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  • BGS14MPA9是一款单刀四掷(SP4T)高功率开关,封装尺寸非常紧凑,仅为1.1x1.1mm²,最大厚度为0.65mm。适用于多模LTE和WCDMA多天线应用。
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  • 此SP8T射频开关是基于LTE、WCDMA和TDCDMA的多模手机的理想解决方案。它覆盖了从0.1到3.8GHz的频段,支持LTETx功率和3.8GHz的应用。它具有无直流RF端口,外部直流阻塞电容器仅在外部施加直流电压时需要。
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  • BGSA142GN12是一种多功能直接映射单刀四掷(SP4T)射频开关,优化用于低Corr和低Ron,支持高达6.0GHz的应用。GPIO数字控制线提供多种可选开关配置。
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  • 该器件具有多种可选开关配置,每个端口均可独立控制。在开启状态下,每个端口的Ron电阻低至1.75Ω,关闭状态下的Corr电容低至110fF。支持高达72V的射频工作电压,且无射频参数变化。采用MIPI2.0RFFE控制接口,支持4个USID地址。小型封装,符合RoHS和WEEE标准。
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  • 适用于高线性和高RF电压调谐应用的高RF电压SP4T开关,支持多种可选开关配置,每个端口在ON状态下具有低Ron电阻和在OFF状态下具有低Corr电容,支持MIPIRFFE数字控制接口。
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  • BGS15AN16是一款高性能SP5T射频开关,具有高线性度、低插入损耗和高隔离度,适用于多种无线通信应用,如WCDMA、CDMA、LTE等。
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  • ADG902是一款宽频带射频开关,具有高隔离度和低插入损耗,适用于无线通信和高频切换应用。它采用CMOS工艺制造,支持单电源供电,并提供多种封装选项。
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  • ADG901/ADG902是宽带开关,采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,提供高达1GHz的高隔离度和低插入损耗。ADG901是吸收型(匹配)开关,具有50Ω终端分流腿,而ADG902是反射型开关。
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      ¥11.38
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  • ADG918/ADG919是使用CMOS工艺制造的宽带开关,提供高达1GHz的高隔离度和低插入损耗。ADG918是一个吸收型(匹配)开关,具有50Ω终止的并联支路,而ADG919是一个反射型开关。
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  • ADG901是一款宽频带射频开关,具有高隔离度和低插入损耗,适用于无线通信和高频切换应用。它采用CMOS工艺制造,支持单电源供电,并提供多种封装选项。
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      ¥12.67
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  • BGSF110GN26是一个单刀十掷(SP10T)天线开关模块(ASM),优化用于高达3.8GHz的无线应用。它是基于四频段GSM、WCDMA和LTE的多模手机的理想解决方案。
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  • ADG918/ADG919是使用CMOS工艺制造的宽带开关,提供高隔离度和低插入损耗,适用于1GHz以下的频率范围。ADG918是吸收型(匹配)开关,具有50Ω终止的分流腿,而ADG919是反射型开关。
    数据手册
    • 单价:

      ¥22.3992 / 个
    HMC544A/544AE是低成本的单刀双掷(SPDT)开关,采用6引脚SOT26封装,适用于传输和接收应用,要求在中等功率水平下具有非常低的插入损耗。这些器件可以控制从DC到4.0GHz的信号,特别适合于450、900、1900、2300和2700MHz应用,插入损耗小于0.5dB。GaAsPHEMT设计提供了出色的线性性能,1dB压缩点为+36dBm,三阶截距为+60dBm。
    数据手册
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      ¥33.8904 / 个
    ADG936/ADG936-R是宽带模拟开关,包含两个独立可选的SPDT开关,采用CMOS工艺提供高隔离度和低插入损耗。这些器件适用于无线通信和通用高频切换。
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      ¥32.8212 / 个
    HMC545ATR是一款低成本的SPDT射频开关,采用6引脚SOT26封装,适用于需要非常低的插入损耗和非常小尺寸的一般切换应用。这些设备可以在DC到3.0GHz的频率范围内控制信号,特别适合蜂窝/3G、ISM、汽车和便携式设备的应用。设计提供了出色的插入损耗性能,非常适合滤波器和接收器切换。当关闭时,RF1和RF2是反射短路。
    数据手册
    • 单价:

