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是一种先进的超宽带放大器，采用 GaAs HBT 技术制造，在较宽的频率范围内具有出色的增益平坦度。此外，在该频率范围内无需外部匹配元件即可实现良好的输入和输出回波损耗。引脚镀层为雾锡，批次间性能具有可重复性。

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￥70.32
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￥66.8
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型号：MGVA-63+ 编号：C32688504

封装：SMD

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型号：MPGA-105+ 编号：C32464478

封装：MCLP-8(4.9x6)

是一款采用E-PHEMT技术制造的先进超平坦增益放大器，在宽频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，在宽频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配元件。采用4.9×6 mm MCLP封装，具有良好的热性能。

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￥57.37
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型号：SKY66391-12 编号：C1864125

封装：MCM-16(5x5)

5×5 mm PA设计用于FDD和TDD 2G/3G/4G LTE小型基站，支持1800到1900 MHz的工作频率范围。

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￥70.35
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型号：CMA-545G1+ 编号：C5337819

封装：DFN-8

Mini-Circuits CMA-545G1+ 是基于E-PHEMT技术的低噪声MMIC放大器，工作频率范围为0.4至2.2 GHz，具有独特的低噪声和高IP3特性，适用于敏感接收器应用。设计采用单+5V电源，并内部匹配到50欧姆。MMIC放大器焊接在多层集成LTCC基板上，并密封在陶瓷壳体内，能够满足MIL要求。

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￥90.18
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型号：CMA-162LN+ 编号：C20622216

封装：SMD-8P

Mini-Circuits CMA-162LN+ 是一款基于 E-PHEMT 技术的超低噪声 MMIC 放大器，结合了低噪声和高 IP3 的独特组合，使其非常适合高动态范围接收器应用。该设计在单个 4V 电源下工作，MMIC 放大器被焊接在多层集成 LTCC 基板上，并在受控氮气气氛下密封，具有金镀盖和共晶 AuSn 焊料。这些放大器能够满足 MIL 要求，包括粗漏、细漏、热冲击、振动、加速度、机械冲击和 HTOL 测试。

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￥97.02
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￥93.62

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型号：PHA-11+ 编号：C3190070

封装：DFN-8(4.9x6)

Mini-Circuits PHA-11+ 是一款双匹配宽带放大器，采用先进的 E-PHEMT 技术制造，提供高动态范围（高 IP3 和低 NF），适用于 50 欧姆和 75 欧姆应用。其极高的 IP2 已在宽带 50 欧姆和 75 欧姆放大器评估板中得到验证。结合低噪声系数，使其能够用于极高动态范围放大器。

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￥99.06
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￥94.06
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型号：MAAM-011206-TR3000 编号：C6898382

封装：TDFN-6(1.2x1.5)

MAAM-011206 是一款多功能的 DC - 15 GHz 达林顿放大器，具有 13.5 dB 的典型增益和 18 dBm 的输出功率。输入和输出完全匹配到 50 Ω，典型回损 >10 dB。反向隔离 >21 dB。单偏压操作，工作电压从 +3V 到 +5V。

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￥107.81
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￥103.02
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型号：CMA-82+ 编号：C32099444

封装：SMD

是一款宽带放大器，具有高动态范围。采用专利的瞬态保护达林顿配置，使用InGaP HBT技术制造。MMIC放大器连接到多层集成LTCC基板，然后在可控氮气环境下用镀金盖和共晶Au-Sn焊料进行气密密封，终端表面处理为Ni-Pd-Au。由于严格控制的半导体和组装工艺，具有可重复的批次间性能。这些放大器能够满足MIL要求，并经过气密性测试。

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￥113.39
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￥107.37

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型号：EHA-163L+ 编号：C7501177

封装：SMD

EHA-163L+ 是一款低电流、宽带增益块，最高工作频率可达16 GHz，采用高可靠性的HBT工艺制造。这款达林顿对放大器具有出色的增益平坦度、良好的回波损耗、低电流消耗，并且在整个带宽范围内具有可接受的1dB增益压缩点和OIP3，无需外部匹配网络。它具有从批次到批次的高度可重复性能，并封装在一个2mm x 2mm的6引脚封装中。

