韦尔dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：WPM2049-3/TR 编号：C719422

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2049是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10000+
￥0.168
20000+
￥0.1568
30000+
￥0.1456

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型号：WPM1480-3/TR 编号：C239640

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1480采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于直流-直流转换应用。标准产品WPM1480为无铅产品

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3000+
￥0.2645
6000+
￥0.253
9000+
￥0.2352

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型号：SPD82202B-2/TR 编号：C2941842

封装：SMB

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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20+
￥0.402155
3000+
￥0.306544

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型号：WPMD2076-8/TR 编号：C2941879

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPMD2076 是一款双 P 沟道逻辑模式功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。该高密度工艺专为最大程度降低导通电阻而设计。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

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5+
￥0.5898
50+
￥0.4698
150+
￥0.4098
500+
￥0.3648
2500+
￥0.3288
4000+
￥0.3108

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型号：ESD56101D10-2/TR 编号：C399978

封装：DFN1610-2

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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10000+
￥0.34384
20000+
￥0.33376
30000+
￥0.3248

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型号：WPM2087-3/TR 编号：C910990

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2087 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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3000+
￥0.23
6000+
￥0.2185
9000+
￥0.2016

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型号：ESD56151D04-2/TR 编号：C506129

封装：DFN1610-2

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅且无卤。

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10000+
￥0.2912
20000+
￥0.28
30000+
￥0.2688

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型号：ESDA6V8UL-3/TR 编号：C910981

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

5+
￥0.7785
50+
￥0.6201
150+
￥0.5409
500+
￥0.4815
3000+
￥0.3798
6000+
￥0.356

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型号：WCM2079-8/TR 编号：C506226

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM2079 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管封装于一体的产品，适用于 DC-DC 转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。标准产品 WCM2079 无铅且无卤

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5+
￥0.7895
50+
￥0.6359
150+
￥0.5591
500+
￥0.5015
2500+
￥0.3991
4000+
￥0.376

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型号：WS742128D-10/TR 编号：C2943883

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742128是一款适用于机顶盒和高清播放器的集成解决方案，旨在优化音频驱动电路性能，同时通过省去用于降噪的外围分立元件来降低物料清单（BOM）成本。WS742128具备一个3Vrms立体声音频驱动器，该驱动器的设计允许去除输出交流耦合电容。它采用单端输入模式，通过外部增益电阻设置，可实现±1V/V至±10V/V的增益范围

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1+
￥1.92
10+
￥1.87
30+
￥1.84
100+
￥1.82

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型号：ESD56281N06-2/TR 编号：C2941825

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56281NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56281NXX专为保护USB端口和电源线而设计。ESD56281NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。

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45+
￥0.16836
90+
￥0.16284
180+
￥0.16008
360+
￥0.1518

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型号：WPM3022-3/TR 编号：C239625

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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3000+
￥0.2712
6000+
￥0.26668
12000+
￥0.2599
24000+
￥0.2486

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型号：WPM1485-6/TR 编号：C239697

封装：DFN-6L(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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3000+
￥0.621
6000+
￥0.6095
9000+
￥0.5824

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型号：WPM2065-6/TR 编号：C506095

封装：DFN-6L(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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50+
￥0.81243
500+
￥0.75225
1000+
￥0.72216
5000+
￥0.69207
10000+
￥0.674016

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型号：WNMD2162-8/TR 编号：C910989

封装：PDFN-8(2.4x2.9)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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3000+
￥0.8395
6000+
￥0.828
9000+
￥0.7952

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型号：WS74241D-8/TR 编号：C16197402

封装：DFN3x3-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

VCOM缓冲器通道数:1 -3dB带宽:35MHz SR:60V/μs 功耗:1.8mA/通道峰值输出电流:2000mA 输出轨至轨

1+
￥1.85
10+
￥1.81
30+
￥1.78
100+
￥1.75

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型号：WS74242H-14/TR 编号：C16197403

封装：TSSOP-14L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

VCOM缓冲器通道数:4 -3dB带宽:35MHz SR:50V/μs 功耗:2mA/通道峰值输出电流:1400mA 输出轨至轨

1+
￥2.46
10+
￥2.4
30+
￥2.36
100+
￥2.32

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型号：WS74242DH-14/TR 编号：C16197404

封装：TSSOP-14L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

VCOM缓冲器通道数:4 -3dB带宽:32MHz SR:60V/μs 功耗:1.3mA/通道峰值输出电流:1250mA 输出轨至轨

1+
￥2.46
10+
￥2.4
30+
￥2.36
100+
￥2.32

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型号：WS3220C9-9/TR 编号：C2941893

封装：CSP-9L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3220的特点是内置低导通电阻（RON）高压开关，绝对最大输入范围为35V直流。内置过压保护（OVP）功能，当输入电压超过固定的过压保护阈值（6.2V / 6.8V / 10.5V / 14.0V）时，会关闭内部开关。关断状态下的开关可断开输入引脚与输出引脚的连接，保护输出免受输入高压影响

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1+
￥3.36
10+
￥2.66
30+
￥2.36
100+
￥1.98
500+
￥1.81
1000+
￥1.71

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型号：WS74285C-8/TR 编号：C16197401

封装：CSP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器失调电压:70μV(Max) 增益误差:0.1%(Max)

1+
￥3.37
10+
￥3.29
30+
￥3.24
100+
￥3.19

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型号：WS72412S-8/TR 编号：C717875

封装：SOIC-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72412是一款低功耗、轨到轨输入输出运算放大器，具有低电流噪声、高转换速率和宽信号带宽的特点。低噪声、低输入偏置电流、高速和内置EMI滤波器的特性组合，使这款放大器适用于各种应用场景。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传感器都能从这些性能特点的组合中受益

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1+
￥13.27
10+
￥11.28
30+
￥10.03
100+
￥8.75
500+
￥8.17
1000+
￥7.93

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型号：ESD56321N12-2/TR 编号：C5140548

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56321NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56321NXX专为保护USB端口而设计。ESD56321NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.2945
100+
￥0.2369
300+
￥0.2081
1000+
￥0.1865
5000+
￥0.1793

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型号：ESD5441N02-2/TR 编号：C2939832

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5441N02是一款单向TVS（瞬态电压抑制器），专门用于保护可能遭受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击的敏感电子元件。因其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及其他众多便携式应用。ESD5441N02可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达9A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5441N02采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅、无卤。

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10+
￥0.3303
100+
￥0.2631
300+
￥0.2295
1000+
￥0.2043
5000+
￥0.1841
10000+
￥0.1741

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型号：WPM2005B-8/TR 编号：C239564

封装：DFN-8L(1.7x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：具有MOSFET和肖特基二极管。每个器件独立引脚，便于电路设计。超低正向压降（VF）肖特基二极管。应用：锂离子电池充电。高端直流-直流转换电路

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250+
￥1.156757
500+
￥0.934304
1000+
￥0.800832

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型号：ESDA6V1-5W6-6/TR 编号：C167128

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V1-5W6阵列是一款5通道ESD瞬态电压抑制器，可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。对于正瞬态，这些器件将电压钳位在逻辑电平电源之上；对于负瞬态，将电压钳位在地电平以下一个二极管压降。ESDA6V1-5W6可安全消散±20 kV的ESD冲击，超过了IEC 61000-4-2国际标准的最高要求。按照MILSTD-883（方法3015）人体模型（HBM）ESD规范，该器件可对大于±20 kV的接触放电提供保护。ESDA6V1-5W6采用SOT-363封装，工作电压为5 V。

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