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首页 > 热门关键词 > 南麟dcdc芯片
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2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
型号：NP9926BSR-G 编号：C2991134
封装：SOP-8
品牌：natlinear(南麟)
NP9926BSR采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
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    ￥0.4946

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    ￥0.2671
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：NP4407SR-H-G 编号：C2991136
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP4407采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

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      ￥1.1198

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      ￥0.6094
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    双通道P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:8A
    型号：NP4805SR-G 编号：C3007988
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP4805采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2695

    • 50+

      ￥1.0056

    • 150+

      ￥0.8925

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      ￥0.7514
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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：NP2300MR-Y-G 编号：C2991114
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2300MR-Y采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1878

    • 200+

      ￥0.1473

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      ￥0.1248
  • 有货
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    输入7V 输出2.8V 300mA
    型号：LN1154B282MR-G 编号：C236377
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.212

    • 200+

      ￥0.1661

    • 600+

      ￥0.1406
  • 有货
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    输出1.8V 300mA
    型号：LN1132P182MR-G 编号：C236078
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册

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      ￥0.222

    • 100+

      ￥0.173

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      ￥0.1486
  • 有货
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    P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：NP3407VR-G 编号：C2991125
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3407VR采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2327

    • 200+

      ￥0.1847

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      ￥0.1607

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      ￥0.1392
  • 有货
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    输入7V 输出2.5V 300mA
    型号：LN1154B252MR-G 编号：C236376
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2623

    • 200+

      ￥0.2164

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      ￥0.1909
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    N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
    型号：NP8205MR 编号：C2888099
    封装：SOT-23-6L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP8205MR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
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      ￥0.2632

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      ￥0.184
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    输入6V 输出2.5V 250mA
    型号：LN6206P252MR-G 编号：C141410
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    • 20+

      ￥0.2668

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      ￥0.2182

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      ￥0.1912
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    输入7V 输出3V 300mA
    型号：LN1134A302MR-G 编号：C141421
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2944

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      ￥0.2463

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    N沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：NP6003VR 编号：C2991131
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP6003VR采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
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      ￥0.3135

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      ￥0.2511

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      ￥0.2199
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    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:7A
    型号：NP3404AMR-G 编号：C3008020
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3404AMR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷以及用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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      ￥0.3421

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      ￥0.2377
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    300mA
    型号：LN1139BAMR-G 编号：C236374
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1139系列是采用CMOS工艺制造的高精度、低噪声正电压LDO稳压器。该系列可实现高纹波抑制和低压差，由标准电压源、误差校正、限流电路、相位补偿电路以及驱动晶体管组成。通过外部输出反馈，用户可轻松获得所需电压
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      ￥0.367

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      ￥0.2518
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    N沟道 耐压:20V 电流:16A
    型号：NP2018DR 编号：C2991143
    封装：DFN-6-EP(2x2)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2018DR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且在低至2.5V的栅极电压下也能正常工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    • 5+

      ￥0.6961

    • 50+

      ￥0.5545

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      ￥0.4306
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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：NP60S04D6-Sn-G 编号：C2991150
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP60S04D6采用了SGT技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2774

    • 50+

      ￥1.0103

    • 150+

      ￥0.8958
  • 有货
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：NP3415EMR-G 编号：C2991126
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3415EMR采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1921

    • 100+

      ￥0.1881

    • 300+

      ￥0.1854
  • 有货
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    输入7V 输出3V 300mA
    型号：LN1154B302MR-G 编号：C236378
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2098

    • 200+

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      ￥0.1384
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    输入6V 输出2V 250mA
    型号：LN6206P202MR-G 编号：C141413
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    • 20+

      ￥0.2276

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      ￥0.179

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      ￥0.152
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    输出3V 300mA
    型号：LN1132P302MR-G 编号：C236370
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    • 10+

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    P沟道 耐压:30V 电流:5.5A
    型号：NP9435ASR 编号：C2991133
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP9435ASR采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于负载开关和电池保护应用。
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    N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：NP6050G 编号：C2991154
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP6050G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：NP3407MR-G 编号：C2991124
    封装：SOT-23-3
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3407MR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    低功耗、低压差、中等电流电压调节器
    型号：LN6206P132MR-G 编号：C236394
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206系列是精密、低功耗、高压正电压稳压器，采用CMOS和激光微调技术制造。该系列提供大电流，且压差非常小。LN6206由限流电路、驱动晶体管、精密基准电压源和误差校正电路组成。
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    输入6V 输出1.5V 250mA
    型号：LN6206P152MR-G 编号：C141415
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    • 20+

      ￥0.2777

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      ￥0.2291

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      ￥0.2021
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    300mA 高速低压差 CMOS 电压稳压器
    型号：LN1234B132MR-G 编号：C3008051
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1234 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    低功耗 低跌落电压 中电流电压调整器
    型号：LN1152B182MR-G 编号：C3008006
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
    型号：NP2N10VR-G 编号：C2991120
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2N10VR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
    型号：NP2N10MR-G 编号：C2991119
    封装：SOT-23-3
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2N10MR采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，可实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

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    低功耗高输入电压 CMOS 电压稳压器
    型号：LN7150MR-G 编号：C3007976
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN71XX 系列是一款采用CMOS 工艺实现的三端高输入电压、低压差、小输出电流的电压稳压器。它的输出电流可达到70mA ，最大输入电压可达到28V。其输出固定电压的范围是1.8V~5.0V，用户也可通过外围应用电路来实现输出电压可调。
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