韦尔dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：WS72634H-14/TR 编号：C16197384

封装：TSSOP-14

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:4 功耗:0.7mA/通道 GBW:9MHz 噪声:12.5nV/√Hz(f= 1kHz)

1+
￥1.48
10+
￥1.45
30+
￥1.43
100+
￥1.4

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型号：WS72634S-14/TR 编号：C16197383

封装：SOP-14

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:4 功耗:0.7mA/通道 GBW:9MHz 噪声:12.5nV/√Hz(f= 1kHz)

1+
￥1.48
10+
￥1.45
30+
￥1.43
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型号：WS722377M-8/TR 编号：C16197386

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:1.3mA/通道 GBW:13.7MHz 噪声:7nV/√Hz(f= 1kHz)

1+
￥1.85
10+
￥1.81
30+
￥1.78
100+
￥1.75

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型号：WS722377DA-8/TR 编号：C16197387

封装：DFN3x3-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:1.3mA/通道 GBW:13.7MHz 噪声:7nV/√Hz(f= 1kHz)

1+
￥1.85
10+
￥1.81
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￥1.78
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型号：WL2815D28-4/TR 编号：C506125

封装：X2-DFN1010-4-EP

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间

数据手册

15+
￥0.249612
30+
￥0.241428
60+
￥0.237336
120+
￥0.22506

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型号：ESD56101D10-2/TR 编号：C399978

封装：DFN1610-2

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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10000+
￥0.34384
20000+
￥0.33376
30000+
￥0.3248

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型号：WPM1488-3/TR 编号：C239582

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1488 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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3000+
￥0.4485
6000+
￥0.437
9000+
￥0.4144

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型号：ESDA6V8UL-3/TR 编号：C910981

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

5+
￥0.7785
50+
￥0.6201
150+
￥0.5409
500+
￥0.4815
3000+
￥0.3798
6000+
￥0.356

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型号：SPD82202B-2/TR 编号：C2941842

封装：SMB

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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10+
￥0.39897
3000+
￥0.304304

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型号：WS742128D-10/TR 编号：C2943883

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742128是一款适用于机顶盒和高清播放器的集成解决方案，旨在优化音频驱动电路性能，同时通过省去用于降噪的外围分立元件来降低物料清单（BOM）成本。WS742128具备一个3Vrms立体声音频驱动器，该驱动器的设计允许去除输出交流耦合电容。它采用单端输入模式，通过外部增益电阻设置，可实现±1V/V至±10V/V的增益范围

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1+
￥1.92
10+
￥1.87
30+
￥1.84
100+
￥1.82

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型号：WS3226C-6/TR 编号：C719416

封装：CSP-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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3000+
￥0.598
6000+
￥0.5865
9000+
￥0.56

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型号：WS74285C-8/TR 编号：C16197401

封装：CSP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器失调电压:70μV(Max) 增益误差:0.1%(Max)

1+
￥3.37
10+
￥3.29
30+
￥3.24
100+
￥3.19

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型号：WMM7037AT7-4/TR 编号：C2937730

封装：-

品牌：WILLSEMI(韦尔)

1+
￥8.7
200+
￥3.37
500+
￥3.25
1000+
￥3.19

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型号：ESD54151N-2/TR 编号：C506100

封装：DFN1006-2

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54151N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD54151N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54151N采用WBFBP - 02C - C封装。标准产品无铅且无卤。

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40+
￥0.091575
10000+
￥0.055055

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型号：ESD56281N06-2/TR 编号：C2941825

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56281NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56281NXX专为保护USB端口和电源线而设计。ESD56281NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.16104
40+
￥0.15576
80+
￥0.15312
160+
￥0.1452

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型号：ESD56321N12-2/TR 编号：C5140548

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56321NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56321NXX专为保护USB端口而设计。ESD56321NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.2945
100+
￥0.2369
300+
￥0.2081
1000+
￥0.1865
5000+
￥0.1793

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型号：ESD5441N02-2/TR 编号：C2939832

