dcdc隔离芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：1EDN6550BXTSA1 编号：C5481755

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动器 IC 的 TDI 系列产品。TDI 系列具备全差分输入电路。真正的差分输入（TDI）提供出色的共模抗扰度（CMR），并消除误触发风险

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型号：RS553YUC9 编号：C5372582

封装：WLCSP9

品牌：RUNIC(润石)

高性能双单刀单掷 (SPST x 2) 音频开关。耗尽技术允许设备在无 VCC 时传导信号，有 VCC 时隔离信号。在信号传导期间，耗尽栅极控制使设备实现出色的 THD+N 性能，同时功耗极低。采用环保 DFN3×3-8L 和 WLCSP9 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。

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型号：π110M31 编号：C970947

封装：SOIC-8-N

品牌：2Pai Semi(荣湃)

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型号：π110M30 编号：C970946

封装：SOIC-8

品牌：2Pai Semi(荣湃)

采用成熟的标准半导体CMOS技术和iDivider技术，这些隔离组件提供了卓越的性能和可靠性，优于光耦设备和其他集成隔离器等替代产品。智能分压器技术（iDValer技术）是由2PaiSEMI发明的新一代数字隔离器技术。它利用电容分压器原理，直接通过隔离电容传输电压信号，无需信号调制和解调。隔离器数据通道独立，有多种配置可供选择，耐压等级为1.5kV rms至6.0kV rms，数据速率从直流到600Mbps。设备两侧的电源电压范围为3.0V至5.5V，与低电压系统兼容，并能在隔离屏障上实现电压转换功能。具备故障安全状态，当输入电源未接入时，输出将转换到预设状态。

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型号：2EDB7259KXUMA1 编号：C17349824

封装：LGA-13(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款双通道隔离栅极驱动IC，用于驱动Si MOSFET、SiC MOSFET和GaN功率开关。通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，保证了稳健的操作和行业基准共模抑制（CMTI）。高传播延迟精度和低通道间失配使其非常适合用于快速开关电源系统。此外，高CMTI、高反向电流能力和低于欠压锁定（UVLO）的快速输出钳位保证了应用中的可靠运行。

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型号：F2405S-1WR3 编号：C22749808

封装：SIP,19.5x6mm

品牌：YLPTEC(易川)

应用范围:F S-1WR3系列--是小体积，高效率的微小功率，定电压输入，隔离非稳压，单路输出，DCIDC模块电源:该系列产品是专门针对板上电源系统中需要产生一组与输入电源隔离的电压的应用场合而设计的。该产品适用于:1)输入电源的电压比较稳定(电压变化范围+10%Vin); 2)输入输出之间要求隔离(隔离电压≤3000VDC): 3)对输出电压稳定度要求不高; 4)典型应用:纯数字电路场合，一般低频模拟电路场合，继电器驱动电路，数据交换电路场合等:

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型号：2EDB8259KXUMA1 编号：C17368311

封装：LGA-13(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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型号：CH315G 编号：C92287

封装：SOP-14

品牌：WCH(南京沁恒)

CH315G/D是USB延长线控制芯片，用于USB信号的实时中转和传输距离扩展。CH315H是USB信号隔离控制芯片，用于USB总线的光电隔离器或者磁电隔离器。CH315支持全速USB传输和低速USB传输，支持USB设备动态插拔。

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型号：CH315H 编号：C96509

封装：SOP-18-300mil

品牌：WCH(南京沁恒)

CH315G/D是USB延长线控制芯片，用于USB信号的实时中转和传输距离扩展。CH315H是USB信号隔离控制芯片，用于USB总线的光电隔离器或者磁电隔离器。CH315支持全速USB传输和低速USB传输，支持USB设备动态插拔。

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型号：MP18851-A4BGLU-Z 编号：C20099536

封装：LGA-13(5x5)

品牌：MPS(芯源)

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型号：2EDF7175FXUMA2 编号：C1869517

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

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型号：NXE1S0303MC-R13 编号：C5185191

封装：SMD-5P

品牌：muRata(村田)

