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表面贴装单片放大器，直流至4 GHz

型号：GALI-33+ 编号：C3193275

封装：SOT-89

品牌：Mini-Circuits

是一款宽带放大器，提供高动态范围。引脚镀层为SnAgNi，批次间性能具有可重复性，采用SOT-89封装。使用专利的瞬态保护达林顿配置，采用InGaP HBT技术制造。在85℃外壳温度下，预计平均无故障工作时间（MTTF）为13000年。设计坚固，可承受静电放电（ESD）和电源开启瞬变。

1+
￥15.93
10+
￥15.52
30+
￥15.25

有货

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HXG-242+

型号：HXG-242+ 编号：C20231734

封装：-

品牌：Mini-Circuits

1+
￥130.43
10+
￥123.9
30+
￥112.59

有货

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低电流、宽带单片放大器

型号：EHC-24L+ 编号：C7500889

封装：SMD-4P

品牌：Mini-Circuits

EHC-24L+ 是一款低电流、宽带增益块，最高工作频率可达 20 GHz，采用高度可靠的 HBT 工艺制造。这款达林顿对放大器具有出色的增益平坦度、良好的回波损耗、低电流，并且在宽频带范围内具有可接受的 P1dB 和 OIP3，无需外部匹配网络。它具有从批次到批次的高度可重复性能，并封装在 4 引脚陶瓷封装中。

1+
￥159.61
10+
￥154.08

有货

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低噪声、宽带、低电流单片放大器

型号：PMA2-183LN+ 编号：C3191223

封装：TFDFN-8-EP

品牌：Mini-Circuits

基于E-PHEMT的宽带、低噪声MMIC放大器，兼具低噪声、高IP3和低电流的独特组合，非常适合用于高灵敏度、高动态范围的接收器应用。该设计采用单+5V电源供电，匹配50Ω，采用小型薄型封装（2 x 2mm，8引脚MCLP），适合密集电路板布局。

1+
￥235.4
30+
￥226.84

有货

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中等功率放大器芯片，5 - 20 GHz

型号：HMC451 编号：C1525951

封装：-

品牌：ADI(亚德诺)

中等功率放大器芯片，5-20GHz

数据手册

1+
￥333.66
200+
￥129.12
500+
￥124.59
1000+
￥122.34

订货

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硅基氮化镓功率放大器

型号：NPA1003QA 编号：C559063

封装：QFN-16-EP(4x4)

NPA1003QA 是一种基于硅的氮化镓功率放大器，优化用于20-1500MHz的操作。该放大器设计用于饱和和线性操作，输出功率可达5W（37dBm），封装在无铅4mm 16引脚QFN塑料封装中。

数据手册

1+
￥609.2056
10+
￥582.7184
50+
￥572.12352

我要订货

5GHz WLAN前端模块

型号：SKY85712-21 编号：C2654407

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：SKYWORKS

是高度集成的5 GHz前端模块（FEM），包含5 GHz单刀双掷（SPDT）发射/接收（T/R）开关、带旁路的5 GHz低噪声放大器（LNA）和5 GHz功率放大器（PA），适用于移动/便携式802.11ac应用和系统。LNA和PA禁用功能可确保在关闭模式下实现低泄漏电流。集成功率检测器可在系统内提供闭环功率控制。采用紧凑的16引脚3 x 3 mm方形扁平无引脚（QFN）封装

1+
￥5.43
10+
￥5.31
30+
￥5.22

有货

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1.8GHz至5.0GHz高增益RF放大器

型号：F1478NLGA8 编号：C1511909

封装：QFN-16(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

F1478是一款高增益、两阶段RF放大器，设计用于1.8GHz至5.0GHz的频率范围。它具有单5V电源和仅140mA的电流消耗，提供30.3dB的增益和1.6dB的噪声系数，最大输出功率为+35.73dBm。

数据手册

1+
￥10.74
10+
￥10.49
30+
￥10.33

有货

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采用SIEGET 25技术的硅基单片微波集成电路（MMIC）放大器

型号：BGA 427 H6327 编号：C534157

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：可级联50Ω增益模块。无条件稳定。增益|S₂₁|²：1.8 GHz时为18.5 dB（应用1），1.8 GHz时为22 dB（应用2）。 P₃ₒᵤₜ：1.8 GHz时为+7 dBm（Vᴅ = 3V，Iᴅ = 9.4 mA）。噪声系数NF：1.8 GHz时为2.2 dB。典型器件电压Vᴅ：2V至5V。反向隔离度>35 dB（应用2）。无铅（符合RoHS标准）封装