      ¥40.1652 / 个
    ADG936/ADG936-R是宽带模拟开关,包含两个独立可选的SPDT开关,采用CMOS工艺提供高隔离度和低插入损耗,适用于1GHz以下的高频应用。
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      ¥8.45
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  • ADG918/ADG919是使用CMOS工艺制造的宽带开关,提供高隔离度和低插入损耗,适用于1GHz以下的频率范围。ADG918是吸收型(匹配)开关,具有50Ω终止的分流腿,而ADG919是反射型开关。
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  • ADW54011Z是一款宽带射频开关,适用于2.5GHz频率范围内的应用。它具有37dB的隔离度(在1GHz时)和1.1dB的插入损耗(在1GHz时)。该器件采用CMOS工艺制造,支持1.65V至2.75V的单电源供电,具有低功耗和CMOS/LVTTL控制逻辑。
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    • 单价:

      ¥40.6404 / 个
    ADG901/ADG902是使用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制造的宽带开关,提供高隔离度和低插入损耗。ADG901是吸收型(匹配)开关,具有50Ω终止的分流腿,而ADG902是反射型开关。
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    • 单价:

      ¥45.3816 / 个
    HMC546MS8GE是一款低成本的SPDT开关,采用8引脚MSOP8G表面贴装封装,适用于传输-接收应用,能够在高信号功率水平下提供非常低的失真,最高可达10瓦。该器件可以控制200-2200MHz的信号,特别适合蜂窝增强器、PMR和汽车远程信息处理应用。设计提供了+40dBm的P0.1dB和+65dBm的IIP3在发射端口。失效安全拓扑允许开关在无直流电源时提供从RFC到Tx的低损耗路径。
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      ¥32.43
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      ¥11.9
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  • HMC546MS8G(E)是一种低成本的单刀双掷(SPDT)开关,采用8引脚MSOP8G表面贴装封装,适用于高信号功率水平下的传输-接收应用,最高可达10瓦。该器件可控制200-2200MHz的信号,特别适用于蜂窝增强器、PMR和汽车远程信息处理应用。设计提供了+40dBm的P0.1dB和+65dBm的IIP3在传输(Tx)端口。无电源时,开关提供从RFC到Tx的低损耗路径。
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  • ADG901/ADG902是宽带开关,采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,提供高达1GHz的高隔离度和低插入损耗。ADG901是吸收型(匹配)开关,具有50Ω终端分流腿,而ADG902是反射型开关。
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      ¥41.36
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      ¥40.232
    HMC536LP2(E)是一款从DC到6GHz的GaAsMMICT/R开关,采用无引脚2x2mmDFN表面贴装封装,带接地焊盘。该开关适用于蜂窝、WiMAX和WiBro接入点及订户应用,具有低0.6dB插入损耗和高+54dBm输入IP3。其功率处理能力在6GHz以下表现出色,开关控制电压为+3V或+5V。
    • 单价:

      ¥64.4544 / 个
    HMC546MS8G(E)是一种低成本的单刀双掷(SPDT)开关,采用8引脚MSOP8G表面贴装封装,适用于高信号功率水平下的传输-接收应用,最高可达10瓦。该器件可控制200-2200MHz的信号,特别适用于蜂窝增强器、PMR和汽车远程信息处理应用。设计提供了+40dBm的P0.1dB和+65dBm的IIP3在传输(Tx)端口。无电源时,开关提供从RFC到Tx的低损耗路径。
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      ¥53.676 / 个
    HMC595ATR是一种低成本、高性能的单刀双掷(SPDT)射频开关,适用于高功率传输/接收应用。该器件可在DC至3GHz的频率范围内控制信号,并具有非常低的失真。典型应用场景包括蜂窝/3G基础设施、WLAN、WiMAX和WiBro等。
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    • 单价:

      ¥77.1336 / 个
    HMC245AQS16E是一款低成本非反射式SP3T射频开关,采用16引脚QSOP表面贴装封装。其工作频率范围为DC至3.5GHz,提供30至40dB的隔离度和0.7dB的低插入损耗。集成2:3TTL解码器,仅需2条控制线和单个+5V偏置即可选择每条路径。
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