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ATmega328PB 是一款基于 AVR 增强型 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega328PB 可以实现接近每 MHz 1 MIPS 的吞吐量。这使得系统设计者可以在功耗和处理速度之间进行优化。该核心结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在单个时钟周期内执行的一条指令访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时比传统的 CISC 微控制器快十倍。ATmega328PB 提供以下功能：具有读写同时进行功能的 32 KB 在系统可编程 Flash、1 KB EEPROM、2 KB SRAM、27 个通用 I/O 线、32 个通用工作寄存器、五个带比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、两个串行可编程 USART、两个字节级两线串行接口 (I2C)、两个 SPI 串行端口、8 通道 10 位 ADC（TQFP 和 QFN/MLF 封装）、带内部振荡器的可编程看门狗定时器、时钟失效检测机制以及六种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU 而允许 SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI 端口和中断系统继续运行。PTC 支持最多 24 个自电容传感器和 144 个互电容传感器。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于睡眠状态时保持定时器基准。此外，还支持 PTC 在省电模式下运行/触摸唤醒以及 PTC 模拟和数字部分的动态开关。ADC 降噪模式停止 CPU 和所有 I/O 模块，除了异步定时器、PTC 和 ADC，以减少 ADC 转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于睡眠状态。这允许快速启动并结合低功耗。该设备采用高密度非易失性存储技术制造。片上 ISP Flash 允许通过 SPI 串行接口在系统中重新编程程序存储器，或者通过传统的非易失性存储器编程器或运行在 AVR 核心上的片上引导程序进行编程。引导程序可以使用任何接口将应用程序下载到应用程序 Flash 存储器中。当应用程序 Flash 部分更新时，引导 Flash 部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将 8 位 RISC CPU 与片上在系统自编程 Flash 结合在一个单片芯片上，ATmega328PB 成为一种功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega328PB 由一套完整的程序和系统开发工具支持，包括 C 编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

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型号：PIC16F1938-I/SS 编号：C9784

封装：SSOP-28-208mil

基于闪存的28/40/44引脚、8位CMOS微控制器，带有LCD驱动器和纳瓦技术。

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型号：ATMEGA328-AU 编号：C618731

封装：TQFP-32(7x7)

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一种基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，允许系统设计者优化功耗与处理速度。AVR核心结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），使得在一个时钟周期内执行的一条指令可以访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，并且比传统的CISC微控制器快达十倍。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P提供了以下特性：具有读写同时进行能力的4K/8K字节的系统内可编程Flash、256/512/512/1K字节的EEPROM、512/1K/1K/2K字节的SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个带有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、面向字节的两线串行接口、一个SPI串行端口、一个6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中为8通道）、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用其他所有芯片功能直到下一个中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于休眠状态时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU和所有I/O模块（除了异步定时器和ADC）以最小化ADC转换期间的开关噪声。待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于休眠状态。这允许非常快速启动并结合低功耗。Microchip提供QTouch库，用于将电容触摸按钮、滑块和滚轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供了稳健的感应，并包括完全去抖动的触摸键报告，还包括相邻键抑制(AKS)技术以实现对按键事件无歧义的检测。易于使用的QTouch套件工具链允许您探索、开发和调试自己的触摸应用程序。该器件使用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、常规非易失性存储器编程器或运行于AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行系统内重新编程。引导程序可以使用任何接口来下载应用Flash存储器中的应用程序。当应用Flash部分被更新时，引导Flash部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与系统内自编程Flash集成在同一芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P是一种强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR支持完整的程序和系统开发工具套件，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

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型号：FSV4745 编号：C51904383

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Forsinve(福芯微)

车载收音芯片

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型号：STM32L071KBU6 编号：C911078

封装：UFQFPN-32(5x5)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。运行模式低至 93μA/MHz

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型号：STM32L051K6U6 编号：C69566

封装：UFQFPN-32(5x5)

特性：超低功耗平台。供电电压为1.65V至3.6V。温度范围为 -40℃至125℃。待机模式（2个唤醒引脚）电流为0.27μA。停止模式（16个唤醒线）电流为0.4μA。停止模式 + RTC + 8KB RAM保持电流为0.8μA

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型号：PIC16F1518-I/SO 编号：C646203

封装：SOIC-28-300mil

特性：C编译器优化架构。仅49条指令。工作速度：2.5V时，直流-20MHz时钟输入。1.8V时，直流-16MHz时钟输入。直流-200ns指令周期。具备自动上下文保存的中断能力。 16级深度硬件堆栈，可选溢出/下溢复位。直接、间接和相对寻址模式：两个完整的16位文件选择寄存器（FSRs）

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型号：STM32G474CCT6 编号：C730124

封装：LQFP-48(7x7)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

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型号：M482SIDAE 编号：C194456

封装：LQFP-64(7x7)

品牌：NUVOTON(新唐)

特性：ARM Cortex-M4核心。具备系统管理器，包含系统复位、系统电源分配、电源模式和唤醒源、电源模式转换、系统内存映射、SRAM内存组织、总线矩阵、HIRC自动调整、系统定时器（SysTick）、嵌套向量中断控制器（NVIC）等功能。具备时钟控制器，包含时钟生成器、系统时钟和SysTick时钟、外设时钟、掉电模式时钟、时钟输出、USB时钟源等功能。具备闪存内存控制器（FMC）。具备通用输入输出（GPIO）。具备PDMA控制器（PDMA）

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型号：MKL16Z128VLH4 编号：C477546

封装：LQFP-64(10x10)

