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适用于各种铁路应用，输出功率可达50W，输入电压范围为14-160VDC，兼容24V、48V、72V、96V和110V的标称输入类型，符合电压波动的EN50155标准。加强型高绝缘300VAC确保系统在5000m高海拔应用中仍可安全使用。允许的工作温度高达105°C，集成了多种保护功能，确保系统的安全性和高可靠性，具有远程控制和补偿、输出电压调节等功能，可完美匹配应用中的线路损耗和特殊电压要求。

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型号：UWTH1D48QB-50WFR3S 编号：C19274547

封装：DIP-10

品牌：MORNSUN(金升阳)

适用于各种铁路应用，输出功率可达50W，输入电压范围为14-160VDC，兼容24V、48V、72V、96V和110V的标称输入类型，符合电压波动的EN50155标准。加强型高绝缘300VAC确保系统在5000m高海拔应用中仍可安全使用。允许的工作温度高达105°C，集成了多种保护功能，确保系统的安全性和高可靠性，具有远程控制和补偿、输出电压调节等功能，可完美匹配应用中的线路损耗和特殊电压要求。

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型号：URF1D05HB-250WHR3 编号：C19274529

封装：DIP,62x58mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：超宽输入电压范围：40-160VDC。高效率达90%。加强绝缘，I/O隔离测试电压3kVAC。工作环境温度范围 -40℃至 +105℃。输入欠压保护、输出过压、过流、短路保护、过温保护。行业标准，1/2砖封装和引脚输出。应用：集中照明。空调

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型号：TMUX136RSER 编号：C2673272

封装：UQFN-10(1.5x2)

品牌：TI(德州仪器)

高性能6GHz 2通道2:1开关，支持差动和单端信号。具有2.3V至4.8V的宽Vcc范围，支持断电保护功能。

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￥3.22272 / 个

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型号：TMUX136MRSER 编号：C2673277

封装：UQFN-10(1.5x2)

品牌：TI(德州仪器)

高性能6GHz 2通道2:1开关，支持差动和单端信号。具有2.3V至4.8V的宽Vcc范围，支持断电保护功能。

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单价：
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型号：2EDR8258XXUMA1 编号：C17613836

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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型号：2EDS8165HXUMA2 编号：C1869518

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计。它们针对温度和生产差异进行了高定时精度优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更高的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高Rₒₙ的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）

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型号：D17W+ 编号：C3176802

封装：SOT-23-6

品牌：Mini-Circuits

MMIC定向耦合器设计用于700至3500 MHz的应用。该型号在一个微小的设备封装（3.1 × 3.0 × 1.6 mm）中提供高达4W的出色功率处理能力。隔离端口上内置的50Ω终端简化了电路设计并减少了组件数量。采用硅IPD技术制造，该型号提供高水平的ESD保护和出色的可靠性。

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型号：A89103KETSR-5 编号：C26515738

封装：QFN-28(5x5)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

能够控制五个MOSFET，在三相无刷直流（BLDC）应用中提供电机相位隔离和电源隔离。三个浮动栅极驱动输出可在整个电源范围内，使相位隔离功率MOSFET保持导通状态，适用于12V和48V系统的电机相位连接，具有高相电压和高dv/dt。另外两个浮动栅极驱动器用于在反接电池或短路情况下隔离电池电源电压。支持源极到源极和漏极到漏极的电池MOSFET隔离

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型号：1EDI3020ASXUMA1 编号：C17228976

封装：BFSOP-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压 IGBT 驱动器，专为 5 kW 以上的汽车电机驱动器设计。基于无芯变压器 (CT) 技术，在低压和高压域之间提供电流隔离。支持 400 V、600 V 和 1200 V IGBT 技术。

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型号：URB4815XYMD-20WR3 编号：C19274528