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￥114.3
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￥108.54
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￥98.56

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型号：TSS-23HLN+ 编号：C3190819

封装：MCLP-12(3x3)

是一款具有关断功能的先进宽带放大器。它采用E-PHEMT技术制造，在宽频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，在宽频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗。采用3mm x 3mm、12引脚的MCLP封装，具有非常好的热性能。

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￥118.99
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型号：AVA-183P+ 编号：C5556092

封装：MCLP-12(3x3)

基于InGaAs E-PHEMT的宽带正增益斜率MMIC放大器应用。该设计采用单5V电源供电，与50Ω良好匹配，采用小巧的薄型封装（3×3×0.89mm），适合密集电路板布局。

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￥134.11
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￥115.63

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型号：PMA-545G3+ 编号：C3192127

封装：QFN-8(3x3)

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￥150.99
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￥145.8

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型号：PMA-545G2+ 编号：C3192121

封装：QFN-8(3x3)

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￥150.99
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型号：LHA-23HLN+ 编号：C3190817

封装：DQ1225

是一款采用 E-PHEMT 技术制造的先进宽带放大器，在宽频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，在宽频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗。采用 3mm x 3mm、12 引脚 MCLP 封装，具有非常好的热性能。

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￥166.38
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￥161

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型号：CMA-83LN+ 编号：C2683583

封装：SMD

CMA-83LN+ 是一款基于 PHEMT 的宽带、低噪声 MMIC 放大器，结合了低噪声、高 IP3 和宽带平坦增益，适用于高灵敏度、高动态范围接收器应用。该设计使用单个 5V 或 6V 电源，与 50Ω 匹配良好，采用小型、低轮廓封装 (0.12 x 0.12 x 0.045")，适合密集电路板布局。放大器采用陶瓷密封、氮气填充，金镀盖，共晶 Au-Sn 焊料，Ni-Pd-Au 端子涂层。

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￥210.69
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￥199.51

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型号：AVA-24A+ 编号：C3192131

封装：QFN-8(3x3)

是一款表面贴装微波放大器，采用InGaAs PHEMT技术制造，是高达20 GHz的全集成增益模块。采用行业标准的3x3 mm MCLP（QFN）封装，提供出色的射频和热性能。在封装内集成了整个匹配网络和大部分偏置电路，减少了对复杂外部电路的需求，使用极其灵活、简单直接。

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￥201.16

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型号：MAAM-011326-TR1000 编号：C7222127

封装：PDFN-8(2x2)

MAAM-011326 是一款宽带、低噪声、高动态范围的单级MMIC放大器，覆盖0.4到6 GHz的频率范围。它采用无铅2 mm 8-LD PDFN封装。放大器提供21 dB增益，19 dBm输出功率和34 dBm OIP3。增益斜率仅为1.5 dB，全带宽内匹配50 Ω，典型回波损耗为10 dB（输入）和12 dB（输出）。放大器仅需正向偏置电压，并从5 V电源消耗90 mA电流。

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￥215.41
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￥205.48

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型号：MAAM-011305-TR1000 编号：C6294103

封装：PDFN-8(2x2)

MAAM-011305 是一款宽带、低噪声、高动态范围的单级 MMIC 增益块，封装在无铅 2 mm 8-LD PDFN 塑料封装中。该放大器内部匹配到 50Ω，提供平坦的增益和良好的回波损耗，无需外部匹配元件即可工作至 8 GHz。

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￥241.13
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￥230.01

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型号：MAAM-011289-TR0500 编号：C5794644

封装：AQFN-32(5x5)

MAAM-011289 是一款5-20 GHz MMIC放大器，具有16.5 dB的小信号增益，饱和功率为21.5 dBm，高反向隔离度为47 dB。该组件只需要单个正电源。

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￥294.71
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￥281.12

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型号：MAAM-011290-TR0500 编号：C6898384

封装：AQFN-12(3x3)

