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首页 > 热门关键词 > 南麟dcdc芯片
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NP6003MR采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
数据手册
  • 10+

    ¥0.3292
  • 100+

    ¥0.262
  • 300+

    ¥0.2284
  • 3000+

    ¥0.1948
  • 6000+

    ¥0.1746
  • 9000+

    ¥0.1645
  • 订货
  • NP3415EMR采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3389
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2381
  • 有货
  • LN71XX 系列是一款采用CMOS 工艺实现的三端高输入电压、低压差、小输出电流的电压稳压器。它的输出电流可达到70mA ,最大输入电压可达到28V。其输出固定电压的范围是1.8V~5.0V,用户也可通过外围应用电路来实现输出电压可调。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.46688 ¥0.5836
    • 50+

      ¥0.32452 ¥0.4636
    • 150+

      ¥0.24216 ¥0.4036
    • 1000+

      ¥0.21516 ¥0.3586
    • 2000+

      ¥0.19356 ¥0.3226
    • 5000+

      ¥0.18276 ¥0.3046
  • 有货
  • LN71XX 系列是一款采用CMOS 工艺实现的三端高输入电压、低压差、小输出电流的电压稳压器。它的输出电流可达到70mA ,最大输入电压可达到28V。其输出固定电压的范围是1.8V~5.0V,用户也可通过外围应用电路来实现输出电压可调。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.526162 ¥0.5369
    • 50+

      ¥0.37532 ¥0.4265
    • 150+

      ¥0.289614 ¥0.3713
    • 1000+

      ¥0.257322 ¥0.3299
    • 2000+

      ¥0.231504 ¥0.2968
    • 5000+

      ¥0.218556 ¥0.2802
  • 有货
  • NP36N10采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.2951
    • 10+

      ¥1.8213
    • 30+

      ¥1.6183
    • 100+

      ¥1.3649
  • 有货
  • LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2364
    • 100+

      ¥0.1874
    • 300+

      ¥0.1629
  • 有货
  • LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过流等保护电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3057
    • 100+

      ¥0.2433
    • 300+

      ¥0.2121
  • 有货
  • NP1216DR采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6066
    • 50+

      ¥0.4818
    • 150+

      ¥0.4194
    • 500+

      ¥0.3726
    • 2500+

      ¥0.3243
    • 4000+

      ¥0.3055
  • 订货
  • NP4419SR采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于负载开关和电池保护应用。
    • 5+

      ¥0.6186
    • 50+

      ¥0.489
    • 150+

      ¥0.4242
  • 有货
  • NP4446SR采用了沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Crss组合,导通和开关损耗得以最小化。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.674
    • 50+

      ¥0.5348
    • 150+

      ¥0.4652
  • 有货
  • NP45N03采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。标准产品NP45N03为无铅产品(符合RoHS和索尼259规格)。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8967
    • 50+

      ¥0.6951
    • 150+

      ¥0.6087
    • 500+

      ¥0.5009
    • 2500+

      ¥0.4529
    • 5000+

      ¥0.424
  • 订货
  • LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2201
    • 200+

      ¥0.1715
    • 600+

      ¥0.1444
  • 有货
  • LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路、短路保护电路。此外,因采用SOT-23-3,SOT89-3 等小型封装,故可高密度安装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2469
    • 100+

      ¥0.1965
    • 300+

      ¥0.1713
  • 有货
  • LN6206系列是精密、低功耗、高压正电压稳压器,采用CMOS和激光微调技术制造。该系列提供大电流,且压差非常小。LN6206由限流电路、驱动晶体管、精密基准电压源和误差校正电路组成。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2777
    • 200+

      ¥0.2291
    • 600+

      ¥0.2021
  • 有货
  • NP8205MR采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2779
    • 100+

      ¥0.2251
    • 300+

      ¥0.1987
  • 有货
  • LN71XX 系列是一款采用CMOS 工艺实现的三端高输入电压、低压差、小输出电流的电压稳压器。它的输出电流可达到70mA ,最大输入电压可达到28V。其输出固定电压的范围是1.8V~5.0V,用户也可通过外围应用电路来实现输出电压可调。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4125
    • 100+

      ¥0.3261
    • 300+

      ¥0.2829
  • 有货
  • NP6020D6采用先进的沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2968
    • 10+

      ¥1.0196
    • 30+

      ¥0.9008
  • 有货
  • LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过流等保护电路。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2046
    • 200+

      ¥0.1578
    • 600+

      ¥0.1318
    • 3000+

      ¥0.1118
    • 9000+

      ¥0.0983
    • 21000+

      ¥0.091
  • 订货
  • LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2399
    • 100+

      ¥0.1909
    • 300+

      ¥0.1664
  • 有货
  • 使用CMOS技术开发的高速、低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过流等保护电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2568
    • 100+

      ¥0.204
    • 300+

      ¥0.1776
    • 3000+

      ¥0.1537
    • 6000+

      ¥0.1378
    • 9000+

      ¥0.1299
  • 订货
  • LN1132系列是使用CMOS技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2603
    • 100+

      ¥0.2068
    • 300+

      ¥0.18
  • 有货
  • LN1138 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3035
    • 100+

      ¥0.2411
    • 300+

      ¥0.2099
  • 有货
  • LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过流等保护电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3035
    • 100+

      ¥0.2411
    • 300+

      ¥0.2099
  • 有货
  • NP4953C采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6113
    • 50+

      ¥0.4865
    • 150+

      ¥0.4241
    • 500+

      ¥0.3773
    • 2500+

      ¥0.3243
    • 4000+

      ¥0.3055
  • 订货
  • 低静态电流,低压差,2%精度,高输入耐压。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6934
    • 50+

      ¥0.5494
    • 150+

      ¥0.4774
  • 有货
  • NP3090G采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.1792
    • 10+

      ¥0.9323
    • 30+

      ¥0.8264
  • 有货
  • LN1234 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3735
    • 100+

      ¥0.2967
    • 300+

      ¥0.2583
    • 3000+

      ¥0.2295
    • 6000+

      ¥0.2065
    • 9000+

      ¥0.195
  • 订货
  • LN4913是一款专门为满足低功耗设备需求而设计的集成霍尔效应传感器,例如可作为翻盖手机的开关,其电池工作电压为1.65V - 5.5V。通过独特的内部电路设计,可实现精确的磁开关点和较高的温度稳定性。该集成电路采用片上时钟方案来降低平均工作电流
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1983
    • 50+

      ¥0.9463
    • 150+

      ¥0.8383
    • 1000+

      ¥0.6786
    • 2000+

      ¥0.6186
    • 5000+

      ¥0.5825
  • 订货
  • LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2375
    • 200+

      ¥0.1889
    • 600+

      ¥0.1619
    • 3000+

      ¥0.1457
    • 9000+

      ¥0.1316
    • 21000+

      ¥0.1241
  • 订货
  • LN1131 系列是使用CMOS 技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3268
    • 100+

      ¥0.2596
    • 300+

      ¥0.226
  • 有货
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