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HMC1055是一款低成本、砷化镓（GaAs）单刀单掷（SPST）射频开关，采用表面贴装LFCSP封装。该开关在单正电源电压下工作，具有低插入损耗、高隔离度和出色的三阶互调性能。

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￥27.5076 / 个

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型号：PE42562A-X 编号：C24834148

封装：QFN-24

品牌：pSemi(游隼半导体)

是一款采用HaRP™技术增强的吸收式SP6T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以实现无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，适用于高达8 GHz的测试与测量以及无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。如果射频端口上不存在直流电压，则无需阻塞电容。采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

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型号：HMC322ALP4E 编号：C1558622

封装：QFN-24-EP(4x4)

HMC322ALP4E是一款宽带非反射式GaAsMESFETSP8T射频开关，采用低成本无引脚表面贴装封装。覆盖DC至8GHz的频率范围，提供高隔离度和低插入损耗。该开关还集成了一个3:8TTL解码电路，减少了所需的逻辑控制线到三条。开关使用-5V控制电压，并需要固定的-5V偏置。适用于50-Ohm或75-Ohm系统。

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￥213.678 / 个

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型号：HMC550A 编号：C1526251

封装：SOT-23-6

HMC550A是一款低成本、低插入损耗、低电流消耗的单刀单掷(SPST)安全开关，采用6引脚SOT26封装。适用于需要低插入损耗和低电流消耗的应用，如RFID、ISM、汽车和便携式标签等。

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￥79.3368 / 个

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型号：SA630D/01,118 编号：C729170

封装：SOP-8

品牌：NXP(恩智浦)

是一款采用 BiCMOS 技术制造的宽带 RF 开关，集成了片上 CMOS/TTL 兼容驱动器。其主要功能是将直流至 1 GHz 频率范围内的信号从一个 50Ω 通道切换到另一个通道。开关通过施加到使能通道 1 引脚 (ENCH1) 的 CMOS/TTL 兼容信号激活。极低的电流消耗使其非常适合便携式应用。出色的隔离和低损耗使其成为 PIN 二极管的合适替代品。采用 8 引脚 SO（表面贴装微型）封装。

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￥87.21
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￥84.59

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型号：SA630D/01,112 编号：C729169

封装：SOP-8

品牌：NXP(恩智浦)

是一款采用 BiCMOS 技术制造的宽带 RF 开关，集成了片上 CMOS/TTL 兼容驱动器。其主要功能是将直流至 1 GHz 频率范围内的信号从一个 50Ω 通道切换到另一个通道。开关通过施加到使能通道 1 引脚 (ENCH1) 的 CMOS/TTL 兼容信号激活。极低的电流消耗使其非常适合便携式应用。出色的隔离和低损耗使其成为 PIN 二极管的合适替代品。采用 8 引脚 SO（表面贴装微型）封装。

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型号：MMS008PP3/TR 编号：C1513112

封装：VFQFN-16-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MMS008PP3是一款DC至8GHz的非反射砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)单刀四掷(SP4T)微波单片集成电路(MMIC)开关，采用3mmx3mm表面贴装塑料无引脚封装。该开关在DC至8GHz频段内提供平均40dB的隔离度，同时保持1.8dB的低插入损耗。该开关包括一个片上二进制2:4解码电路，减少了所需的逻辑控制线。控制电压为0/-5V，固定偏置为-5V。

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型号：HMC270AMS8GE 编号：C1526256

封装：MSOP-8-EP

HMC270AMS8GE是一款宽带非反射型GaAsSPDT开关，适用于DC到8GHz的应用。它提供出色的隔离度，从70到35dB，并采用低成本的8引脚MSOP封装。

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￥47.2284 / 个

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型号：HMC1084LC4 编号：C1526248

封装：QFN-24(4x4)

HMC1084LC4是一款宽带反射式GaAsMESFETSP4T开关，封装在紧凑的4x4mm陶瓷SMT封装中。覆盖23-30GHz频段，提供高隔离度和低插入损耗。该开关通过0/-3V逻辑控制，具有快速切换速度和低直流电流消耗。

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￥275.1516 / 个

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型号：ADRF5130BCPZ 编号：C579323

封装：LFCSP-24(4x4)

ADRF5130是一款高功率、反射式、单刀双掷（SPDT）射频开关，工作频率范围为0.7GHz至3.8GHz。该器件具有高功率处理能力（最大43dBm），低插入损耗（0.6dB@2GHz，0.7dB@3.5GHz），高隔离度（50dB@2GHz，46dB@3.5GHz），以及高线性度（0.1dB压缩点为46dBm，输入三阶截点为68dBm@2GHz）。它采用紧凑的24引脚4mm×4mmLFCSP封装，适用于蜂窝基础设施、无线基础设施、高可靠性应用以及测试设备。

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￥203.1588 / 个

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型号：HMC321ALP4E 编号：C1526237

封装：LFCSP-24(4x4)

GaAsMMICSP8T非反射式正控制开关，DC-8GHz

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￥250.1712 / 个

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型号：HMC427ALP3E 编号：C1558611

封装：SMT-16(3x3)

HMC427ALP3E是一款低损耗宽带正控传输开关，采用无引脚表面贴装封装。覆盖DC至8GHz，提供高隔离度和低插入损耗。开关使用0/+5V正控电压，固定偏置为+5V，电流小于20μA。

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单价：
￥366.876 / 个

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型号：HMC244AG16 编号：C605844

封装：SMT-16(5.8x5.8)