MAAM-011290 是一款5-20 GHz的单片微波集成电路（MMIC）放大器，具有20 dB的小信号增益，20 dBm的饱和输出功率和47 dB的高反向隔离度。该组件只需要一个正电源。

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￥334.9
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￥319.46

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型号：MAGX-011086A 编号：C6586961

封装：QFN-24(4x4)

适用于DC到6 GHz操作的GaN on silicon HEMT放大器，适合高带宽应用，具有4 W（36 dBm）输出功率，行业标准低电感表面贴装QFN封装。

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￥322.01

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型号：MAGX-100027-015S0P 编号：C5794899

封装：DFN-14(3x6)

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￥345.61
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￥329.68

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型号：SKY85331-11 编号：C2654419

封装：QFN-24(3x5)

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￥12.85
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￥10.97
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￥9.79

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型号：GALI-51+ 编号：C3193269

封装：SOT-89

是一款宽带放大器，提供高动态范围。引脚镀层为SnAgNi，批次间性能可重复，采用SOT-89封装。使用专利的瞬态保护达林顿配置，采用InGaP HBT技术制造。在85℃外壳温度下，预计平均无故障工作时间（MTTF）为7000年。设计坚固，可承受静电放电（ESD）和电源开启瞬变。

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￥15.11

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型号：SKY85728-11 编号：C2654418

封装：QFN-24(3x5)

是高度集成的5 GHz前端模块（FEM），包含5 GHz单刀双掷（SPDT）发射/接收（T/R）开关、带旁路的5 GHz高增益低噪声放大器（LNA）和5 GHz功率放大器（PA），适用于高功率802.11ac应用和系统。LNA和PA禁用功能可确保在关闭模式下实现低泄漏电流。集成了功率检测器，用于在系统内提供闭环功率控制。采用紧凑的24引脚3×5 mm方形扁平无引脚（QFN）封装，可将前端电路板空间减少50%以上。

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￥16.87
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￥16.49
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￥16.24

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型号：SKY85325-11 编号：C2654422

封装：QFN-16(2.5x2.5)

是一个完整的802.11 256 QAM WLAN RF前端模块（FEM）。该设备提供了完全匹配的功率放大器（PA）、功率检测器、低噪声放大器（LNA）和单刀双掷（SPDT）开关的所有功能。提供了一个完整的2.4 GHz WLAN RF解决方案，从收发器的输出到天线，再从天线到收发器的输入。LNA提高了嵌入式解决方案的接收灵敏度，以扩大范围。还包括一个具有20 dB动态范围的发射机功率检测器，以及一个用于发射机功率斜坡开/关控制的数字使能控制。该设备采用超紧凑的16引脚、2.5 × 2.5 mm方形扁平无引脚（QFN）封装。

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￥21.32
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￥18.37
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型号：SKY66109-11 编号：C2654410

封装：QFN-20-EP(3x4)

SKY66109 - 11是一款高性能、完全集成的射频前端模块（FEM），专为Zigbee/智能能源应用而设计。SKY66109 - 11的设计注重易用性和最大灵活性。该器件提供集成且完全匹配的输入巴伦、集成的级间匹配和谐波滤波器，以及与1.6至3.6 V CMOS电平兼容的数字控制功能

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￥26.52
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￥25.95
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￥25.57

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型号：SKY85734-11 编号：C2654409

封装：MCM-12(2x2)

是高度集成的5 GHz前端模块（FEM），集成了5 GHz单刀双掷（SPDT）发射/接收（T/R）开关、带旁路的5 GHz低噪声放大器（LNA）和5 GHz功率放大器（PA），适用于移动/便携式802.11ac应用和系统。使能/禁用功能允许在关闭模式下节省功率。具有20 dB动态范围的集成功率检测器可在系统内提供闭环功率控制。该器件采用紧凑的12引脚2.0×2.0×0.6mm多芯片模块（MCM）封装。

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￥28.71
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￥24.74
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￥22.38

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型号：SKY85302-11 编号：C2654440

封装：QFN-16(2.5x2.5)