封装：DIP,25.4x25.4mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：超宽4:1输入电压范围。高达91%的高效率。 I/O隔离测试电压1.5kV DC。输入欠压保护、输出短路、过流、过压保护。工作环境温度范围-40°C至+105°C。行业标准引脚排列。应用：工业控制。电力

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型号：SD6904STR 编号：C68792

封装：SOP-7

品牌：SILAN(士兰微)

带PFC的单级原边控制模式LED驱动IC

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型号：NJG1699MD7-TE1 编号：C3039927

封装：EQFN-14(1.6x1.6)

品牌：JRC

是一款GaAs高隔离度单刀四掷（SP4T）开关单片微波集成电路（MMIC），具有低插入损耗和极高的隔离度。在PC端口集成了直流阻断电容，集成电路中集成了静电放电（ESD）保护电路，以实现高ESD耐受性，采用超小超薄的EQFN14-D7封装。

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型号：2EDL8024G 编号：C2688910

封装：SON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDL8x2x是一款专为电信和数据通信应用等先进开关转换器设计的高端-低端驱动器。2EDL802x采用带内置迟滞的独立输入，以增强抗噪能力；而2EDL812x采用带内置迟滞的差分输入，以增强抗噪能力。2EDL812x固有的直通保护确保了系统的稳定性

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型号：A6862KLPTR-T 编号：C2677085

封装：TSSOP-16-EP-175mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A6862是一款N沟道功率MOSFET驱动器，能够在相位隔离应用中控制作为三相固态继电器连接的MOSFET。它具有三个独立的浮动栅极驱动输出，可在整个电源范围内以高相电压转换速率使功率MOSFET保持导通状态。集成的电荷泵稳压器可提供高于电池电源的电压，当相电压等于电池电压时，该电压是使功率MOSFET持续保持导通状态所必需的

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型号：SI8261ABC-C-IP 编号：C17303168

封装：DIP-8

品牌：SKYWORKS

是流行的光耦合栅极驱动器的引脚兼容、直接替换升级产品，适用于驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率MOSFET和IGBT。采用专有硅隔离技术，支持高达5.0 kVᵣₘₛ的耐受电压和10 kV浪涌保护。与光耦合栅极驱动器相比，具有更高性能、随温度和时间变化更小、器件间匹配更紧密以及出色的共模抑制能力。输入电路模拟LED特性，但所需驱动电流更小，效率更高。传播延迟时间与输入驱动电流无关，传播时间始终较短，器件间变化更小，输入电路设计更灵活。与光耦合栅极驱动器相比，使用寿命更长，可靠性显著提高。部分产品提供汽车级版本，在制造过程的所有步骤中采用汽车专用流程，以确保汽车应用所需的耐用性和低缺陷率。

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型号：SI8285CC-ISR 编号：C17242252

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

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型号：F2913NLGK8 编号：C2151927

封装：VFQFPN-20(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

F2913是一款高隔离度、低插入损耗的50ΩSP2T吸收式射频开关，适用于多种无线和射频应用。该设备覆盖50MHz至6000MHz的广泛频率范围，提供低插入损耗和高隔离度性能，并在所有RF端口提供50Ω终止。

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型号：SI8233BB-D-IMR 编号：C7424694

封装：LGA-14

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si823x 隔离驱动器系列将两个独立的隔离驱动器集成到一个封装中。Si8230/1/3/4 是高端/低端驱动器，而 Si8232/5/7/8 是双驱动器。有峰值输出电流为 0.5 A（Si8230/1/2/7）和 4.0 A（Si8233/4/5/8）的版本可供选择

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型号：SIC1182K 编号：C17330233

封装：eSOP-R16B

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

SIC1182K 是一款采用 eSOP-R16B 封装的单通道栅极驱动器，适用于碳化硅（SiC）MOSFET。Power Integrations 公司创新的固体绝缘 FluxLink 技术提供了加强型电流隔离。高达 ±8 A 的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动标称电流高达 600 A（典型值）的器件