NXE1系列是一系列新型低成本、薄型、全自动化制造的表面贴装DC-DC转换器。NXE1系列采用基板嵌入式变压器的自动化制造工艺，在无卤、可检查的iLGA封装中提高了产品可靠性和性能重复性。NXE1系列的行业标准引脚布局与现有设计兼容。NXE1系列的湿敏等级为2级，并且符合J-STD-020标准，可承受260℃的峰值回流焊温度。

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型号：MP18851-A4BGY-Z 编号：C20099539

封装：SOIC-16

品牌：MPS(芯源)

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型号：SI8271AB-IS 编号：C22416591

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS

该产品适用于各种电源、逆变器和电机控制应用中驱动功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2500VRMS的耐受电压（UL1577标准），具有业界领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、低温度和老化变化、良好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还具备独立的上拉/下拉输出、欠压锁定故障时驱动器关断和精确的死区时间可编程等独特特性。与光耦栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和更高的可靠性

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型号：URB2405YMD-10WR3 编号：C19078069

封装：插件,25.4x25.4mm

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

URB2405YMD-10WR3 DC/DC 宽输入范围（9Vdc~36Vdc）工业级电源模块。具有体积小和短路保护等功能，提供输入与输出500Vdc 的高隔离耐压和10W 的输出功率。

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型号：LT8316EFE#WTRPBF 编号：C37816914

封装：TSSOP-20

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：EN5311QI 编号：C163703

封装：QFN-20-EP(4x5)

品牌：Intel/Altera

超薄型EN5311QI适用于对电路板面积和厚度要求严苛的应用场景。EN5311QI是一款完整的电源转换解决方案，仅需两个低成本的陶瓷多层陶瓷电容器（MLCC）。电感器、MOSFET、脉宽调制器（PWM）和补偿电路集成在一个5mm x 4mm x 1.1mm的小型QFN封装中

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型号：UCD3138064ARGCR 编号：C2657887

封装：VQFN-64-EP(9x9)

品牌：TI(德州仪器)

是一款数字电源控制器，在一个单芯片解决方案内提供高集成度和优异的性能。可提供64kB闪存程序存储器，以及SPI和I²C端口等附加通信选件。2-32kB组内的64kB程序闪存存储器的可用性使得设计人员能够在器件中执行固件的双镜像，以及从任一使用适当算法的组中执行的灵活性。它还为处理器创造了独一无二的机会来载入一个新程序并随后执行那个程序，而不会中断电源传送。该特性使得最终用户能够现场为电源添加新特性，同时消除了载入新程序所需的任何停机时间。此控制器灵活的特性适用于广泛的电源转换应用。此外，器件内的多种外设已经过专门优化，用于提升AC/DC和隔离式DC/DC应用性能并减少信息技术和网络基础设施空间内的解决方案组件数量。是完全可编程的解决方案，可以使用户对相关应用实现完全控制，并且能够在同类解决方案中脱颖而出

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型号：URB2424YMD-20WR3 编号：C22391381

封装：插件,25.4x25.4mm

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

URB2424YMD-20WR3 DC/DC 宽输入范围（9Vdc ~ 36Vdc）工业级电源模块。具有体积小和短路保护等功能，提供输入与输出500Vdc 的高隔离耐压和20W 的输出功率。

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型号：UCD3138064RJAR 编号：C3686363

封装：VQFN-40(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

在一个单一芯片解决方案内提供高集成度和出色性能，提供64kB程序闪存存储器，以及诸如SPI和第二I²C端口等针对通信的额外选项。2-32kB组内的64kB程序闪存存储器的可用性使得设计人员能够在器件中执行固件的双镜像，以及从任一使用适当算法的组中执行的灵活性。它还为处理器创造了机会来载入一个新程序并随后执行该程序，而不会中断电力输送。该特性使得最终用户能够现场为电源添加新特性，同时消除了载入新程序所需的任何停机时间。此器件适用于广泛的电源转换应用。此外，器件内的多种外设已经过专门优化，用于提升AC/DC和隔离式DC/DC应用性能并减少信息技术(IT)和网络基础设施空间内的解决方案组件数量

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型号：URB2405YMD-30WR3 编号：C22391383

封装：插件,25.4x25.4mm

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

URB2405YMD-30WR3 DC/DC宽输入范围（9Vdc~36Vdc）工业级电源模块。具有体积小和短路保护等功能，提供输入与输出500Vdc的高隔离耐压和20W的输出功率。

