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首页 > 热门关键词 > 射频开关芯片
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20MHz至6.0GHzGaAsSPDT射频开关
型号：SKYA21012 编号：C2654736
封装：XFDFN-6(1x1)
品牌：SKYWORKS
SKYA21012是一款pHEMTGaAsFETI/C开关，适用于传输/接收应用。通过将公共端（INPUT，引脚5）连接到OUTPUT1或OUTPUT2端口（引脚1或3），使用低损耗路径（即在VCTL1或VCTL2引脚上施加正电压）来控制开关。

  • 1+

    ￥17.6

  • 10+

    ￥14.95

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    ￥13.29

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    ￥11.59

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    ￥10.82

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    ￥10.49
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    0.1 to 3.0 GHz超高度线性SPDT开关
    型号：SKY13405-490LF 编号：C2654716
    封装：QFN-12-EP(2x2)
    品牌：SKYWORKS
    是一款CMOS、绝缘体上硅（SOI）单刀双掷（SPDT）开关。高线性度和低插入损耗可满足CDMA同步语音和LTE（SVLTE）数据应用的最严格要求。开关在隔离端口上是“反射短路”。采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）2×2 mm封装。

    • 50+

      ￥13.350986

    • 200+

      ￥11.20296

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      ￥9.304154

    • 1000+

      ￥7.832579
    我要订货
    0.1-3GHzGaAsPHEMTSPDT射频开关
    型号：AS213-92LF 编号：C150894
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：SKYWORKS
    AS213-92是一种中等功率的GaAsPHEMTSPDT射频开关，采用低成本的小型SC-706引脚塑料封装。该开关具有低插入损耗和正电压操作，且功耗非常低。这种通用开关可用于多种电信应用。
    数据手册

    • 50+

      ￥18.010075

    • 200+

      ￥15.112454

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      ￥12.551021

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      ￥10.56591
    我要订货
    AS195-306LF
    型号：AS195-306LF 编号：C2654740
    封装：QFN-16(4x4)
    品牌：SKYWORKS

    • 1+

      ￥23.68

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      ￥20.29

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      ￥18.29

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      ￥16.25

    • 500+

      ￥15.32

    • 1000+

      ￥14.89
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    SKY12212-478LF
    型号：SKY12212-478LF 编号：C3304166
    封装：QFN-16(4x4)
    品牌：SKYWORKS

    • 1+

      ￥61.58

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      ￥53.37

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      ￥48.37

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      ￥44.17
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    SPDT射频开关，工作频率0-6000MHz
    型号：M3SWA2-63DRC+ 编号：C17491724
    封装：MCLP-12(3x3)
    品牌：Mini-Circuits
    SPDT射频开关，适用于高频应用，具有低插入损耗和高隔离度

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      ￥78.01

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      ￥74.14

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      ￥67.42

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      ￥61.56
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    2.7GHzSP3T射频开关
    型号：RFASWMT2628ATF09 编号：C201768
    封装：DFN-9(1.1x1.1)
    品牌：Walsin(华新科)
    RFASWMT2628ATF09是一种CMOSSOI(SiliconOnInsulator)单刀三掷(SP3T)开关，工作频率为0.5-2.7GHz。该开关采用LGA(1.1x1.1x0.55mm)封装，具有高隔离度和低直流功耗。该开关内置ESD保护装置，提供优异的ESD性能。所有RF端口无需外部偏置电容器，除非外部施加直流偏置。
    数据手册

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      ￥0.4414

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      ￥0.3598

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      ￥0.2639

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      ￥0.2516
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    • 我要订货
    2.7GHzSPDT射频开关
    型号：RFASWA630ATF09 编号：C474003
    封装：-
    品牌：Walsin(华新科)
    RFASWA630ATF09是一款SOI单刀双掷(SPDT)射频开关，工作频率范围为0.1~2.7GHz，采用LGA封装。该开关具有ESD保护功能，无需外部DC阻塞电容。
    数据手册

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      ￥0.6188

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      ￥0.4993

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      ￥0.3588

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      ￥0.3409
  • 订货
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    RTC7608U
    型号：RTC7608U 编号：C5289685
    封装：QFN-6(1x1)
    品牌：RichWave(立积)

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      ￥0.56
    我要订货
    75Ω终端5-2200MHzSPDTCATVUltraCMOS开关
    型号：PE42742MLIBB-Z 编号：C470899
    封装：QFN-20-EP(4x4)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42742是一款SPDTUltraCMOS开关，设计用于CATV、DTV、多调谐器DVR、机顶盒、PC电视和游戏盒等宽带应用。它符合FCC15.115规定的80dB隔离度要求，并提供高隔离度和低插入损耗，无论在有电或无电状态下都能保持高性能。

