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2EDL8x2x是一款专为电信和数据通信应用等先进开关转换器设计的高端-低端驱动器。2EDL802x采用带内置迟滞的独立输入，以增强抗噪能力；而2EDL812x采用带内置迟滞的差分输入，以增强抗噪能力。2EDL812x固有的直通保护确保了系统的稳定性

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型号：1ED3121MC12HXUMA1 编号：C17497486

封装：SOIC-8

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：Gip5028-SW 编号：C48982347

封装：SOW-8

品牌：GLW(格励微)

隔离电源芯片

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型号：DK8518 编号：C53183663

封装：DFN-8(8x8)

品牌：DK(东科半导体)

AHB合封氮化镓

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型号：2EDF7235KXUMA1 编号：C2677067

封装：DSO-16

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：RFSW6042TR7 编号：C2761346

封装：QFN-12L-EP(1.8x1.8)

品牌：Qorvo

RFSW6042是一款低损耗、高隔离度的SP4T开关，优化用于蜂窝基站(CellularBTS)应用。它还非常适合用于CATV和SATV应用。该器件采用紧凑的1.8mmx1.8mm、12引脚QFN封装，无需外部直流阻塞电容器（当不向设备端口施加外部直流时）。

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型号：ADP1051ACPZ-R7 编号：C658683

封装：LFCSP-24(4x4)

是一款具有PMBus接口的先进数字控制器，适用于高密度、高效率的直流到直流电源转换。采用电压模式控制和高速输入线路前馈，可增强瞬态响应和改善噪声性能。拥有六个可编程脉宽调制（PWM）输出，能够控制大多数高效电源拓扑，并可对同步整流（SR）进行额外控制。具备自适应死区时间补偿功能，可提高负载范围内的效率，同时支持可编程轻载模式操作，结合低功耗特性，可降低系统待机功耗

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型号：2EDS7165HXUMA1 编号：C5496118

封装：SOIC-16-300mil

EiceDRIVERTM 2EDi是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，2EDi特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOSTM、OptiMOSTM、CoolSICT、CoolGaNTM）。该产品系列的栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更好的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4 A/8 A用于低欧姆功率MOSFET，1 A/2 A用于更高Rₒₙ MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1 A/2 A加强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4 A/8A）结合用作PWM数据耦合器，放置在超结功率开关附近

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型号：1EDI3021ASXUMA1 编号：C17492860

封装：BFSOP-20-300mil

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 1EDI3021AS 是一款高压 IGBT 驱动器，专为 5 kW 以上的汽车电机驱动设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，可在低压和高压域之间提供电气隔离。该器件旨在支持 400 V、600 V 和 1200 V 的 IGBT 技术

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型号：ADG919BCPZ-REEL7 编号：C657702

封装：LFCSP-8(3x3)

ADG919是一款采用CMOS工艺制造的宽带射频开关，提供高隔离度和低插入损耗。该器件在1GHz时具有43dB的隔离度和0.8dB的插入损耗，适用于无线通信和高速滤波器选择等应用。

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型号：ADUM340E1BRWZ-RL 编号：C20047655

封装：SOIC-16

ADuM340E/ADuM341E/ADuM342E 是基于 iCoupler 技术的四通道数字隔离器。这些隔离组件结合了高速互补金属氧化物半导体（CMOS）和背对背单片空心变压器技术，具备出色的性能特点，在 5 Mbps 速率下符合 CISPR 32/EN 55032 B 级限制。在 5 V 工作电压下，最大传播延迟为 10 ns，脉冲宽度失真小于 3 ns

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型号：URB2405YMD-15WR3 编号：C22391375

封装：插件,25.4x25.4mm

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

URB2405YMD-15WR3 DC/DC宽输入范围（9Vdc~36Vdc）工业级电源模块。具有体积小和短路保护等功能，提供输入与输出500Vdc的高隔离耐压和15W的输出功率。

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型号：ADUM340E0WBRWZ-RL 编号：C20047653