HMC244AG16是一款非反射型单刀四掷（SP4T）射频开关，采用16引脚玻璃/金属（密封）封装。其工作频率范围从直流到4GHz，提供30~50dB的隔离度和0.9dB的低插入损耗（3GHz以下）。集成2:4TTL/CMOS兼容解码器，仅需2条控制线和正5V偏置即可选择每条路径。

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￥1305.54
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￥1242.44

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型号：HMC8800 编号：C605911

封装：-

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型号：HMC-C583 编号：C605996

封装：-

0.1GHz至40GHzSPST开关

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￥25867.34
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型号：PS11124AYULA9G/TR 编号：C2979885

封装：ULGA-9(1.1x1.1)

PS11124A是一款单刀四掷(SP4T)射频开关，支持从0.1GHz到3GHz的频率范围。该设备具有低插入损耗和高隔离度，适用于高线性度接收应用。

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型号：RFASWE660DTF03 编号：C2859383

封装：QFN-20-EP(2.4x2.4)

品牌：Walsin(华新科)

RFASWE660DTF03是一款单刀十掷（SP10T）天线开关，集成了移动行业处理器接口（MIPI）控制器。采用先进的开关技术，保持低插入损耗和高隔离度，适用于UMTS、CDMA2000、EDGE、GSM和LTE应用。

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型号：SGM72106YURP14G/TR 编号：C2979886

封装：QFN-14(2x2)

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￥0.6323
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￥0.6185
30+
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型号：SGM11106CYURB14G/TR 编号：C2979887

封装：QFN-14(2x2)

1+
￥0.6323
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￥0.6185
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型号：SGM72108YURP14G/TR 编号：C2979889

封装：QFN-14(2x2)

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型号：RFASWK694CTF09 编号：C20622901

封装：QFN-10(1.1x1.5)

品牌：Walsin(华新科)

RFASWK694CTF09是一款适用于天线调谐应用的单刀四掷(SP4T)开关，具有非常低的导通电阻和关断电容。该开关提供强大的功率处理能力和简单的2位GPIO控制，并且具有非常低的直流功耗。

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￥0.6885
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￥0.6731
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￥0.6628
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￥0.6525

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型号：SGM72112AYURE20G/TR 编号：C2979893

封装：QFN-20-EP(2.5x2.5)

SGM72112A是一款单刀十二掷（SP12T）天线开关，支持0.1GHz到3GHz的频率范围。该设备具有低插入损耗和高隔离度，适合高线性接收应用。它还具有高线性性能，不受蜂窝干扰，适用于多模和多频带LTE手机。

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￥0.8845
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型号：NJG1801K75-TE1 编号：C3039929

封装：DFN-6(1x1)

品牌：JRC

NJG1801K75是一款适用于802.11a/b/g/n/ac网络应用的SPDT射频开关IC。它具有低插入损耗、高隔离度和高处理功率。此开关覆盖高达6.0GHz的宽频率范围，并采用超小超薄的DFN6-75封装。

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50+
￥0.7425
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￥0.6875
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￥0.66
5000+
￥0.6325
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￥0.605

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型号：SGM72112BYULB18G/TR 编号：C2979894

封装：ULGA-18(2x2.4)

SGM72112B是一款双单刀六掷（2xSP6T）天线开关，支持从0.1GHz到3.8GHz的频率范围。该设备具有低插入损耗和高隔离度，适用于高线性接收应用，特别适合载波聚合的多样性接收。

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1+
￥1.59
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￥1.55
30+
￥1.53

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型号：RFASWHH1416ATF09 编号：C127624

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：Walsin(华新科)

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1+
￥2.56
10+
￥2.05
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￥1.84
100+
￥1.57
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￥1.45
1000+
￥1.37

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型号：NJG1684ME2(TE1) 编号：C7498727

封装：EQFN12-E2_1.8X1.8mm

品牌：Nisshinbo

1+
￥5.44
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￥2.17
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￥2.1
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￥2.07

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型号：UPG2179TB-E4-A 编号：C3312585

封装：TSSOP-6

μPG2179TB是一款适用于L、S波段的GaAsMMIC单刀双掷（SPDT）射频开关，设计用于移动电话和其他L、S波段应用。该器件可以通过2.5至5.3V的控制电压进行切换操作，工作频率范围为0.05至3.0GHz，具有低插入损耗和高隔离度。

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￥9.961413
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￥8.358732
500+
￥6.941997
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￥5.844028

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型号：F2910NBGP8 编号：C17343532

封装：VFQFPN-8(2x2)

F2910是一款高可靠性、低插入损耗的50Ω吸收型单刀单掷（SPST）射频开关，设计用于多种无线和RF应用。该设备覆盖从30MHz到8000MHz的广泛频率范围。除了提供低插入损耗外，F2910还提供了出色的线性和隔离性能，并在隔离模式下提供50Ω的终端。F2910包括一项专利待决的恒定阻抗Kz功能，用于RF2端口。Kz在切换RF端口时保持近似恒定的阻抗，提高了热切换的坚固性。Kz最小化了VSWR瞬变，并减少了相位和幅度变化。

50+
￥9.720961
200+
￥7.976172
500+
￥6.513875
1000+
￥5.583321

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型号：F2912NCGI8 编号：C1511998

封装：TQFN-20-EP(4x4)

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￥9.66
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￥9.41
30+
￥9.24
100+
￥9.08

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型号：F2977NEGK8 编号：C1512005

封装：QFN-12-EP(2x2)