设计注重效率，与所有其他Kinetis L系列以及Kinetis K1x系列兼容。通用MCU具有市场领先的超低功耗，为开发人员提供合适的入门级32位解决方案。该产品具备:在极低功耗运行模式下，运行功耗低至40μA/MHz。具备全状态保留功能时，静态功耗低至2μA，唤醒时间为4.5μs。超高效的Cortex-M0+处理器，运行速度高达48 MHz，具有行业领先的吞吐量。内存选项高达128 KB闪存和16 KB RAM。节能架构针对低功耗进行了优化，采用90nm TFS技术、时钟和电源门控技术以及零等待状态闪存控制器

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型号：STM32L412KBU6 编号：C529439

封装：UFQFPN-32(5x5)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/125℃温度范围。V_BAT模式下300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。16nA关机模式（4个唤醒引脚）。32nA待机模式（4个唤醒引脚）。RTC待机模式下245nA。停止2模式下0.7μA，带RTC时0.95μA

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型号：FS32K144HFT0VLHT 编号：C508512

封装：LQFP-64(10x10)

特性：工作电压范围：2.7V至5.5V。环境温度范围：HSRUN模式下为 -40°C至105°C，RUN模式下为 -40°C至150°C。 Arm Cortex-M4F/M0+内核，32位CPU。支持高达112MHz频率（HSRUN模式），每MHz Arm内核1.25 Dhrystone MIPS，基于Armv7架构和Thumb-2 ISA。集成数字信号处理器（DSP）。可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）。单精度浮点单元（FPU）。 40MHz快速外部振荡器（SOSC），外部时钟模式下直流外部方波输入时钟高达50MHz

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型号：ESP32-C5HR8 编号：C51950746

封装：QFN-48(6x6)

品牌：ESPRESSIF(乐鑫)

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型号：ESP32-C5HF4 编号：C51950747

封装：QFN-48(6x6)

品牌：ESPRESSIF(乐鑫)

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型号：STM32L451VET6 编号：C1341459

封装：LQFP-100(14x14)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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型号：STM32F101CBT6 编号：C46607

封装：LQFP-48(7x7)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率36 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：64至128 Kbytes的闪存，10至16 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT为RTC和备份寄存器供电。调试模式：串行线调试（SwD）和JTAG接口。 DMA：7通道DMA控制器，支持的外设包括定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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￥25.62
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型号：STM32G0B1CEU6 编号：C2829190

封装：UFQFPN-48(7x7)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达512KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：PIC16F876AT-I/SO 编号：C629746

封装：SOIC-28-300mil

特性：仅需学习35条单字指令。除程序分支为双周期指令外，其余均为单周期指令。工作速度：直流-20MHz时钟输入，直流-200ns指令周期。高达8K×14字的闪存程序存储器，高达368×8字节的数据存储器（RAM），高达256×8字节的EEPROM数据存储器。引脚与其他28引脚或40/44引脚的PIC16CXXX和PIC16FXXX微控制器兼容。 Timer0：带8位预分频器的8位定时器/计数器

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￥23.8

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型号：PIC18F44K22-I/PT 编号：C219116

封装：TQFP-44(10x10)

PIC 微控制器 IC series 8-位 64MHz 16KB(8K x 16) 闪存

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型号：STM32L433RCT6TR 编号：C2053519

封装：LQFP-64(10x10)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

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￥28.23
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型号：FS32K144HFT0MLLT 编号：C1345729

封装：LQFP-100(14x14)

特性：工作电压范围：2.7V至5.5V。环境温度范围：HSRUN模式为 -40℃至105℃，RUN模式为 -40℃至150℃。Arm Cortex-M4F/M0+内核，32位CPU，HSRUN模式下支持高达112MHz频率，每MHz 1.25 Dhrystone MIPS。基于Armv7架构和Thumb-2 ISA的Arm内核，集成数字信号处理器（DSP）。可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）。单精度浮点单元（FPU）。4-40 MHz快速外部振荡器（SOSC），外部时钟模式下支持高达50MHz直流外部方波输入时钟。48 MHz快速内部RC振荡器（FIRC）

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￥30.19
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￥20.0475 ￥20.25
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￥18.2457 ￥18.43

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型号：ATSAMC21G18A-AUT 编号：C124133

封装：TQFP-48(7x7)

特性：工作条件：2.7V – 5.5V，-40°C 至 +125°C，直流至 48 MHz；-40°C 至 +85°C，直流至 64 MHz。内核：Arm Cortex-M0+ CPU 最高运行频率 48 MHz 或 64 MHz，单周期硬件乘法器，微跟踪缓冲区，内存保护单元 (MPU)。存储器：32/64/128/256 KB 系统内可自编程闪存，1/2/4/8 KB 独立可自编程闪存用于 EEPROM 仿真，4/8/16/32 KB SRAM 主存储器。

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￥26.76
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￥24.09
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型号：FS32K144HFT0VLLR 编号：C1339481

封装：LQFP-100(14x14)

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￥20.9583 ￥21.17
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￥20.4237 ￥20.63

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型号：F280025PNSR 编号：C5218674

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F280025 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、128kB 闪存的 C2000™ MCU

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型号：STM32WB55RGV6 编号：C401505

封装：QFN-68-EP(8x8)

超低功耗双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32MHz Cortex-M0+ MCU，具有1 MB Flash存储器、蓝牙5, 802.15.4、USB、LCD和AES-256

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￥28.45
30+
￥25.4
260+
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型号：STM32F373CBT6 编号：C1337334

封装：LQFP-48(7x7)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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￥35.13
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￥30.84
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￥28.3
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￥25.72
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型号：STM32F412RGT6 编号：C94351

封装：LQFP-64(10x10)

特性：动态效率线，带BAM（批量采集模式）内核：ARM 32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte闪存；256 Kbyte SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口；LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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￥22.48

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型号：S9S08DZ128F2MLH 编号：C782277

封装：LQFP-64(10x10)