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是高度集成的5 GHz前端模块（FEM），包含5 GHz单刀双掷（SPDT）发射/接收（T/R）开关、带旁路的5 GHz高增益低噪声放大器（LNA）和5 GHz功率放大器（PA），适用于高功率802.11ac应用和系统。LNA和PA禁用功能可确保在关闭模式下实现低泄漏电流。集成了功率检测器，用于在系统内提供闭环功率控制。采用紧凑的24引脚3×5 mm方形扁平无引脚（QFN）封装，可将前端电路板空间减少50%以上。

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￥16.87
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型号：GALI-33+ 编号：C3193275

封装：SOT-89

是一款宽带放大器，提供高动态范围。引脚镀层为SnAgNi，批次间性能具有可重复性，采用SOT-89封装。使用专利的瞬态保护达林顿配置，采用InGaP HBT技术制造。在85℃外壳温度下，预计平均无故障工作时间（MTTF）为13000年。设计坚固，可承受静电放电（ESD）和电源开启瞬变。

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￥17.33
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型号：ERA-3+ 编号：C5452159

封装：SMD-4P

ERA-3+ 是一款宽带射频放大器，提供高动态范围，使用 InGaP HBT 技术制造，预期寿命为 10,000 年（在 85°C 案温下）。

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型号：SKY66109-11 编号：C2654410

封装：QFN-20-EP(3x4)

SKY66109 - 11是一款高性能、完全集成的射频前端模块（FEM），专为Zigbee/智能能源应用而设计。SKY66109 - 11的设计注重易用性和最大灵活性。该器件提供集成且完全匹配的输入巴伦、集成的级间匹配和谐波滤波器，以及与1.6至3.6 V CMOS电平兼容的数字控制功能

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￥26.52
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型号：SKY85734-11 编号：C2654409

封装：MCM-12(2x2)

是高度集成的5 GHz前端模块（FEM），集成了5 GHz单刀双掷（SPDT）发射/接收（T/R）开关、带旁路的5 GHz低噪声放大器（LNA）和5 GHz功率放大器（PA），适用于移动/便携式802.11ac应用和系统。使能/禁用功能允许在关闭模式下节省功率。具有20 dB动态范围的集成功率检测器可在系统内提供闭环功率控制。该器件采用紧凑的12引脚2.0×2.0×0.6mm多芯片模块（MCM）封装。

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￥28.71
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型号：QPA9219 编号：C37698867

封装：LGA-14(7x7)

是一款低成本表面贴装封装的高线性两级功率放大器，具有片上偏置控制和温度补偿电路。在1930-1995 MHz频率范围内提供30.4 dB增益，覆盖3GPP频段2、25、36，无需如DPD等线性化电路。使用20 MHz LTE信号（9.5 dB PAR）在+24 dBm输出功率下可实现-50 dBc ACLR。将两个高性能放大器级集成到一个模块上，便于进行紧凑的系统设计，运行时仅需很少的外部组件。产品偏置可调，可优化放大器的功耗，采用符合RoHS标准的7×7 mm表面贴装封装。适用于小型蜂窝或企业毫微微蜂窝基站应用、分布式天线系统（DAS）、中继器和/或 booster放大器。

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￥32.82
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型号：MAAM-010333-TR1000 编号：C559054

封装：QFN-24-EP(4x4)

MAAM-010333 提供高增益、低噪声和低失真放大，适用于光节点应用。该放大器采用MACOM的低噪声GaAs pHEMT技术，封装在一个无铅4 mm 24引脚的塑料封装中。

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型号：ERA-6+ 编号：C3176459

封装：SMD-4P

是一款宽带放大器，提供高动态范围。它从低频到高频具有可重复的性能。采用达林顿结构，使用InGaP HBT技术制造。在85°C外壳温度下，预计平均无故障工作时间为420年。

