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封装：VDSON-8

2EDL8x2x是一款专为电信和数据通信应用等先进开关转换器设计的高端-低端驱动器。2EDL802x采用带内置迟滞的独立输入，以增强抗噪能力；而2EDL812x采用带内置迟滞的差分输入，以增强抗噪能力。2EDL812x固有的直通保护确保了系统的稳定性

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型号：NCD57085DR2G 编号：C2902212

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx57085是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器，具有2.5 kVrms内部电流隔离，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断和故障报告功能的电流检测功能。NCx57085可适应3.3 V至20 V的宽范围输入偏置电压和信号电平，以及高达30 V的宽范围输出偏置电压。

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型号：1EDF5673F 编号：C530947

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolGaN™ 及类似的氮化镓（GaN）开关在导通状态下需要几毫安的连续栅极电流。此外，由于阈值电压较低且开关瞬态极快，可能需要负的关断电压电平。广泛使用的 RC 耦合栅极驱动器可满足这些要求，但其开关动态特性存在占空比依赖性，且在特定情况下缺乏负栅极驱动

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型号：HMC8038LP4CETR 编号：C208270

封装：LFCSP-16(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

高隔离度、硅SPDT、非反射开关，0.1GHz至6.0GHz

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型号：2EDL8033G3CXTMA1 编号：C7175171

封装：SON-10(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDL803x 旨在以半桥配置驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作在最高 120 V 自举电压下的高端 MOSFET。版本 4 具备完整的 4 A 电流驱动能力，而版本 3 具备 3 A 电流驱动能力

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型号：QPC6014TR7 编号：C20754670

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：Qorvo

是一款绝缘硅 (SOI) 单刀单掷 (SPST) 吸收式开关，适用于蜂窝、3G、LTE 等高性能通信系统。提供高隔离度，具备出色的线性度和功率处理能力。RF 端口无需隔直电容。设计为非反射式，在关断状态下 RF2 端口端接 50 欧姆。与 +1.8V 正逻辑兼容。

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型号：QPC6324SR 编号：C22398931

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：Qorvo

是一款绝缘体上硅 (SOI) 单刀双掷 (SPDT) 开关，设计用于 4G/5G 无线基础设施应用和其他高性能通信系统。它具有高隔离度、出色的线性度和功率处理能力。RF 端口无需隔直电容。该设计为非反射式，使得 RFX 端口在关断状态下终端电阻为 50Ω。与 +1.8V 逻辑兼容。采用符合 RoHS 标准的紧凑型 QFN 4×4mm 表面贴装无引脚封装。

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型号：STGAP2SICSNTR 编号：C5267665

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

适用于 SiC MOSFET 的电隔离 4 A 单栅极驱动器

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型号：HT0440LG-G 编号：C622888

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是双路、高压、隔离式MOSFET驱动器，采用专有HVCMOS技术。旨在驱动配置为双向或单向开关的分立MOSFET。可驱动N沟道MOSFET作为高达400V的高端开关。当逻辑输入A和B为高电平时，会向输出端VoutA和VoutB产生两个独立的直流隔离电压。可以通过向CLK引脚施加外部时钟信号来禁用内部时钟，这允许调整功耗和交流特性以满足特定需求。CLK引脚在不使用时应接地。不需要任何外部电源，当两个逻辑输入A或B中的任何一个为高电平时，内部电源电压由它们提供。

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型号：VSWA2-63DR+ 编号：C17624546

封装：QFN-16(4x4)

品牌：Mini-Circuits

VSWA2-63DR+是一款高隔离度吸收型单刀双掷射频开关，内置CMOS驱动器，可在单正电源电压下工作，典型电流消耗为12μA。适用于50Ω系统的500-6000MHz宽带操作，也可在75Ω系统中使用，但回波损耗会有所下降。该开关在300kHz至500MHz范围内具有反射开关性能。封装为4mmx4mmx0.9mm，MSL1等级，ESD防护等级为1A。

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型号：NCD57252DWR2G 编号：C2902111

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

是高电流双通道隔离 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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型号：1EDI3023ASXUMA1 编号：C17605394

封装：BFSOP-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压IGBT驱动器，专为5 kW以上的汽车电机驱动器设计。该器件基于英飞凌的无芯变压器（CT）技术，在低压和高压域之间提供电流隔离。该器件支持400 V、600 V和1200 V IGBT技术。该器件具有最小12 A峰值电流的高输出级

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型号：NCD57256DR2G 编号：C17585826

