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型号：GALI-19+ 编号：C2683461

封装：SOT-89-3

品牌：Mini-Circuits

GALI-19+ 是一款工作在 DC 至 7 GHz 的单片射频放大器，采用 SOT-89 封装。它具有内部匹配至 50 欧姆的特性，适用于多种射频应用。

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型号：GALI-2+ 编号：C5445196

封装：SOT-89

品牌：Mini-Circuits

GALI-2+ 是一款基于 InGaP HBT 技术的单片射频放大器，封装为微型 SOT-89，具有从 DC 到 8 GHz 的频率范围，内部匹配到 50 欧姆，输出功率为 12.9 dBm（典型值）。

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型号：MAR-3SM+ 编号：C6937326

封装：SMD-4P

品牌：Mini-Circuits

MAR-3SM+是一款宽频带放大器，提供高动态范围，性能稳定，封装为Micro-X，内部匹配到50欧姆，无条件稳定，受美国专利6,943,629保护。

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型号：GVA-60+ 编号：C3193248

封装：SOT-89

品牌：Mini-Circuits

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型号：LEE-29+ 编号：C879876

封装：SMD-4P

品牌：Mini-Circuits

LEE-29+ 是一款宽频带放大器，提供高动态范围。它具有从批次到批次的一致性能，封装在3x3mm的塑料封装中，预期的MTBF为在85°C壳温下2000年。

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型号：BGA 616 H6327 编号：C534163

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BGA616 是一款宽带匹配通用MMIC放大器，采用达林顿配置。它针对60 mA的典型供电电流进行了优化。BGA616基于英飞凌科技的B7HF硅锗技术。

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型号：PSA-39+ 编号：C3192204

封装：SC-70-6

品牌：Mini-Circuits

是基于HBT的宽带低噪声MMIC放大器，具有高增益和低电流的特点。该设计采用单5V电源供电，50欧姆匹配良好，采用SOT-363封装，适合密集电路板布局。

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型号：GVA-83+ 编号：C3193256

封装：SOT-89

品牌：Mini-Circuits

是一款宽带放大器，具有高动态范围。引脚镀层为SnAgNi，批次间性能可重复，采用SOT-89封装。使用专利的瞬态保护达林顿配置，采用InGaP HBT技术制造。

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型号：PSA-5453+ 编号：C3192199

封装：SC-70-6

品牌：Mini-Circuits

是一款基于E-PHEMT的超低噪声MMIC放大器，工作频率范围为50 MHz至4 GHz，兼具低噪声和高IP3的特点，适用于灵敏的接收器应用。该设计采用单一3V电源，仅需60 mA电流，内部匹配至50欧姆。

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型号：MTX2-143+ 编号：C5354118

封装：QFN-12_3X3

品牌：Mini-Circuits

Mini-Circuits MTX2-143+ 是一款宽频带 MMIC 巴伦变压器，阻抗比为 2:1，覆盖 5500 到 13500 MHz 的频率范围，具有低插入损耗、低幅度不平衡、低相位不平衡，并能处理高达 +34 dBm 的 RF 输入功率。该单元采用微型 3x3x0.89mm QFN 封装，具有低电感、良好的热效率和高 ESD 评级。

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型号：ERA-4SM+ 编号：C879836

封装：SMD-4P

品牌：Mini-Circuits

ERA-4SM+ (RoHS合规) 是一款宽带放大器，提供高动态范围。它具有从批次到批次的可重复性能。封装在Micro-X封装中，采用达林顿配置。

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型号：NBB-400-T1 编号：C469027

封装：SMD-4P

品牌：Qorvo

NBB-400 是一款可级联的宽带InGaP/GaAs MMIC放大器，适用于通用RF和微波放大需求。这款50Ω增益块基于可靠的HBT专有MMIC设计，为小信号应用提供卓越性能。设计中使用外部偏置电阻，提供灵活性和稳定性。

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型号：SKY66293-21 编号：C2151423

封装：LGA-16(5x5)

品牌：SKYWORKS

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型号：LHA-23LN+ 编号：C3190820

封装：DQ1225

品牌：Mini-Circuits

是一款采用E-PHEMT技术制造的先进宽带放大器，在很宽的频率范围内具有极高的动态范围和低噪声系数。此外，在很宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗。采用3mm x 3mm、12引脚的MCLP封装，具有非常好的热性能。

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型号：PHA-101+ 编号：C3193273

封装：SOT-89

品牌：Mini-Circuits

是一款采用E-PHEMT技术制造的先进宽带放大器，在很宽的频率范围内具有极高的动态范围和低噪声系数。此外，在很宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配元件，并且具有出色的可靠性。它具有批次间可重复的性能，并采用SOT-89封装，具有非常好的热性能。

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型号：PMA4-33GLN+ 编号：C7501185

封装：MCLP-16(4x4)

品牌：Mini-Circuits

Mini-Circuits PMA4-33GLN+ 是一款基于 E-PHEMT 的低噪声双芯片 MMIC 放大器，具有低噪声、高增益和高 IP3 的独特组合。它在单个 5V 电源下工作，适用于 50Ω 系统，并采用 4mm x 4mm 低剖面封装，适合高密度电路板布局。

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型号：MAAM-011100-TR1000 编号：C3189935

封装：TDFN-6(1.5x1.2)

品牌：MACOM

MAAM-011100 是一款易于使用的宽带通用可变增益放大器。其超过 30 dB 的增益范围由单个控制引脚控制，并且在整个设置范围内保持 50Ω 匹配。

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型号：TSS-183A+ 编号：C7365652

封装：QFN-8(3x3)

品牌：Mini-Circuits

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型号：CMA-84+ 编号：C33824433

封装：-

品牌：Mini-Circuits

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型号：TSS-13HLN+ 编号：C3190822

封装：MCLP-12(3x3)

品牌：Mini-Circuits

是一款具有关断功能的先进宽带放大器。它采用E-PHEMT技术制造，在很宽的频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，在很宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗。采用3x3mm、12引脚MCLP封装，具有非常好的热性能。

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型号：HMC384LP4E 编号：C1558234

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

集成缓冲放大器的VCOSMT，2.05-2.25GHz

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型号：NJG1152KA1-TE1 编号：C669230

封装：SOT-6

品牌：JRC

NJG1152KA1 是一款完全匹配的宽频带低噪声放大器 GaAs MMIC，适用于地面应用。为了实现宽动态范围，该器件提供高增益模式和低增益模式。选择高增益模式可提高接收器灵敏度，选择低增益模式可提供更高的线性度。

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型号：YG401820 编号：C52043254

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：INNOTION(英诺迅)

100mW 小尺寸通用增益模块

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型号：TRF37B75IDSGR 编号：C2151363

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TRF37B75是一款40MHz至4000MHz的射频增益块，采用2.00mm × 2.00mm的WSON封装。该器件具有功率降低引脚，适合空间占用和低功率模式的应用。

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型号：QPA9120TR7 编号：C22407358

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：Qorvo

是一款宽带、高增益、高线性度的驱动放大器，采用低成本、符合RoHS标准的3x3mm QFN封装。采用E-pHEMT工艺，在单5V电源供电、直流电流消耗小于100mA的情况下，可提供36dBm的输出三阶截点（OlP3）功率和22dBm的输出1dB压缩（OP1dB）功率。集成了快速直流电源关断、外部可配置的器件直流工作电流等片上功能，并且内部匹配。适用于需要高线性度、中等射频功率和高效直流电源操作的无线基础设施，作为预驱动放大器，也是5G密集阵列m-MIMO无线电应用的理想选择。