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首页 > 热门关键词 > 南麟dcdc芯片
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N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:16A
型号：NP2016DR-N-G 编号：C2991144
封装：DFN-6L-B(2x2)
品牌：natlinear(南麟)
NP2016采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
数据手册

  • 5+

    ￥0.5763

  • 50+

    ￥0.4659

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    ￥0.4107

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    ￥0.3693

  • 2500+

    ￥0.3224

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    ￥0.3058
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:20A
    型号：NP20P03D6 编号：C2991140
    封装：PDFN-8(5x5.8)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP20P03D6 G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.603544 ￥0.8156

    • 50+

      ￥0.458816 ￥0.7169

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      ￥0.364284 ￥0.6746

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      ￥0.335826 ￥0.6219

    • 2500+

      ￥0.323136 ￥0.5984

    • 5000+

      ￥0.315522 ￥0.5843
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:40V 电流:55A
    型号：NP55N04D6 编号：C2991152
    封装：PDFN-8(5x5.8)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP55N04D6采用了独特优化的沟槽技术，可实现最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8948

    • 50+

      ￥0.7796

    • 150+

      ￥0.7303

    • 500+

      ￥0.6687

    • 2500+

      ￥0.6084

    • 5000+

      ￥0.5919
  • 有货
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    双通道N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:20A
    型号：NP4834D6 编号：C2991159
    封装：PDFN-8(4.9x6)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP4834D6采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）中的高端开关及通用应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0158

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      ￥0.8835

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      ￥0.8268

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      ￥0.756

    • 2500+

      ￥0.6867
  • 有货
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    N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：NP100N03D6-N-G 编号：C2991148
    封装：PDFN-8(5x5.8)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP100N03D6采用了独特优化的沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8487

    • 50+

      ￥0.7437

    • 150+

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      ￥0.6425

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      ￥0.5978
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：NP3415EVR-G 编号：C2991127
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3415EVR采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.240635 ￥0.2831

    • 100+

      ￥0.169125 ￥0.2255

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      ￥0.127855 ￥0.1967

    • 3000+

      ￥0.113815 ￥0.1751

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      ￥0.10257 ￥0.1578

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      ￥0.09698 ￥0.1492
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    3V 250mA 6V
    型号：LN6206P302MR-G 编号：C141408
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2692

    • 200+

      ￥0.2206

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      ￥0.1936

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      ￥0.1774
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    2.8V 300mA 7V
    型号：LN1134A282MR-G 编号：C141422
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1134 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2802

    • 200+

      ￥0.2291

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      ￥0.2007

    • 3000+

      ￥0.1837
  • 有货
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    N沟道 耐压:40V 电流:26A
    型号：NP6884D6 编号：C2991160
    封装：PDFN-8(4.9x6)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP6884D6采用先进的沟槽技术，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关模式电源（SMPS）的高端开关及通用应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.1184

    • 10+

      ￥0.9714

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      ￥0.8298

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      ￥0.742
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    20V, 2A, N沟道增强型MOSFET
    型号：NP2302FVR-J-G 编号：C2991117
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2302FVR-J采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，以达到超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0744

    • 500+

      ￥0.0582

    • 3000+

      ￥0.0482
  • 有货
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:16V 电流:60A
    型号：NP60P012D3 编号：C2991137
    封装：PDFN3.3x3.3-8L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP60P012D3采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
    数据手册

    • 1+

      ￥0.8868

    • 10+

      ￥0.7713

    • 30+

      ￥0.7218

    • 100+

      ￥0.66

    • 500+

      ￥0.6325

    • 1000+

      ￥0.583
  • 有货
    • 立即购买
    60V, 340mA, N沟道 MOSFET
    型号：NP2N7002VR-G 编号：C2991121
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2N7002VR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0886

    • 500+

      ￥0.0697

    • 3000+

      ￥0.0571
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：NP2301AMR-G 编号：C219045
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2301A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1808