封装：SOIC-16

四通道数字隔离器基于iCoupler技术，结合高速互补金属氧化物半导体 (CMOS) 和背靠背单片空心变压器技术，这些隔离组件具有出色的性能，在5 Mbps时满足CISPR 32/EN 55032 B类限制。在5V工作电压下，最大传播延迟为10 ns，脉冲宽度失真小于3 ns，通道匹配度最高为3.0 ns。数据通道相互独立，有多种配置可供选择，耐受电压额定值为5.7 kV rms。器件两侧的电源电压范围为2.25 V至5.5 V，可与低电压系统兼容，并能在隔离屏障上实现电压转换功能。有两种不同的故障安全选项，当未施加输入电源时，输出将转换到预定状态。

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型号：1EDI3050ASXUMA1 编号：C20189638

封装：DSO-36

特性：单通道隔离式 IGBT/SiC 驱动器，采用无芯变压器技术。适用于高达 1200 V 的 IGBT/SiC-MOSFET。集成 SPI。共模瞬态抗扰度（CMTI）高达 150 V/ns（最高 1000 V）。应用：混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）的牵引逆变器。高功率 DC/DC 转换器

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型号：1EDI2002AS 编号：C530953

封装：DSO-36

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型号：VRB4805LD-15WR3 编号：C507749

封装：DIP,50.8x25.4mm

特性：宽2:1输入电压范围。高效率高达90%。空载功耗低至0.12W。 I/O隔离测试电压1.5kV DC。输入欠压保护、输出短路、过流、过压保护。工作环境温度范围：-40°C至+85°C。应用：数据传输设备。电池电源

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型号：URB2405YMD-20WR3 编号：C22391379

封装：插件,25.4x25.4mm

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

URB2405YMD-20WR3 DC/DC 宽输入范围（9Vdc~36Vdc）工业级电源模块。具有体积小和短路保护等功能，提供输入与输出500Vdc 的高隔离耐压和30W 的输出功率。

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型号：ADUM3160WBRWZ 编号：C660746

封装：SOIC-16-300mil

ADuM3160是一款USB端口隔离器，它将高速CMOS工艺与单片空芯变压器技术相结合，可提供优异的工作性能，并且很容易与低速和全速USB兼容外设集成。许多微控制器实施的USB只向外部引脚提供D+和D−线路。这在许多情况下都符合需求，因为它仅需极少的外部器件，并简化了设计；不过，当需要隔离时，这会带来难题。由于USB线路必须在主动驱动D+/D-与允许外部电阻设置总线状态之间切换，因此ADuM3160结构既可以检测数据流向，也能够控制输出缓冲的状态。数据流向根据逐包处理确定。ADuM3160将基于边沿检测的iCoupler技术与内部逻辑结合使用，实现透明、易于配置、面对上游的端口隔离器。隔离上游端口具有电路简单、电源管理和操作稳健等多种优势。这款隔离器的传播延迟与标准集线器和电缆的传播延迟相当。它可以采用任一侧的4.5 V至5.5 V总线电压供电，并能在内部将该电压调节至信号电平，从而与V_BUSx直接相连。ADuM3160对上拉电阻进行隔离控制，以便外设能控制连接时序。该器件在空闲状态下消耗的电流非常低，因此不需要挂起状态。也可提供2.5 kV强化隔离版本ADuM4160。

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￥77.83
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型号：UCD3138RJAR 编号：C2657863

