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首页 > 热门关键词 > 南麟dcdc芯片
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输入6V 输出3V 250mA
型号：LN6206P302MR-G 编号：C141408
封装：SOT-23
品牌：natlinear(南麟)
LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    1W单声道AB类音频功率放大器
    型号：LN4890MME-G 编号：C236383
    封装：MSOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    LN4890是一款音频功率放大器，主要为手机及其他便携式通信设备中的高要求应用而设计。在5V直流电源供电的情况下，它能够向8Ω的BTL负载提供1瓦的连续平均功率，且失真（THD+N）小于1%。Boomer音频功率放大器专为以最少的外部元件提供高质量输出功率而设计
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    N沟道 耐压:40V 电流:26A
    型号：NP6884D6 编号：C2991160
    封装：PDFN-8(4.9x6)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP6884D6采用先进的沟槽技术，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关模式电源（SMPS）的高端开关及通用应用。
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    输入6V 输出3.3V 250mA
    型号：LN6206P332MR-G 编号：C141407
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：NP100N03D6-N-G 编号：C2991148
    封装：PDFN-8(5x5.8)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP100N03D6采用了独特优化的沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
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    霍尔效应IC
    型号：LN4913NR-G 编号：C236384
    封装：TSOT-23-3
    品牌：natlinear(南麟)
    LN4913是一款专门为满足低功耗设备需求而设计的集成霍尔效应传感器，例如可作为翻盖手机的开关，其电池工作电压为1.65V - 5.5V。通过独特的内部电路设计，可实现精确的磁开关点和较高的温度稳定性。该集成电路采用片上时钟方案来降低平均工作电流
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    20V, 2A, N沟道增强型MOSFET
    型号：NP2302FVR-J-G 编号：C2991117
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2302FVR-J采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，以达到超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    输入7V 输出1.8V 300mA
    型号：LN1134A182MR-G 编号：C141424
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    1.1MHz轨到轨输入/输出CMOS运算放大器
    型号：LN8541MR-G 编号：C153215
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    单通道,1.1MHz轨到轨输入/输出,CMOS运算放大器
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:20A
    型号：NP20P03D6 编号：C2991140
    封装：PDFN-8(5x5.8)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP20P03D6 G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    N沟道 耐压:30V 电流:108A
    型号：NP108N03D6-G 编号：C2991147
    封装：DFN-5(4.9x5.9)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP108N03D6采用了独特优化的沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
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    关断逻辑电平选择 2W BTL 音频功率放大器
    型号：LN4990MM-G 编号：C3008004
    封装：MSOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    LN4990是差分输入音频功率放大电路，适用于移动电话和其他内置扬声器的便携式音频设备。它能够为8Ω负载提供1.25W、4Ω负载提供2W功率的稳定输出，5V电源供电的条件下其总谐波失真和噪声不超过1%。LN4990采用桥接负载结构在提供高品质音频功率放大的同时，大大减少了外部元件数，无需外接输出耦合电容和自举电容。
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    60V, 340mA, N沟道 MOSFET
    型号：NP2N7002VR-G 编号：C2991121
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2N7002VR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：NP3400MR-S-G 编号：C2991122
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3400MR - S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：NP2305MR 编号：C2991118
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2305MR采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    输入7V 输出3.3V 300mA
    型号：LN1154B332MR-G 编号：C236379
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    输出3.3V 300mA
    型号：LN1152B332MR-G 编号：C219047
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：NP2060G 编号：C2991142
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2060G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
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      ￥1.0089

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    N沟道 耐压:40V 电流:35A
    型号：NP35N04QR 编号：C2991151
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP35N04QR采用独特优化的沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
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    N沟道 耐压:60V 电流:80A
    型号：NP80N06D6 编号：C2991153
    封装：PDFN-8(5x5.8)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP80N06D6采用先进的沟槽技术，经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：NP2301AMR-G 编号：C219045
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2301A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    输出3.3V 300mA
    型号：LN1132P332MR-G 编号：C193852
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1132系列是使用CMOS技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    双 300mA 高速低压差 CMOS 电压稳压器
    型号：LN1182FF3318MR-G 编号：C3008017
    封装：SOT-23-6L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1182系列是使用CMOS技术开发的双高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：NP60N03QR 编号：C2991145
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP60N03QR采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。
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    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:12A
    型号：NP12N10G-Y-G 编号：C2991158
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP12N10G采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
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      ￥0.5216
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    输入6V 输出2.8V 250mA
    型号：LN6206P282MR-G 编号：C141409
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    输入6V 输出1.8V 250mA
    型号：LN6206P182MR-G 编号：C141414
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：NP3415EVR-G 编号：C2991127
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3415EVR采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    输入7V 输出2.5V 300mA
    型号：LN1134A252MR-G 编号：C141423
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    60V, 3A, N沟道增强型MOSFET
    型号：NP6003MR-N-G 编号：C2991132
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP6003MR采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
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