    • 200+

      ￥0.1403

    • 600+

      ￥0.1178
  • 有货
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    3.3V 300mA 7V
    型号：LN1154B332MR-G 编号：C236379
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154系列是使用CMOS技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2025

    • 200+

      ￥0.1566

    • 600+

      ￥0.1311

    • 3000+

      ￥0.1106
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:7A
    型号：NP3404AMR-G 编号：C3008020
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3404AMR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷以及用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.208681 ￥0.3421

    • 100+

      ￥0.138975 ￥0.2725

    • 300+

      ￥0.097457 ￥0.2377

    • 3000+

      ￥0.086756 ￥0.2116

    • 6000+

      ￥0.078187 ￥0.1907

    • 9000+

      ￥0.073923 ￥0.1803
  • 有货
    • 立即购买
    1.1MHz轨到轨输入/输出CMOS运算放大器
    型号：LN8541MR-G 编号：C153215
    封装：SOT-23-5
    品牌：natlinear(南麟)
    单通道,1.1MHz轨到轨输入/输出,CMOS运算放大器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7155

    • 50+

      ￥0.5811

    • 150+

      ￥0.5139

    • 500+

      ￥0.4635
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：NP6050G 编号：C2991154
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP6050G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.721278 ￥1.2654

    • 50+

      ￥0.471128 ￥1.0024

    • 150+

      ￥0.329152 ￥0.8896

    • 500+

      ￥0.27713 ￥0.749

    • 2500+

      ￥0.253931 ￥0.6863

    • 5000+

      ￥0.240056 ￥0.6488
  • 有货
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    双通道P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:8A
    型号：NP4805SR-G 编号：C3007988
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP4805采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.129855 ￥1.2695

    • 50+

      ￥0.794424 ￥1.0056

    • 150+

      ￥0.615825 ￥0.8925

    • 500+

      ￥0.518466 ￥0.7514

    • 2500+

      ￥0.475134 ￥0.6886

    • 4000+

      ￥0.449121 ￥0.6509
  • 有货
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    N沟道 耐压:60V 电流:80A
    型号：NP80N06D6 编号：C2991153
    封装：PDFN-8(5x5.8)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP80N06D6采用先进的沟槽技术，经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
    数据手册

    • 1+

      ￥1.5258

    • 10+

      ￥1.3368

    • 30+

      ￥1.2558

    • 100+

      ￥1.1547

    • 500+

      ￥1.1097

    • 1000+

      ￥0.954
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：NP3400MR-S-G 编号：C2991122
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3400MR - S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.186

    • 200+

      ￥0.1436

    • 600+

      ￥0.1201
  • 有货
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    3.3V 300mA 7V
    型号：LN1132P332MR-G 编号：C193852
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1132系列是使用CMOS技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2406

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    • 300+

      ￥0.165
  • 有货
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    N沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：NP6003VR 编号：C2991131
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP6003VR采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3135

    • 100+

      ￥0.2511

    • 300+

      ￥0.2199

    • 3000+

      ￥0.1914

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      ￥0.1726

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      ￥0.1633
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    3.3V 500mA 7V
    型号：LN1152B332MR-G 编号：C219047
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3208

    • 100+

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    • 300+

      ￥0.22
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：NP9926BSR-G 编号：C2991134
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP9926BSR采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4946

    • 50+

      ￥0.3938

    • 150+

      ￥0.3434

    • 500+

      ￥0.3057

    • 2500+

      ￥0.2671
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：NP60N03QR 编号：C2991145
    封装：DFN3x3-8L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP60N03QR采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。
    数据手册

    • 1+

      ￥0.8934

    • 10+

      ￥0.7758

    • 30+

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    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：NP2060G 编号：C2991142
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2060G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
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    2.8V 500mA 7V
    型号：LN1152B282MR-G 编号：C3008001
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1152 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：NP2300MR-Y-G 编号：C2991114
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2300MR-Y采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    2.5V 250mA 6V
    型号：LN6206P252MR-G 编号：C141410
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    2.8V 250mA 6V
    型号：LN6206P282MR-G 编号：C141409
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6206 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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