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首页 > 热门关键词 > 南麟dcdc芯片
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N沟道 耐压:60V 电流:3A
型号：NP6003VR 编号：C2991131
封装：SOT-23
品牌：natlinear(南麟)
NP6003VR采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
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    1.8V 300mA 7V
    型号：LN1182FF3318MR-G 编号：C3008017
    封装：SOT-23-6L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1182系列是使用CMOS技术开发的双高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册

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    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:12A
    型号：NP12N10G-Y-G 编号：C2991158
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP12N10G采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
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    关断逻辑电平选择 2W BTL 音频功率放大器
    型号：LN4990MM-G 编号：C3008004
    封装：MSOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    LN4990是差分输入音频功率放大电路，适用于移动电话和其他内置扬声器的便携式音频设备。它能够为8Ω负载提供1.25W、4Ω负载提供2W功率的稳定输出，5V电源供电的条件下其总谐波失真和噪声不超过1%。LN4990采用桥接负载结构在提供高品质音频功率放大的同时，大大减少了外部元件数，无需外接输出耦合电容和自举电容。
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    双N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
    型号：NP9926ASR-G 编号：C3007978
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP9926A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
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      ￥0.16513 ￥0.4718

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    3V 300mA 7V
    型号：LN1154B302MR-G 编号：C236378
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    2V 250mA 5.5V
    型号：LN6206P152MR-G 编号：C141415
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    2V 250mA 6V
    型号：LN6206P202MR-G 编号：C141413
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：NP2305MR 编号：C2991118
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2305MR采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    2.5V 300mA 7V
    型号：LN1134A252MR-G 编号：C141423
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    3.3V 300mA 7V
    型号：LN1130P332MR-G 编号：C3008027
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1130 系列是使用CMOS 技术开发的高纹波抑制，低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、温度保护电路。
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    N沟道 耐压:20V 电流:16A
    型号：NP2018DR 编号：C2991143
    封装：DFN-6-EP(2x2)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2018DR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且在低至2.5V的栅极电压下也能正常工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    霍尔效应IC
    型号：LN4913NR-G 编号：C236384
    封装：TSOT-23-3
    品牌：natlinear(南麟)
    LN4913是一款专门为满足低功耗设备需求而设计的集成霍尔效应传感器，例如可作为翻盖手机的开关，其电池工作电压为1.65V - 5.5V。通过独特的内部电路设计，可实现精确的磁开关点和较高的温度稳定性。该集成电路采用片上时钟方案来降低平均工作电流
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    N沟道 耐压:30V 电流:108A
    型号：NP108N03D6-G 编号：C2991147
    封装：DFN-5(4.9x5.9)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP108N03D6采用了独特优化的沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
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    3.3V 250mA 6V
    型号：LN1121P332MR-G 编号：C183880
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    超低功耗 低压降 线性稳压LDO 3.3V 2% 250mA
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    • 9000+

      ￥0.054825 ￥0.2193
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    2.5V 300mA 7V
    型号：LN1154B252MR-G 编号：C236376
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    • 20+

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    1.8V 300mA 7V
    型号：LN1132P182MR-G 编号：C236078
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1132 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    • 10+

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    5V 250mA 6V
    型号：LN6206P182MR-G 编号：C141414
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    • 600+

      ￥0.2043
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    3V 300mA 7V
    型号：LN1134A302MR-G 编号：C141421
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
    型号：NP2N10VR-G 编号：C2991120
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2N10VR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
    型号：NP2N10MR-G 编号：C2991119
    封装：SOT-23-3
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2N10MR采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，可实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    P沟道 耐压:30V 电流:5.5A
    型号：NP9435ASR 编号：C2991133
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP9435ASR采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于负载开关和电池保护应用。
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    300mA 8V
    型号：LN1139BAMR-G 编号：C236374
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1139系列是采用CMOS工艺制造的高精度、低噪声正电压LDO稳压器。该系列可实现高纹波抑制和低压差，由标准电压源、误差校正、限流电路、相位补偿电路以及驱动晶体管组成。通过外部输出反馈，用户可轻松获得所需电压
    数据手册

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    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:12A
    型号：NP12N10G-G 编号：C3008050
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
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      ￥0.3266 ￥0.46
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：NP4407SR-H-G 编号：C2991136
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP4407采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于负载开关和电池保护应用。
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    N沟道 耐压:40V 电流:35A
    型号：NP35N04QR 编号：C2991151
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP35N04QR采用独特优化的沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
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    2.8V 300mA 7V
    型号：LN1154B282MR-G 编号：C236377
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    1.8V 300mA 7V
    型号：LN1134A182MR-G 编号：C141424
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：NP3407MR-G 编号：C2991124
    封装：SOT-23-3
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3407MR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    1.3V 300mA 5V
    型号：LN1234B132MR-G 编号：C3008051
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1234 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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