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      ￥6.75

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      ￥5.63

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      ￥5.02

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      ￥3.89
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    2.7V高功率射频开关，DC-5.0GHz
    型号：MASW-008853-TR3000 编号：C3304182
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：MACOM
    M/A-COM的MASW-008853是一种基于GaAsPHEMT技术的单刀双掷(SPDT)高功率开关，采用低成本的六引脚SC70封装。该开关适用于需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。

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      ￥8.58

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      ￥7.13

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      ￥5.02

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      ￥4.84
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    50欧姆SPDT吸收型超CMOS射频开关
    型号：PE4257-51 编号：C726161
    封装：QFN-20-EP(4x4)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    DC至3.0GHz的高隔离度超CMOS射频开关，适用于无线应用，覆盖广泛的频率范围。
    数据手册

    • 1+

      ￥12.18

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      ￥11.96

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      ￥11.82

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      ￥11.68
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    5-6000MHzSPDT射频开关
    型号：PE42427A 编号：C726135
    封装：QFN-12-EP(2x2)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42427是一款采用HaRP技术增强的SPDT反射式射频开关，设计用于覆盖从5到6000MHz的广泛应用。该开关集成了板载CMOS控制逻辑，具有低电压CMOS兼容控制接口，无需外部元件。
    数据手册

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      ￥12.2

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      ￥12

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      ￥11.86

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      ￥11.73
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    通用SP8T射频开关
    型号：QPC6082TR7 编号：C470912
    封装：QFN-14-EP(2x2)
    品牌：Qorvo
    QPC6082是一款低损耗、高隔离度的SP8T射频开关，适用于CDMA、WCDMA和LTE应用，具有高线性度。
    数据手册

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      ￥15.27

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      ￥14.95

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      ￥14.74

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      ￥14.53
  • 订货
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    10-4000MHz吸收型单刀双掷射频开关
    型号：PE4251MLI 编号：C726159
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    10-4000MHz吸收型单刀双掷射频开关，适用于通用切换应用和移动基础设施。该设备提供灵活的3.3/5V电源电压，单引脚或互补引脚控制输入，4kVESD耐受能力。
    数据手册

    • 1+

      ￥15.65

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      ￥15.39

    • 30+

      ￥15.21

    • 100+

      ￥15.04
  • 订货
    • 我要订货
    100-3000MHz反射式SP3T射频开关
    型号：PE42430MLAB 编号：C726142
    封装：DFN-8-EP(1.5x1.5)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42430是一款基于UltraCMOs工艺的HaRPTM增强型反射式SP3T射频开关，适用于100-3000MHz的频率范围。
    数据手册

    • 1+

      ￥18.7

    • 10+

      ￥18.35

    • 30+

      ￥18.12

    • 100+

      ￥17.17
  • 订货
    • 我要订货
    5-6000MHz高性能SPDT射频开关
    型号：PE42426A 编号：C726134
    封装：QFN-12-EP(3x3)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42426是一款基于HaRPTM技术增强的反射式SPDT射频开关，适用于陆地移动无线电（LMR）和其他通用切换应用。该开关采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，提供GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性。
    数据手册

    • 1+

      ￥21.64

    • 10+

      ￥21.26

    • 30+

      ￥21.01

    • 100+

      ￥20.75
  • 订货
    • 我要订货
    50-3000MHzSP4T射频开关
    型号：PE42440MLBB 编号：C726146
    封装：QFN-16-EP(3x3)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    50-3000MHzSP4T射频开关，采用增强型HaRP技术，集成CMOS控制逻辑，无需DC阻塞电容器。
    数据手册

    • 1+

      ￥24.57

    • 10+

      ￥24.14

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      ￥23.85

    • 100+

      ￥23.56
  • 订货
    • 我要订货
    100-6000MHzSPDT射频开关
    型号：PE42420E-Z 编号：C500476
    封装：LGA-20(4x4)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42420是一款增强型HaRPTM技术的吸收式SPDT射频开关，适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。它适用于发射路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥26.21

    • 10+

      ￥25.75

    • 30+

      ￥25.44

    • 100+

      ￥25.13
  • 订货
    • 我要订货
    超宽带SP4T射频开关，5-3000MHz
    型号：PE613050A 编号：C726145
    封装：QFN-12-EP(2x2)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE613050是基于Peregrine的UltraCMOS技术的SP4T调谐控制开关。这款高度通用的开关支持多种调谐电路拓扑结构，重点在于阻抗匹配和孔径调谐应用。PE613050在关键的蜂窝频段（5到3000MHz）内具有低导通电阻和插入损耗。
    数据手册

    • 1+

      ￥26.64

    • 10+

      ￥26.14

    • 30+

      ￥24.79

    • 100+

      ￥24.46
  • 订货
    • 我要订货
    50-3000MHzSP4T射频开关
    型号：PE42440MLBB-Z 编号：C2654720
    封装：TQFN-16-EP(3x3)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    50-3000MHzSP4T射频开关，采用增强型HaRP技术，集成CMOS控制逻辑，无需DC阻塞电容器。
    数据手册