数据手册

1+
￥15.15
10+
￥12.99
30+
￥11.64

有货

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低噪声、高IP3单片放大器

型号：PSA-545+ 编号：C3192197

封装：SC-70-6

品牌：Mini-Circuits

1+
￥17.06
10+
￥16.63
30+
￥16.34

有货

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表面贴装单片放大器，0.05-1 GHz

型号：MAV-11BSM+ 编号：C33737777

封装：SMD-4P

品牌：Mini-Circuits

是一款提供高动态范围的宽带放大器，批次间性能具有可重复性。采用达林顿结构，使用硅技术制造。封装在塑料模制外壳中。在85℃外壳温度下，预计平均无故障工作时间为270年。

1+
￥17.74
10+
￥17.29
30+
￥16.99

有货

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超宽动态范围单片放大器

型号：PGA-1021+ 编号：C3193272

封装：SOT-89

品牌：Mini-Circuits

是一款先进的宽带放大器，采用E-PHEMT技术制造，在很宽的频率范围内具有极高的动态范围和低噪声系数。此外，该放大器在很宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配元件，并且具有出色的可靠性。引脚镀层为SnAgNi，批次间性能可重复，采用SOT-89封装，具有良好的热性能。

1+
￥18.2
10+
￥17.74
30+
￥17.43

有货

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MAR-3+

型号：MAR-3+ 编号：C6986715

封装：SMD-4P

品牌：Mini-Circuits

1+
￥18.36
10+
￥17.9
30+
￥17.59

有货

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LEE2-6+

型号：LEE2-6+ 编号：C6217103

封装：TDFN-6-EP

品牌：Mini-Circuits

1+
￥19.02
10+
￥18.54
30+
￥18.22

有货

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ERA-2+

型号：ERA-2+ 编号：C3176490

封装：SMD-4P

品牌：Mini-Circuits

是一款宽带放大器，具有高动态范围，批次间性能具有可重复性。采用达林顿结构，使用InGaP HBT技术制造。在85℃外壳温度下，预计平均无故障工作时间为9100年。

1+
￥19.36
10+
￥18.87
30+
￥18.54

有货

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超低噪声高IP3射频放大器

型号：PMA-5451+ 编号：C5336177

封装：QFN-8(3x3)

品牌：Mini-Circuits

Mini-Circuits PMA-5451+ 是基于E-PHEMT技术的超低噪声MMIC放大器，工作频率范围为50MHz至6GHz，具有独特的低噪声和高IP3特性，使其非常适合敏感接收器应用。该设计在单个+3V电源下工作，仅需30mA电流，并且内部匹配到50欧姆。

1+
￥19.51
10+
￥19.02
30+
￥18.69

有货

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ERA-3+ 宽带射频放大器

型号：ERA-3+ 编号：C5452159

封装：SMD-4P

品牌：Mini-Circuits

ERA-3+ 是一款宽带射频放大器，提供高动态范围，使用 InGaP HBT 技术制造，预期寿命为 10,000 年（在 85°C 案温下）。

1+
￥19.77
10+
￥19.27
30+
￥18.94

有货

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GALI-5F+

型号：GALI-5F+ 编号：C6626617

封装：SOT-89

品牌：Mini-Circuits

是一款提供高动态范围的宽带放大器，批次间性能可重复，采用SOT-89封装。使用专利的瞬态保护达林顿配置，采用InGaP HBT技术制造。在85℃外壳温度下，预期平均无故障工作时间（MTTF）为8000年，设计用于承受静电放电（ESD）和电源开启瞬态。

1+
￥20.84
10+
￥20.33
30+
￥19.98

有货

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贴片式单片放大器，直流至5 GHz

型号：LEE-59+ 编号：C3190928

封装：FG-873

品牌：Mini-Circuits

是一款宽带放大器，提供高动态范围，批次间性能具有可重复性，采用3×3mm MCLP模塑塑料封装。

1+
￥25.45
10+
￥24.8
30+
￥24.37

有货

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MNA-5W+

型号：MNA-5W+ 编号：C3192133

封装：QFN-8(3x3)

品牌：Mini-Circuits

1+
￥26.39
10+
￥25.73
30+
￥25.29

有货

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表面贴装单片放大器，直流至4 GHz

型号：GALI-55+ 编号：C3193251

封装：SOT-89

品牌：Mini-Circuits

是一款宽带放大器，提供高动态范围。引脚镀层为SnAgNi，批次间性能可重复，采用SOT-89封装。使用专利的瞬态保护达林顿配置，采用InGaP HBT技术制造。在85℃外壳温度下，预计平均无故障工作时间（MTBF）为8500年，设计坚固，可承受静电放电（ESD）和电源开启瞬变。

