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首页 > 热门关键词 > 南麟dcdc芯片
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双 300mA 高速低压差 CMOS 电压稳压器
型号：LN1182FF2818MR-G 编号：C3008011
封装：SOT-23-6L
品牌：natlinear(南麟)
LN1182系列是使用CMOS技术开发的双高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    CMOS无极性高灵敏度高频霍尔开关
    型号：LN245MR 编号：C177117
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    LN245是一款基于混合信号CMOS技术的无极性霍尔开关，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
    型号：NP2301FVR-J-G 编号：C2991116
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2301F采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
    型号：NP2301BVR-G 编号：C2991115
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2301BVR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    N沟道增强模式MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：NP4406SR-J-G 编号：C2991128
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP4406SR采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Crss组合，导通和开关损耗降至最低。
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    LN2120B020MR-G
    型号：LN2120B020MR-G 编号：C6705236
    封装：SOT23-6L
    品牌：natlinear(南麟)

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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:6A
    型号：NP4435CSR 编号：C2991135
    封装：SOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    NP4435CSR-D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于负载开关和电池保护应用。
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：NP3401MR-G 编号：C2991123
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3401MR采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    NP8205MR-G
    型号：NP8205MR-G 编号：C6705238
    封装：SOT23-6L
    品牌：natlinear(南麟)

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    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：NP2302FHR-G 编号：C3007996
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2302FHR采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，以达到超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：NP2301FHR-G 编号：C3007997
    封装：ESOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2301FHR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    P沟道 耐压:12V 电流:16A
    型号：NP1216DR 编号：C2991138
    封装：DFN-6-EP(2x2)
    品牌：natlinear(南麟)
    NP1216DR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：NP2302DVR-G 编号：C3008033
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和高密度单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：NP2301AVR-G 编号：C3007990
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并可在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
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    • 20+

      ￥0.0983

    • 200+

      ￥0.0962

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      ￥0.0947

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      ￥0.0888
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：NP2300VR-G 编号：C3008009
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP2300采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：NP3401VR-G 编号：C3008045
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3401采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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      ￥0.1104
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    N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：NP3400MR-M-G 编号：C3007979
    封装：SOT-23-3L
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3400采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    N沟道,电流:45A,耐压:100V
    型号：NP1045G 编号：C2991156
    封装：TO-252-2L
    品牌：natlinear(南麟)
    数据手册

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    输入7V 输出1.5V 500mA
    型号：LN5052B152MR-G 编号：C185103
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    数据手册

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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:6A
    型号：NP3411MR-G 编号：C3008000
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    NP3411MR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    XT2051Y2BQR
    型号：XT2051Y2BQR 编号：C500857
    封装：eMSOP-8
    品牌：natlinear(南麟)
    数据手册

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    XT4085K421MR-G
    型号：XT4085K421MR-G 编号：C6705239
    封装：SOT23-5L
    品牌：natlinear(南麟)

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    霍尔效应IC
    型号：LN4913MR-G 编号：C161604
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    基于混合信号CMOS 技术的无极性霍尔开关
    数据手册

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    低功耗低压差中输出电流CMOS稳压器
    型号：LN6216P332VR-G 编号：C3008038
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6216 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    低功耗低压差中输出电流CMOS稳压器
    型号：LN6216P302VR-G 编号：C3008021
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6216 系列是使用CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    低功耗低压差中输出电流CMOS稳压器
    型号：LN6216P282VR-G 编号：C3008003
    封装：SOT-23
    品牌：natlinear(南麟)
    LN6216系列是使用CMOS技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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    低功耗低跌落电压中电流电压调整器
    型号：LN1154B502MR-G 编号：C3008047
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    低功耗低跌落电压中电流电压调整器
    型号：LN1154B152MR-G 编号：C3007981
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    低功耗低跌落电压中电流电压调整器
    型号：LN1154B122MR-G 编号：C3008010
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1154 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过流等保护电路。
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    300mA 高速低压差 CMOS 电压稳压器
    型号：LN1234B122MR-G 编号：C3008002
    封装：SOT-23-5L
    品牌：natlinear(南麟)
    LN1234 系列是使用CMOS 技术开发的高速、低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。
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