890637

封装：WDFN-6(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN2001MPX是一款高效率、低噪声的同步PWM电流模式和脉冲跳过（节能）模式的DC-DC转换器,适用于电池供电应用。它可以提供高达1 A的输出电流,输入电压范围为2.5 V到5.5 V,输出电压可通过外部电压分压器在0.8 V到5.5 V之间调整。

1+
￥9.38
10+
￥9.14
30+
￥8.98

有货

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八通道低侧继电器驱动器

型号：NCV7240ADPR2G 编号：C556420

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7240 是一款汽车八沟道低压侧驱动器，提供高达每沟道 600 mA 的驱动能力。输出控制通过 SPI 端口进行，针对开路负载（或接地短路）、过载和高温条件提供方便的故障报告。另外，输出的并行控制可通过 INx 引脚寻址（成对）。专用的跋行回家模式引脚 (LHI) 启用 OUT1 至 OUT4，而禁用 OUT5 至 OUT8。每个输出驱动器均具有过载电流保护，且包括一个用于电感负载的输出箝位。NCV7240 采用 SSOP24 带保险丝引线封装。

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1+
￥10.24
10+
￥9.98
30+
￥9.81

有货

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半桥栅极驱动IC

型号：FAN73932MX 编号：C457776

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73932 是一款半桥门极驱动器集成电路，带有关断和死区时间功能，可驱动最高在 +600V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于各种半桥和全桥逆变器；如电机驱动逆变器、开关模式电源、直感加热和大功率 DC-DC 转换器应用。

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1+
￥10.85
10+
￥10.6
30+
￥10.44

有货

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3.0 A、15 V降压型开关稳压器

型号：LM2576D2TR4-3.3G 编号：C70353

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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1+
￥11.4
10+
￥11.11
30+
￥10.92

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双SPST耗尽模式音频开关

型号：FSA551UCX 编号：C457804

封装：WLCSP-9(1.2x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

FSA551是一款高性能的双单刀单掷(SPST x 2)音频开关。采用耗尽模式技术，允许在没有Vcc时传导信号，并在Vcc存在时隔离信号。

1+
￥11.78
10+
￥11.52
30+
￥11.34

有货

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FMS6501 输入/输出视频开关矩阵

型号：FMS6501MSA28X 编号：C8946

封装：SSOP-28-208mil

品牌：onsemi(安森美)

12输入/9输出视频开关矩阵，支持SD、PS和HD 1080i/1080p视频，具有输入钳位/偏置电路和输出驱动器。

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1+
￥15.64
10+
￥13.33
30+
￥11.89

有货

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具有集成LIN和电压调节器的系统基础芯片

型号：NCV7428D13R2G 编号：C893057

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7428 是一种系统基础芯片 (SBC)，集成了汽车电子控制单元 (ECU) 中常见的功能。它提供并监控应用微控制器和其他负载的低压电源，并包括一个 LIN 收发器。

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1+
￥18.74
10+
￥15.89
30+
￥14.11

有货

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半桥栅极驱动器，1200 V，源电流2.5 A/灌电流3.4 A

型号：FAD8253MX 编号：C3655137

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

FAD8253是一款单片半桥栅极驱动IC，专为驱动最高+1200 V的高压、高速、高功率IGBT而设计。FAD8253采用安森美（ON）的高压工艺和共模噪声消除技术，可在高dv/dt噪声环境下确保高端驱动器稳定运行。该栅极驱动器包含针对高端和低端输出的IGBT阈值定制的欠压锁定（UVLO）电路，以防止当VDD和VBS低于指定阈值电压时出现故障

1+
￥22.11
10+
￥19.04
30+
￥17.22

有货

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NCN5151 有线M-Bus从机收发器

型号：NCN5151MNTWG 编号：C904368

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCN5151是一款用于两线制Meter Bus (M-BUS)从设备和中继器的单芯片集成从机收发器。

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1+
￥23.54
10+
￥22.99
30+
￥22.62

有货

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FIN1215MTDX

型号：FIN1215MTDX 编号：C899193

封装：TSSOP-48-6.1mm

品牌：onsemi(安森美)

FIN1217 和 FIN1215 可将 21 位宽并行 LVTTL（低压 TTL）数据转换为三个串行 LVDS（低压差分信号）数据流。锁相传输时钟通过独立的 LVDS 链路与数据流并行传输。在每个传输时钟周期内，采样并传输 21 位输入 LVTTL 数据。FIN1218和FIN1216接收这三个串行LVDS数据流并转换回21位LVTTL数据。表 1 为所提供的串并/并串转换器的汇总表。对于 FIN1217，在 85MHz 的传输时钟频率时，每个 LVDS 通道上以 595 Mbps 的速率传输 21 位 LVTTL 数据。这些芯片组解决了与宽型高速 TTL 接口相关的 EMI 和线缆尺寸问题。

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1+
￥23.72
10+
￥23.16
30+
￥22.79

有货

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FIN1108 - LVDS 8端口高速中继器

型号：FIN1108MTDX 编号：C899192

封装：TSSOP-48-6.1mm

品牌：onsemi(安森美)

这款八端口中继器设计用于利用低电压差分信号 (LVDS) 技术的高速互连。

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1+
￥30.52
10+
￥29.8
30+
￥29.31

有货

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1 MP CMOS图像传感器图像信号处理器

型号：AP0101AT2L00XPGA0-DR 编号：C512867

封装：VFBGA-81

品牌：onsemi(安森美)

AP0101AT 是一款专用的汽车图像协处理器，能够实现使用安森美半导体百万像素高动态范围 (HDR) 传感器的灵活摄像头平台。传感器和协处理器的双芯片解决方案可实现多种摄像头价格和性能点，能够重用电路板设计，进入市场快，实现设计灵活性。传感器性能由于减少了一个单独协处理器芯片的发热而得以提高，同时可实现高性能功能。AP0101AT 适用于汽车数字环视系统。它结合安森美半导体的 AR0132AT HDR 汽车传感器使用。

数据手册

1+
￥30.93
10+
￥30.18
30+
￥29.68

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CS8190EDWFR20G

型号：CS8190EDWFR20G 编号：C899110

封装：SO-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

CS8190 特别适用于空气芯仪表移动。该集成电路提供了模拟转速表或速度计所需的所有功能。CS8190 采用速度传感器输入，并生成正弦和余弦相关输出信号，以差分驱动空气芯仪表。基于 CS289 或 LM1819 等行业标准转速表驱动器增加了很多增强功能。该输出使用差分驱动器，无需齐纳参比，提供更高转矩。该器件可耐受 60V 瞬变电压，减少了所需保护电路要求。该器件还比现有器件更精密，可实现更少的辅助器件，适用于速度计。

数据手册

1+
￥35.82
10+
￥34.96
30+
￥34.38

有货

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AP0101AT2L00XPGA0-TR

型号：AP0101AT2L00XPGA0-TR 编号：C890199

封装：VFBGA-81

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥36.25
10+
￥35.4
30+
￥34.84

有货

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