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型号：ADP1074ACCZ 编号：C1019392

封装：LGA-24(4x8)

品牌：ADI(亚德诺)

集成有源钳位和iCoupler®的隔离式同步正向控制器

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型号：BQ79735PHPRQ1 编号：C42145811

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

该器件可用于测量电池系统中的高电压分压节点。它可以测量保险丝和接触器两端的电压，并检查电池接线盒(BJB)系统中的隔离电压。有15个GPIO/辅助输入可用于高压测量、热敏电阻测量和驱动继电器。有4个SW输出可用于驱动测量路径中的MOSFET开关管。该器件可用作SPI集线器并与多达8个独立的SPI器件/组进行连接。隔离式双向菊花链端口支持基于电容器和变压器的隔离。该器件还可以通过SPI和UART与MCU通信。

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型号：UCD3138128APFCR 编号：C2657801

封装：TQFP-80(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

UCD3138xA 是一款数字电源控制器，在单芯片解决方案中提供卓越的集成度和性能。与 UCD3138A 的 32 kB 相比，UCD3138128A 提供 128 kB 的程序闪存，并且还提供了诸如 SPI 和第二个 I2C/PMBus 端口等额外的通信选项。多个 32 kB 存储体的程序闪存使设计人员能够在设备中实现固件的双镜像（即一个主镜像 + 一个备份镜像），并可通过适当的算法从任意一个存储体执行程序

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￥114.49

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型号：UCD3138064RGCR 编号：C2657810

封装：VQFN-64-EP(9x9)

品牌：TI(德州仪器)

在一个单一芯片解决方案内提供高集成度和出色性能，提供64kB程序闪存存储器，以及诸如SPI和第二I²C端口等针对通信的额外选项。2-32kB组内的64kB程序闪存存储器的可用性使得设计人员能够在器件中执行固件的双镜像，以及从任一使用适当算法的组中执行的灵活性。它还为处理器创造了机会来载入一个新程序并随后执行该程序，而不会中断电力输送。该特性使得最终用户能够现场为电源添加新特性，同时消除了载入新程序所需的任何停机时间。此器件适用于广泛的电源转换应用。此外，器件内的多种外设已经过专门优化，用于提升AC/DC和隔离式DC/DC应用性能并减少信息技术(IT)和网络基础设施空间内的解决方案组件数量

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型号：ADN4622BCPZ 编号：C7457597

封装：LFCSP-32(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

具有5.7 kV rms和1.5 kV rms隔离能力的LVDS隔离器，支持高达2.5 Gbps的数据传输速率。

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型号：MXD8680 编号：C285568

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：Maxscend(卓胜微)

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型号：SDH7611ASHTR 编号：C601596

封装：SOP-7

品牌：SILAN(士兰微)

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型号：π122M61 编号：C970955

封装：SOIC-16-300mil

品牌：2Pai Semi(荣湃)

使用成熟的标准半导体CMOS技术和iDivider技术，这些隔离组件提供了出色的性能特性和可靠性，优于光耦合器设备和其他集成隔离器等替代产品。智能分压器技术（iDivider技术）是一种新一代数字隔离器技术，它利用电容分压器原理直接通过隔离器电容传输电压信号，无需信号调制和解调。隔离器数据通道是独立的，有多种配置可供选择，耐压等级为1.5kV rms至5.0kV rms，数据速率从直流到600Mbps。器件两侧的电源电压范围为3.0V至5.5V，可与低电压系统兼容，并能在隔离屏障上实现电压转换功能。当未施加输入电源时，输出会转换到预设状态。

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￥4.84
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￥3.5
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型号：BGS15MU14E6327XTSA1 编号：C1518969

封装：ULGA-14

品牌：Infineon(英飞凌)

专为 LTE 和 5G 反馈接收应用而设计，在高达 6 GHz 的频率下提供高隔离度、低插入损耗和低谐波生成。它通过 MIPI RFFE 控制器进行控制。片上控制器允许电源电压范围为 1.65 至 1.95 V。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在 RF 端口使用外部直流阻隔电容器。采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，兼具 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度，包括固有的更高 ESD 鲁棒性。该器件尺寸非常小，仅为 1.9×1.5 mm²，最大厚度为 0.6 mm。

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