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首页 > 热门关键词 > 南麟dcdc芯片
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N沟道增强模式MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:15A
型号：NP4446SR-S-G 编号：C2991129
封装：SOP-8
品牌：natlinear(南麟)
NP4446SR采用了沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Crss组合，导通和开关损耗得以最小化。
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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：NP6020D6 编号：C2991155
    封装：PDFN-8(5x5.8)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP6020D6采用先进的沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
    型号：NP36N10G 编号：C2991157
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP36N10采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
    数据手册

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    低功耗 低压差 中输出电流 CMOS 稳压器
    型号：LN6206P222MR-G 编号：C3008044
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    低功耗300mA低压差CMOS电压稳压器
    型号：LN1132P122MR-G 编号：C3007989
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    30V P沟道增强型MOSFET
    型号：NP4419SR-G 编号：C6705237
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP4419SR采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于负载开关和电池保护应用。

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    低功耗 低跌落电压 中电流电压调整器
    型号：LN1152B282MR-G 编号：C3008001
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    低压差高纹波抑制CMOS电压稳压器
    型号：LN1130P332MR-G 编号：C3008027
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1130 系列是使用CMOS 技术开发的高纹波抑制，低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、温度保护电路。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:45A
    型号：NP45N03QR 编号：C2991149
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP45N03采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。标准产品NP45N03为无铅产品（符合RoHS和索尼259规格）。
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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:90A 停产
    型号：NP3090G 编号：C2991146
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3090G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
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    输出2.7V 300mA
    型号：LN1134A272MR-G 编号：C236372
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    低功耗 低跌落电压 中电流电压调整器
    型号：LN1152B122MR-G 编号：C3008049
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    300mA低压差CMOS电压稳压器
    型号：LN1131P332MR-G 编号：C236077
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1131 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    双N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
    型号：NP9926ASR-G 编号：C3007978
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP9926A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
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    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:12A
    型号：NP12N10G-G 编号：C3008050
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
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    输入7V 输出1.8V 300mA
    型号：LN1154B182MR-G 编号：C236375
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    低功耗300mA低压差CMOS电压稳压器
    型号：LN1132P282MR-G 编号：C3008041
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1132系列是使用CMOS技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册

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    300mA 高速低压差 CMOS 电压稳压器
    型号：LN1234B152MR-G 编号：C3007975
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1234 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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      ￥0.3735

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    输入6V 输出3.3V
    型号：LN1121P332MR-G 编号：C183880
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    超低功耗 低压降 线性稳压LDO 3.3V 2% 250mA
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    低功耗高输入电压 CMOS 电压稳压器
    型号：LN7150PR-G 编号：C3007995
    封装：SOT-89-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN71XX 系列是一款采用CMOS 工艺实现的三端高输入电压、低压差、小输出电流的电压稳压器。它的输出电流可达到70mA ，最大输入电压可达到28V。其输出固定电压的范围是1.8V~5.0V，用户也可通过外围应用电路来实现输出电压可调。
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    P沟道 耐压:30V 电流:5.5A
    型号：NP4953CSR-G 编号：C3007982
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP4953C采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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      ￥0.6113

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    • 4000+

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    输入28V
    型号：LN7150PR 编号：C188231
    封装：SOT-89-3
    品牌：natlinear(南麟)
    低静态电流，低压差，2%精度，高输入耐压。
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    低功耗300mA低压差CMOS电压稳压器
    型号：LN1132P152MR-G 编号：C3007974
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。此外，因采用SOT-23-3，SOT89-3 等小型封装，故可高密度安装。
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    300mA低压差CMOS电压稳压器
    型号：LN1138B502MR-G 编号：C3007991
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1138 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    低功耗 低跌落电压 中电流电压调整器
    型号：LN1152B252MR-G 编号：C3008048
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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      ￥0.2782

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    低功耗高输入电压 CMOS 电压稳压器
    型号：LN7133MR-G 编号：C3007985
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN71XX 系列是一款采用CMOS 工艺实现的三端高输入电压、低压差、小输出电流的电压稳压器。它的输出电流可达到70mA ，最大输入电压可达到28V。其输出固定电压的范围是1.8V~5.0V，用户也可通过外围应用电路来实现输出电压可调。
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    低功耗高输入电压 CMOS 电压稳压器
    型号：LN7133PR-G 编号：C3008014
    封装：SOT-89-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN71XX 系列是一款采用CMOS 工艺实现的三端高输入电压、低压差、小输出电流的电压稳压器。它的输出电流可达到70mA ，最大输入电压可达到28V。其输出固定电压的范围是1.8V~5.0V，用户也可通过外围应用电路来实现输出电压可调。
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    霍尔效应IC
    型号：LN4913SRB 编号：C236385
    封装：TO-92S
    品牌：natlinear(南麟)
    LN4913是一款专门为满足低功耗设备需求而设计的集成霍尔效应传感器，例如可作为翻盖手机的开关，其电池工作电压为1.65V - 5.5V。通过独特的内部电路设计，可实现精确的磁开关点和较高的温度稳定性。该集成电路采用片上时钟方案来降低平均工作电流
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    输入6V 输出2.1V 250mA
    型号：LN6206P212MR-G 编号：C141412
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    双 300mA 高速低压差 CMOS 电压稳压器
    型号：LN6401FF1828MR-G 编号：C3008019
    封装：SOT-23-6L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6401系列是使用CMOS技术开发的双高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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