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型号：TQP9221 编号：C38039575

封装：SMD

是一款低成本表面贴装封装的高线性两级功率放大器，带有片上偏置控制和温度补偿电路。该放大器在 2010-2200 MHz 频率范围内提供 30.5 dB 的增益，无需如 DPD 等线性化电路即可使用。使用 20 MHz LTE 信号（9.5 dB PAR）在 +24 dBm 输出功率下能够实现 -49 dBc 的 ACLR。将两个高性能放大器级集成到一个模块上，以实现紧凑的系统设计，并且操作所需的外部组件非常少

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￥51.19
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￥40.28

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型号：SKY67180-306LF 编号：C1848865

封装：QFN-16-EP(4x4)

SKY67180-306LF是一款双级低噪声放大器（LNA），具有主动偏置和高性能线性度。前端提供超低噪声系数（NF）和高增益，同时输出级提供高增益、线性和效率。该器件具有出色的热性能，可在高达+105°C的温度下工作。

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型号：ERA-4+ 编号：C3176481

封装：SMD-4P

是一款宽带放大器，提供高动态范围，批次间性能具有可重复性。采用达林顿结构，使用InGaP HBT技术制造。封装于Micro-X封装中。在85℃外壳温度下，预计平均无故障工作时间（MTTF）为170年。

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型号：MAAM-011101-TR1000 编号：C3189934

封装：TDFN-6(1.5x1.2)

MAAM-011101 操作频率范围为 4 至 20 GHz，具有 16 dB 的典型增益和 +18 dBm 的输出功率。输入和输出完全匹配到 50 欧姆，典型的回波损耗优于 12 dB。信号线性度通常为 +30 dBm，反向隔离优于 28 dB。该设备需要至少 +5V，典型值为 +8V，最大值为 +10V 的标准操作。典型电流为 45 mA。常用作系统缓冲放大器、增益块、混频器 LO 驱动器、功率放大器驱动器，要求体积小且性能高。

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￥88.12
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型号：CMA-5043+ 编号：C7501174

封装：SMD

CMA-5043+是一款基于E-PHEMT技术的超低噪声单片射频放大器，工作频率范围为50 MHz至4 GHz。该放大器结合了低噪声和高IP3的特点，适用于敏感接收器的前端应用。

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型号：ADL5561ACPZ-R7 编号：C657770

封装：LFCSP-16(3x3)

2.9GHz超低失真射频/中频差分放大器

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型号：MAAM-011206-TR3000 编号：C6898382

封装：TDFN-6(1.2x1.5)

MAAM-011206 是一款多功能的 DC - 15 GHz 达林顿放大器，具有 13.5 dB 的典型增益和 18 dBm 的输出功率。输入和输出完全匹配到 50 Ω，典型回损 >10 dB。反向隔离 >21 dB。单偏压操作，工作电压从 +3V 到 +5V。

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型号：AVA-183P+ 编号：C5556092

封装：MCLP-12(3x3)

基于InGaAs E-PHEMT的宽带正增益斜率MMIC放大器应用。该设计采用单5V电源供电，与50Ω良好匹配，采用小巧的薄型封装（3×3×0.89mm），适合密集电路板布局。

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￥134.11
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型号：MAAM-011326-TR1000 编号：C7222127

封装：PDFN-8(2x2)

MAAM-011326 是一款宽带、低噪声、高动态范围的单级MMIC放大器，覆盖0.4到6 GHz的频率范围。它采用无铅2 mm 8-LD PDFN封装。放大器提供21 dB增益，19 dBm输出功率和34 dBm OIP3。增益斜率仅为1.5 dB，全带宽内匹配50 Ω，典型回波损耗为10 dB（输入）和12 dB（输出）。放大器仅需正向偏置电压，并从5 V电源消耗90 mA电流。

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￥205.48

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型号：MAAM-011305-TR1000 编号：C6294103

封装：PDFN-8(2x2)

MAAM-011305 是一款宽带、低噪声、高动态范围的单级 MMIC 增益块，封装在无铅 2 mm 8-LD PDFN 塑料封装中。该放大器内部匹配到 50Ω，提供平坦的增益和良好的回波损耗，无需外部匹配元件即可工作至 8 GHz。

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￥241.13
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￥230.01

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型号：MAAM-011289-TR0500 编号：C5794644

封装：AQFN-32(5x5)