1+
￥29.64
10+
￥25.22
30+
￥22.59

有货

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低噪声、高IP3单片放大器

型号：PMA-5452+ 编号：C3192124

封装：QFN-8(3x3)

品牌：Mini-Circuits

是基于E-PHEMT的超低噪声MMIC放大器，工作频率从50 MHz到6 GHz，兼具低噪声和高IP3的特点，适用于灵敏的接收器应用。该设计采用单3V电源，仅需40mA电流，内部匹配至50欧姆。

1+
￥29.86
10+
￥25.3
30+
￥22.6

有货

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高线性度、0.25W小基站功率放大器

型号：QPA9219 编号：C37698867

封装：LGA-14(7x7)

是一款低成本表面贴装封装的高线性两级功率放大器，具有片上偏置控制和温度补偿电路。在1930-1995 MHz频率范围内提供30.4 dB增益，覆盖3GPP频段2、25、36，无需如DPD等线性化电路。使用20 MHz LTE信号（9.5 dB PAR）在+24 dBm输出功率下可实现-50 dBc ACLR。将两个高性能放大器级集成到一个模块上，便于进行紧凑的系统设计，运行时仅需很少的外部组件。产品偏置可调，可优化放大器的功耗，采用符合RoHS标准的7×7 mm表面贴装封装。适用于小型蜂窝或企业毫微微蜂窝基站应用、分布式天线系统（DAS）、中继器和/或 booster放大器。

1+
￥32.82
10+
￥32.11
30+
￥31.63

有货

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PMA2-162LNA+

型号：PMA2-162LNA+ 编号：C20231742

封装：-

品牌：Mini-Circuits

1+
￥37.86
10+
￥36.91
30+
￥36.28

有货

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超低噪声、高IP3单片放大器

型号：PMA2-162LN+ 编号：C3191224

封装：TFDFN-8-EP

品牌：Mini-Circuits

是一款基于E-PHEMT的超低噪声MMIC放大器，具有低噪声和高IP3的独特组合，适用于高灵敏度、高动态范围的接收器应用。该设计采用单4V电源供电。

1+
￥38.73
10+
￥32.97
30+
￥29.45

有货

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高方向性单片放大器，50Ω，0.5至2.5GHz

型号：MNA-4A+ 编号：C3192132

封装：QFN-8(3x3)

品牌：Mini-Circuits

是一款基于PIEMT的宽带MMIC放大器，具有高有源方向性。集成了整个匹配网络和大部分偏置电路，减少了对复杂外部电路的需求，使用极其简单。该设计采用2.8至5V单电源供电，50Ω匹配良好，采用3x3mm 8引脚MCLP小尺寸薄型封装，适合密集电路板布局。

1+
￥38.98
10+
￥33.22
30+
￥29.7

有货

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单片铟镓磷异质结双极晶体管（HBT）毫米波集成电路（MMIC）放大器

型号：ERA-6+ 编号：C3176459

封装：SMD-4P

品牌：Mini-Circuits

是一款宽带放大器，提供高动态范围。它从低频到高频具有可重复的性能。采用达林顿结构，使用InGaP HBT技术制造。在85°C外壳温度下，预计平均无故障工作时间为420年。

1+
￥44.36
10+
￥43.23
30+
￥42.48

有货

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MNA-3A+

型号：MNA-3A+ 编号：C3192134

封装：QFN-8(3x3)

品牌：Mini-Circuits

1+
￥51.18
10+
￥49.88
30+
￥49.02

有货

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1.5至3.8 GHz两级高增益低噪声放大器

型号：SKY67180-306LF 编号：C1848865

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：SKYWORKS

SKY67180-306LF是一款双级低噪声放大器（LNA），具有主动偏置和高性能线性度。前端提供超低噪声系数（NF）和高增益，同时输出级提供高增益、线性和效率。该器件具有出色的热性能，可在高达+105°C的温度下工作。

数据手册

1+
￥52.08
10+
￥44.37
30+
￥39.67
100+
￥35.73

有货

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单片铟镓磷异质结双极晶体管（HBT）毫米波集成电路（MMIC）放大器

型号：ERA-4+ 编号：C3176481

封装：SMD-4P

品牌：Mini-Circuits

是一款宽带放大器，提供高动态范围，批次间性能具有可重复性。采用达林顿结构，使用InGaP HBT技术制造。封装于Micro-X封装中。在85℃外壳温度下，预计平均无故障工作时间（MTTF）为170年。

1+
￥56.55
10+
￥48.13
30+
￥43

有货

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