封装：VQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

UCD3138 是一款数字电源控制器，在一个单芯片解决方案内提供高集成度和优异的性能。UCD3138 灵活的特性使得此器件适合于品种繁多的电源转换应用。此外，器件内的多种外设已经过专门优化，用于提升 AC/DC 和隔离式 DC/DC 应用性能并减少信息技术 (IT) 和网络基础设施空间内的解决方案组件数量。UCD3138 控制器是完全可编程的解决方案，可以使客户完全控制相关应用，并且能够在同类解决方案中脱颖而出。与此同时，致力于通过提供一流的开发工具来简化用户的开发工作，其中包括应用固件、CodeComposer Studio 软件开发环境和电源开发 GUI，这使得用户能够配置和监控关键系统参数。UCD3138 控制器的核心是数字控制环路外设，也称作数字电源外设 (DPP)。每个 DPP 实现一个高速数字控制环路，此环路由专用误差模数转换器 (EADC)、基于 PID 的双极点/双零点数字补偿器以及脉宽分辨率为 250ps 的 DPWM 输出组成。此器件还包含一个 12 位、267ksps 通用 ADC，此 ADC 具有多达 15 个通道、定时器、中断控制、PMBus 以及 UART 通信端口。此器件基于一个 32 位 ARM7TDMI-S 精简指令集计算机 (RISC) 微控制器，该微控制器可执行实时监控、配置外设以及管理通信。ARM 微控制器从可编程闪存以及片上 RAM 和 ROM 执行其程序。除了 FDPP，特定电源管理外设已被添加以便在全部运行范围内启用高效、针对增加的功率密度的高集成度、可靠性、和最低总体系统成本以及支持最广泛控制体系和拓扑数量的高灵活性。此类外设包括：轻负载突发模式、同步整流、LLC 和移相全桥模式开关、输入电压前馈、铜走线电流检测、理想二极管仿真、恒定电流/恒定功率控制、同步整流软开启和关闭、峰值电流模式控制、磁通均衡、二次侧输入电压检测、高分辨率电流均流、带预偏置电压的硬件可配置软启动等。已经针对电压模式和峰值电流模式受控相移全桥、单双相位功率因数校正 (PFC)、无桥 PFC、硬开关全桥和半桥、以及 LLC 半桥和全桥进行了拓扑支持优化。

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型号：ADN4621BRIZ 编号：C7452443

封装：SOIC-16-16mm

是双通道、信号隔离、低电压差分信号 (LVDS) 缓冲器，工作速率高达 2.5 Gbps，抖动极低。集成 iCoupler 技术，用于提供 LVDS 信号链的直接电流隔离。AC 耦合和/或从 LVDS 驱动器到 LVDS 接收器的电平转换允许隔离其他高速信号，如电流模式逻辑 (CML)。包括刷新机制，以监控输入和输出状态，并确保在没有数据转换时它们保持不变

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型号：URF2415QB-100WR3A5 编号：C19274540

封装：-

特性：超宽4:1输入电压范围。高效率达90%。I/O隔离测试电压：2.25kV DC。输入欠压保护、输出短路、过流、过压、过温保护。工作环境温度范围：-40℃至+85℃。五面金属屏蔽封装。应用：电池供电系统。工业控制

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￥327.41

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型号：URF4824QB-100WHR3A6 编号：C19274544

封装：DIP,137x70mm

特性：超宽4:1输入电压范围。高效率达94%。 I/O隔离测试电压：2250VDC。工作环境温度范围：-40℃至+85℃。输入欠压保护、输出过压、过流、短路、过温保护。五面金属屏蔽封装。应用：电池供电系统。工业控制

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￥348.47
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￥337.04

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型号：URF1D54HB-250WR3A7 编号：C19274538

封装：-

特性：超宽输入电压范围：43-160VDC。高达89%的高效率。加强绝缘，I/O隔离测试电压3KVAC。工作环境温度范围：-40℃至+100℃。输入欠压保护、反极性保护、输出过压、过流、短路保护、过温保护。远程开/关控制。应用：集中照明。空调

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型号：URF1D05HB-250WR3A7 编号：C19274530

封装：-

特性：超宽输入电压范围：43-160VDC。高达89%的高效率。加强绝缘，I/O隔离测试电压3KVAC。工作环境温度范围：-40℃至+100℃。输入欠压保护、反极性保护、输出过压、过流、短路保护、过温保护。远程开/关控制。应用：集中照明。空调

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型号：URF1D15FB-400WR3 编号：C19274532

封装：DIP-11