MAAM-011289 是一款5-20 GHz MMIC放大器，具有16.5 dB的小信号增益，饱和功率为21.5 dBm，高反向隔离度为47 dB。该组件只需要单个正电源。

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￥294.71
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型号：MAGX-100027-015S0P 编号：C5794899

封装：DFN-14(3x6)

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￥345.61
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￥329.68

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型号：HMC451LC3TR 编号：C579550

封装：QFN-16

HMC451LC3 是一款高效的 GaAs PHEMT MMIC 中功率放大器，封装在无引脚 RoHS 合规 SMT 封装中。该放大器在 5 至 20 GHz 的频率范围内提供 19 dB 的增益，+21 dBm 的饱和功率和 21% 的 PAE，由单个 +5V 电源供电。这款 50 欧姆匹配的放大器不需要任何外部组件，RF 输入/输出端口被直流阻断，使其成为理想的线性增益块或 HMC SMT 混频器的驱动器。

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￥312.69
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￥296.8

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型号：ADL5562ACPZ-R7 编号：C657771

封装：LFCSP-16(3x3)

ADL5562 是一款高性能差分放大器，优化用于宽带、低失真应用。它提供三种增益设置：6 dB、12 dB 和 15.5 dB，具有低噪声和优秀的失真性能。

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单价：
￥92.2554 / 个

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型号：ADL5205ACPZ-R7 编号：C579145

封装：LFCSP-40(6x6)

ADL5205是一款双通道、数字化控制的宽带、可变增益低功耗放大器。当禁用时，ADL5205仅消耗14 mA，并提供出色的输入到输出隔离。增益设置在禁用时保留。

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￥246.28
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￥234.17

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型号：BGA2801,115 编号：C2688109

封装：SOT-363-6

品牌：NXP(恩智浦)

硅单片微波集成电路（MMIC）宽带放大器，采用6引脚SOT363塑料贴片封装，内置匹配电路。

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￥1.64
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￥1.59
30+
￥1.57
100+
￥1.54

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型号：QPL9058TR7 编号：C22431319

封装：DFN-8(2x2)

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￥36.8
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￥31.71
30+
￥28.68
100+
￥25.62
500+
￥24.21
1000+
￥23.58

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型号：BGA 729N6 E6327 编号：C534169

封装：TSNP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

BGA729N6 是一款适用于便携式和移动电视应用的宽带低功耗低噪声放大器 (LNA) MMIC。它具有高增益模式和旁路模式，可在不同工作状态下提供不同的性能。

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10+
￥3.375
100+
￥3.25
200+
￥3
1000+
￥2.875
2000+
￥2.8

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型号：BGA 7L1BN6 E6327 编号：C534173

封装：TSNP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：插入功率增益：13.6 dB。低噪声系数：0.75 dB。低电流消耗：4.9 mA。旁路模式下插入损耗：-2.2 dB。工作频率：716-960 MHz。双态控制：旁路和高增益模式。电源电压：1.5 V至3.6 V。数字开/关开关（1V逻辑高电平）。超小TSNP-6-2无铅封装（尺寸：0.7×1.1 mm²）。B7HF硅锗技术。RF输出内部匹配至60 Ω。仅需1个外部SMD组件。无铅（符合RoHS标准）封装

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￥2.025
100+
￥1.95
200+
￥1.8
1000+
￥1.725
2000+
￥1.68

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型号：TRF37A75IDSGR 编号：C2151365

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TRF37A75采用具有功率降低引脚的2.00mm×2.00mm超薄小外形尺寸无引线(WSON)封装，适合空间占用和低功率模式关键的应用。其设计目的是易于使用，使用常见的5V电源，流耗为80mA，使用有源偏置电路在过程、温度和电压变化范围内提供稳定且可预计的偏置电流，提供平坦增益响应以及频率达到6000MHz时出色的OIP3输出，与50Ω内部匹配，简化使用并减小所需印刷电路板(PCB)面积。

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单价：
￥4.8006 / 个

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型号：SGL0622Z 编号：C470895

封装：DFN-8-EP(2x2)