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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型号：MAX22291EASA/V+ 编号：C20265519

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

强化型、快速、低功耗双通道数字隔离器，适用于汽车和工业应用。

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型号：HT0440K6-G 编号：C625064

封装：TDFN-10-EP(3x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

一款采用专有 HVCMOS 技术的双路高压隔离式 MOSFET 驱动器。它旨在驱动配置为双向或单向开关的分立 MOSFET。它能够驱动用作高端开关的 N 沟道 MOSFET，最高耐压可达 400V

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型号：CPC1596GS 编号：C5291403

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse(美国力特)

CPC1596 是一款光隔离、负载偏置的栅极驱动器，无需额外的电源来偏置外部 MOSFET 栅极；在关断状态下，它可将从负载（最高 570V）汲取的电压调节至 12.2V 以供内部使用。它专为低占空比开关应用而设计，例如使用单个 MOSFET 的光隔离直流继电器或使用两个 MOSFET 的交流继电器。当向器件的 LED 施加输入控制电流时，CPC1596 通过将存储在外部电容器中的电荷提供给 MOSFET 栅极，实现 MOSFET 的快速导通

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型号：URA2415YMD-10WR3 编号：C19078070

封装：插件,25.4x25.4mm

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

URA2415YMD-10WR3 DC/DC 宽输入范围（<9Vdc~36Vdc）工业级电源模块。具有体积小和短路保护等功能，提供输入与输出500Vdc 的高隔离耐压和10W 的输出功率。

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型号：BM61M41RFV-CE2 编号：C17309491

封装：SSOP-10-8mm

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：1ED3830MC12MXUMA1 编号：C17424704

封装：SOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：SI8234BC-D-IS1 编号：C17563172

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

将两个独立的隔离驱动器集成到一个封装中，有高侧/低侧驱动和双驱动版本，有0.5A和4.0A峰值输出电流版本。所有驱动器的最大电源电压为24V。采用专有硅隔离技术，每UL1577标准提供高达5kVRMS的耐受电压和快速45ns传播时间。驱动器输出可接地到相同或不同的地，或连接到正电压或负电压。具有>400mV迟滞的TTL电平兼容输入，有单独控制输入或PWM输入配置。高集成度、低传播延迟、小安装尺寸、灵活性和成本效益使其适用于广泛的隔离MOSFET/IGBT栅极驱动应用。某些型号有汽车级版本，在制造过程的所有步骤中采用特定于汽车的流程，以确保汽车应用所需的稳健性和低缺陷率。

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型号：NCV57252DWR2G 编号：C2902153

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCx5725y 是大电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，输入与每个输出之间具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件可接受 3.3V

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型号：RD10-12S05W 编号：C5373108

封装：插件

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

具有低纹波噪声，高效率，适用于电力、工业自动化、通信及铁路等场合

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￥40.62
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型号：ADUM342E0BRWZ 编号：C20047659

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：1ED3890MU12M 编号：C17229542

封装：SOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED38x0Mc12M系列（X3数字）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

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型号：ISOUSB111DWXR 编号：C5356623

封装：SSOP-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

ISOUSB111 支持低速和全速的低发射隔离式 USB 中继器

单价：
￥27.969661 / 个

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型号：ISO808TR-1 编号：C17370209

封装：SO-36

品牌：ST(意法半导体)

ISO808和ISO808 - 1是具有低电源电流的8通道电流隔离驱动器。每个驱动器包含2个独立的电流隔离电压域（VCC和VDD分别用于处理和控制逻辑级）。这些IC旨在驱动一侧接地的任何类型负载。每个通道独立的有源通道电流限制（OVL）与热关断（OVT）相结合，可保护器件免受过载影响。内置热关断功能可保护每个通道免受过温和过载影响：每个过热通道在其结温触发保护阈值（TJSD）后自动关闭。如果其结温降至重启阈值（TJR）以下，通道将重新开启。额外的外壳温度传感器可保护整个芯片免受过温影响（OVC事件）：如果外壳温度触发TCSD阈值，则过载通道将关闭，仅当外壳温度降至复位阈值（TCR）时才会重启。未过载的通道将继续正常运行。新增功能包括接地丢失保护、VCC和VDD欠压锁定（带迟滞）以及看门狗。内部电路提供一个或线连接的非锁存OVT，并通过公共FAULT指示引脚报告。 FAULT是一个开漏、低电平有效、故障指示引脚。同步控制模式（通过独立驱动SYNC和LOAD引脚）用于减少输出抖动，并同时驱动不同器件的输出。