射频开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：RFASWA630ATF09 编号：C474003

封装：-

品牌：Walsin(华新科)

RFASWA630ATF09是一款SOI单刀双掷(SPDT)射频开关，工作频率范围为0.1~2.7GHz，采用LGA封装。该开关具有ESD保护功能，无需外部DC阻塞电容。

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5+
￥0.6188
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￥0.4993
150+
￥0.4395
500+
￥0.3947
3000+
￥0.3588
6000+
￥0.3409

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型号：RTC6619SP 编号：C474874

封装：QFN-6

品牌：RichWave(立积)

95+
￥2.726359
200+
￥2.42343
500+
￥1.979135
1000+
￥1.696401

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型号：PE42742MLIBB-Z 编号：C470899

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42742是一款SPDTUltraCMOS开关，设计用于CATV、DTV、多调谐器DVR、机顶盒、PC电视和游戏盒等宽带应用。它符合FCC15.115规定的80dB隔离度要求，并提供高隔离度和低插入损耗，无论在有电或无电状态下都能保持高性能。

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￥6.75
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￥5.63
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￥5.02
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￥4.33
500+
￥4.03
1000+
￥3.89

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型号：MASW-008853-TR3000 编号：C3304182

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：MACOM

M/A-COM的MASW-008853是一种基于GaAsPHEMT技术的单刀双掷(SPDT)高功率开关，采用低成本的六引脚SC70封装。该开关适用于需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。

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￥33.5667
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￥32.2022
100+
￥31.3835
200+
￥30.019
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￥29.4732

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型号：PE4257-51 编号：C726161

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

DC至3.0GHz的高隔离度超CMOS射频开关，适用于无线应用，覆盖广泛的频率范围。

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1+
￥12.18
10+
￥11.96
30+
￥11.82
100+
￥11.68

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型号：PE42427A 编号：C726135

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42427是一款采用HaRP技术增强的SPDT反射式射频开关，设计用于覆盖从5到6000MHz的广泛应用。该开关集成了板载CMOS控制逻辑，具有低电压CMOS兼容控制接口，无需外部元件。

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1+
￥12.2
10+
￥12
30+
￥11.86
100+
￥11.73

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型号：PE4251MLI 编号：C726159

封装：MSOP-8-EP

品牌：pSemi(游隼半导体)

10-4000MHz吸收型单刀双掷射频开关，适用于通用切换应用和移动基础设施。该设备提供灵活的3.3/5V电源电压，单引脚或互补引脚控制输入，4kVESD耐受能力。

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1+
￥15.65
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￥15.39
30+
￥15.21
100+
￥15.04

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型号：PE42430MLAB 编号：C726142

封装：DFN-8-EP(1.5x1.5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42430是一款基于UltraCMOs工艺的HaRPTM增强型反射式SP3T射频开关，适用于100-3000MHz的频率范围。

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1+
￥18.7
10+
￥18.35
30+
￥18.12
100+
￥17.17

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型号：PE42426A 编号：C726134

封装：QFN-12-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42426是一款基于HaRPTM技术增强的反射式SPDT射频开关，适用于陆地移动无线电（LMR）和其他通用切换应用。该开关采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，提供GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性。

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1+
￥21.64
10+
￥21.26
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￥21.01
100+
￥20.75

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型号：PE42440MLBB 编号：C726146

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

50-3000MHzSP4T射频开关，采用增强型HaRP技术，集成CMOS控制逻辑，无需DC阻塞电容器。

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1+
￥24.57
10+
￥24.14
30+
￥23.85
100+
￥23.56

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型号：PE42420E-Z 编号：C500476

封装：LGA-20(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42420是一款增强型HaRPTM技术的吸收式SPDT射频开关，适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。它适用于发射路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。

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1+
￥26.21
10+
￥25.75
30+
￥25.44
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￥25.13

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型号：PE613050A 编号：C726145

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE613050是基于Peregrine的UltraCMOS技术的SP4T调谐控制开关。这款高度通用的开关支持多种调谐电路拓扑结构，重点在于阻抗匹配和孔径调谐应用。PE613050在关键的蜂窝频段（5到3000MHz）内具有低导通电阻和插入损耗。

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1+
￥26.64
10+
￥26.14
30+
￥24.79
100+
￥24.46

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型号：PE42440MLBB-Z 编号：C2654720

封装：TQFN-16-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

50-3000MHzSP4T射频开关，采用增强型HaRP技术，集成CMOS控制逻辑，无需DC阻塞电容器。

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1+
￥31.91
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￥27.89
30+
￥25.5
100+
￥23.08
500+
￥21.97
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￥21.46

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型号：PE42423B 编号：C726158

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42423是一款采用HaRP技术增强的50ΩSPDT射频开关，支持802.11a/b/g/n/ac标准，带宽高达6GHz。

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1+
￥39.31
10+
￥38.62
30+
￥38.16
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￥37.7

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型号：PE42823A 编号：C726141

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42823是一款高性能的SPDTRF开关，适用于700MHz至6GHz的频率范围。该开关具有高线性度、出色的隔离度和快速切换时间，采用16引脚3×3×0.75mmQFN封装。

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1+
￥80.46
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￥77.06
30+
￥71.17
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￥66.03

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型号：PE42441C 编号：C726143

封装：LGA-32(5x5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42441是一款采用HaRPTM技术增强的吸收式SP4T射频开关，设计用于多种市场中的切换应用，包括无线基础设施、宽带和无线连接。

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1+
￥87.52
10+
￥85.44

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型号：PE42823A-X 编号：C19632837

封装：QFN-16(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42823是一款高性能SPDT射频开关，工作频率范围为700MHz至6GHz，具有高线性度、优异的隔离度和快速切换时间。采用16引脚3×3×0.75mmQFN封装。

1+
￥55.596
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￥53.336
100+
￥51.98
200+
￥49.72
500+
￥48.816

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型号：PE42820B 编号：C726140

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42820是一款采用HaRPTM技术增强的高功率反射式SPDT射频开关，适用于移动无线电、继电器替代和其他高性能无线应用。这款开关是PE42510A的引脚兼容升级版，具有更宽的频率和电源范围，并提供外部负电源选项。它在30MHz至2.7GHz范围内具有出色的线性和功率处理能力。

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1+
￥133.04
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￥121.9
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￥111.66
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￥102.72

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型号：MA4AGSW1A 编号：C3303729

封装：-

品牌：MACOM

MA4AGSW1A是一种单刀单掷(SPST)吸收型AlGaAsPIN二极管开关，采用MACOM的专利异质结技术制造。该开关在50GHz时的插入损耗仅为0.5dB，隔离度高达46dB。

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￥145.48
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￥138.75
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￥127.08
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￥116.91

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型号：PE42412A 编号：C726153

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42412是一种增强型吸收式SP12T射频开关，支持10MHz至8GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，适用于无线基础设施和无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。

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1+
￥160.9
10+
￥157.06

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型号：PE42512A 编号：C726154

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42512是一种采用HaRPTM技术增强的吸收型SP12T射频开关，支持从9kHz到8GHz的频率范围。外部Vss引脚可用于旁路内部负电压发生器，从而实现无杂散性能。该设备具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，适用于测试和测量(T&M)和高达8GHz的无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。无需在RF端口上安装阻塞电容器（如果不存在直流电压）。

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