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5441N02是一款单向TVS（瞬态电压抑制器），专门用于保护可能遭受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击的敏感电子元件。因其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及其他众多便携式应用。ESD5441N02可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达9A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5441N02采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅、无卤。

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10+
￥0.3303
100+
￥0.2631
300+
￥0.2295
1000+
￥0.2043
5000+
￥0.1841
10000+
￥0.1741

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型号：ESD53101N-2/TR 编号：C2941807

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD53101N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD53101N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD53101N可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD53101N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4668
100+
￥0.3756
300+
￥0.33
1000+
￥0.2958
5000+
￥0.2684
10000+
￥0.2547

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型号：WPM1485-6/TR 编号：C239697

封装：DFN-6L(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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3000+
￥0.621
6000+
￥0.6095
9000+
￥0.5824

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型号：WPM3028B-8/TR 编号：C2879855

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3028B 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5000+
￥0.8855
5000+
￥0.8512
15000+
￥0.84

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型号：WNMD2162-8/TR 编号：C910989

封装：PDFN-8(2.4x2.9)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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3000+
￥0.8395
6000+
￥0.828
9000+
￥0.7952

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型号：WS74241D-8/TR 编号：C16197402

封装：DFN3x3-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

VCOM缓冲器通道数:1 -3dB带宽:35MHz SR:60V/μs 功耗:1.8mA/通道峰值输出电流:2000mA 输出轨至轨

1+
￥1.85
10+
￥1.81
30+
￥1.78
100+
￥1.75

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型号：WS74242DH-14/TR 编号：C16197404

封装：TSSOP-14L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

VCOM缓冲器通道数:4 -3dB带宽:32MHz SR:60V/μs 功耗:1.3mA/通道峰值输出电流:1250mA 输出轨至轨

1+
￥2.46
10+
￥2.4
30+
￥2.36
100+
￥2.32

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型号：WS74242H-14/TR 编号：C16197403

封装：TSSOP-14L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

VCOM缓冲器通道数:4 -3dB带宽:35MHz SR:50V/μs 功耗:2mA/通道峰值输出电流:1400mA 输出轨至轨

1+
￥2.46
10+
￥2.4
30+
￥2.36
100+
￥2.32

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型号：WS72412S-8/TR 编号：C717875

封装：SOIC-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72412是一款低功耗、轨到轨输入输出运算放大器，具有低电流噪声、高转换速率和宽信号带宽的特点。低噪声、低输入偏置电流、高速和内置EMI滤波器的特性组合，使这款放大器适用于各种应用场景。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传感器都能从这些性能特点的组合中受益

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1+
￥13.27
10+
￥11.28
30+
￥10.03
100+
￥8.75
500+
￥8.17
1000+
￥7.93

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型号：WPM3022-3/TR 编号：C239625

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

数据手册

3000+
￥0.2712
6000+
￥0.26668
12000+
￥0.2599
24000+
￥0.2486

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型号：WPM2005B-8/TR 编号：C239564

封装：DFN-8L(1.7x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：具有MOSFET和肖特基二极管。每个器件独立引脚，便于电路设计。超低正向压降（VF）肖特基二极管。应用：锂离子电池充电。高端直流-直流转换电路

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10+
￥0.4546
100+
￥0.3634
300+
￥0.3178
3000+
￥0.2836
6000+
￥0.2562
9000+
￥0.2425

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型号：ESDA6V1-5W6-6/TR 编号：C167128

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V1-5W6阵列是一款5通道ESD瞬态电压抑制器，可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。对于正瞬态，这些器件将电压钳位在逻辑电平电源之上；对于负瞬态，将电压钳位在地电平以下一个二极管压降。ESDA6V1-5W6可安全消散±20 kV的ESD冲击，超过了IEC 61000-4-2国际标准的最高要求。按照MILSTD-883（方法3015）人体模型（HBM）ESD规范，该器件可对大于±20 kV的接触放电提供保护。ESDA6V1-5W6采用SOT-363封装，工作电压为5 V。

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