    • 1+

      ￥31.91

    • 10+

      ￥27.89

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      ￥25.5

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      ￥23.08

    • 500+

      ￥21.97

    • 1000+

      ￥21.46
  • 订货
    • 我要订货
    PE42423SPDT射频开关，100MHz至6GHz
    型号：PE42423B 编号：C726158
    封装：QFN-16-EP(3x3)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42423是一款采用HaRP技术增强的50ΩSPDT射频开关，支持802.11a/b/g/n/ac标准，带宽高达6GHz。
    数据手册

    • 1+

      ￥39.31

    • 10+

      ￥38.62

    • 30+

      ￥38.16

    • 100+

      ￥37.7
  • 订货
    • 我要订货
    700MHz-6GHzSPDTRF开关
    型号：PE42823A 编号：C726141
    封装：QFN-16-EP(3x3)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42823是一款高性能的SPDTRF开关，适用于700MHz至6GHz的频率范围。该开关具有高线性度、出色的隔离度和快速切换时间，采用16引脚3×3×0.75mmQFN封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥80.46

    • 10+

      ￥77.06

    • 30+

      ￥71.17

    • 100+

      ￥66.03
  • 订货
    • 我要订货
    10MHz-8GHzSP4T射频开关
    型号：PE42441C 编号：C726143
    封装：LGA-32(5x5)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42441是一款采用HaRPTM技术增强的吸收式SP4T射频开关，设计用于多种市场中的切换应用，包括无线基础设施、宽带和无线连接。
    数据手册

    • 1+

      ￥87.52

    • 10+

      ￥85.44
  • 订货
    • 我要订货
    700MHz-6GHz高性能SPDT射频开关
    型号：PE42823A-X 编号：C19632837
    封装：QFN-16(3x3)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42823是一款高性能SPDT射频开关，工作频率范围为700MHz至6GHz，具有高线性度、优异的隔离度和快速切换时间。采用16引脚3×3×0.75mmQFN封装。

    • 1+

      ￥55.596

    • 20+

      ￥53.336

    • 100+

      ￥51.98

    • 200+

      ￥50.624

    • 500+

      ￥49.72
    我要订货
    0.05-6.0GHz宽带高功率SPDT射频开关
    型号：MASW-000834-13560T 编号：C2925420
    封装：QFN-16-EP(4x4)
    品牌：MACOM
    MASW-000834是一种SPDT宽带、高线性度、共阳极PIN二极管T/R开关，适用于0.05-6.0GHz的应用，包括WiMAX和WiFi。该设备采用行业标准的4mmPQFN塑料封装。

    • 5+

      ￥158.214643

    • 10+

      ￥131.845536
    我要订货
    30-2700MHz高功率反射式SPDT射频开关
    型号：PE42820B 编号：C726140
    封装：QFN-32-EP(5x5)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42820是一款采用HaRPTM技术增强的高功率反射式SPDT射频开关，适用于移动无线电、继电器替代和其他高性能无线应用。这款开关是PE42510A的引脚兼容升级版，具有更宽的频率和电源范围，并提供外部负电源选项。它在30MHz至2.7GHz范围内具有出色的线性和功率处理能力。
    数据手册

    • 1+

      ￥133.04

    • 10+

      ￥121.9

    • 30+

      ￥111.66

    • 100+

      ￥102.72
  • 订货
    • 我要订货
    超宽带SP4T射频PIN二极管开关
    型号：MA4AGSW4 编号：C3303732
    封装：-
    品牌：MACOM
    MA4AGSW4是一款基于铝镓砷（AlGaAs）技术的单刀四掷（SP4T）PIN二极管开关。该开关具有增强的AlGaAs阳极，采用MACOM的异质结技术制造。与传统的GaAs工艺相比，AlGaAs技术可减少0.3dB的插入损耗。该器件在50GHz频率下表现出优异的性能。

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    超宽带非反射AlGaAsPIN二极管开关
    型号：MA4AGSW1A 编号：C3303729
    封装：-
    品牌：MACOM
    MA4AGSW1A是一种单刀单掷(SPST)吸收型AlGaAsPIN二极管开关，采用MACOM的专利异质结技术制造。该开关在50GHz时的插入损耗仅为0.5dB，隔离度高达46dB。

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    10MHz-8GHzSP12T射频开关
    型号：PE42412A 编号：C726153
    封装：QFN-32-EP(5x5)
    品牌：pSemi(游隼半导体)
    PE42412是一种增强型吸收式SP12T射频开关，支持10MHz至8GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，适用于无线基础设施和无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。
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