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首页 > 热门关键词 > 步进电机驱动
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  • 驱动配置:半桥 负载类型:IGBT;MOSFET 驱动通道数:2 灌电流:4A
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  • NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流,在米勒平坦区高达 5A 峰值电流,有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能,在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。 此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。
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  • UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装(DGN)可大幅降低热阻,提高长期可靠性
    数据手册
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  • 是一款集成电机驱动器,具有N通道H桥、电荷泵、电流感应输出、电流调节和保护电路。三倍电荷泵允许器件低至1.65 V电压下工作,以适应1.8 V电源轨和低电池条件。电荷泵集成了所有电容器,允许100%占空比运行。内部电流镜实现电流感应和调节,无需大型功率分流电阻,节省电路板面积并降低系统成本
    数据手册
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      ¥3.735 ¥4.15
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      ¥3.564 ¥3.96
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  • 半桥驱动集成电路,可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。
    数据手册
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      ¥3.19
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  • DRV8872 具有故障报告和电流调节功能的 50V、3.6A H 桥电机驱动
    数据手册
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      ¥6.42
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  • 高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片,内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V,静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I0+/- 2A/2.5A,采用SOP16封装。
    数据手册
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      ¥6.52
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      ¥3.43
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  • 单相, SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
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  • 高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
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      ¥6.706 ¥9.58
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  • 120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
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  • UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计,UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载,此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。
    数据手册
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  • MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器,针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑,输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响,还有两路高电流图腾柱输出,极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定,以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。
    数据手册
    • 1+

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  • L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器,能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端(浮动)部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流,由于集成了互锁功能,两个输出端无法同时置为高电平
    数据手册
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      ¥8.14
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  • NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路,提供两种输出,用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V,NCP5106 = 600V
    数据手册
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  • 有货
  • UCC27537 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器
    数据手册
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      ¥8.62
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      ¥7.22
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      ¥4.78
  • 有货
  • DRV8231 具有集成电流调节功能的 35V、3.7A H 桥电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥9.42
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      ¥7.91
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    • 1000+

      ¥5.53
  • 有货
  • 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥11.31
    • 10+

      ¥9.56
    • 30+

      ¥8.6
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      ¥7.22
    • 500+

      ¥6.74
  • 有货
  • 高压高侧和低侧4 A栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.41
    • 10+

      ¥10.41
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      ¥9.78
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      ¥9.14
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      ¥8.84
    • 1000+

      ¥8.72
  • 有货
  • DRV8873-Q1 具有集成电流感应和反馈功能的汽车类 40V、10A H 桥电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥12.03
    • 10+

      ¥10.13
    • 30+

      ¥9.06
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      ¥7.97
    • 500+

      ¥7.48
    • 1000+

      ¥7.26
  • 有货
  • DRV8306 最大 40V 含传感器梯形控制三相 BLDC 智能栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.47
    • 10+

      ¥10.77
    • 30+

      ¥9.7
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      ¥8.61
    • 500+

      ¥8.12
    • 1000+

      ¥7.91
  • 有货
  • 1ED31xxMU12H(1ED-X3紧凑型)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作,采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥17.73
    • 10+

      ¥14.87
    • 30+

      ¥13.07
    • 100+

      ¥11.24
    • 500+

      ¥10.41
  • 有货
  • DRV8303 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥19.98
    • 10+

      ¥17.05
    • 30+

      ¥15.22
    • 100+

      ¥13.34
    • 500+

      ¥12.49
    • 1000+

      ¥12.13
  • 有货
  • MP6543H 系列产品(MP6543H、MP6543H - A 和 MP6543H - B)是三相无刷直流电机驱动器。它们集成了三个半桥,由六个 N 沟道功率 MOSFET 组成,以及预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6543H 每个半桥都有使能(EN)和 PWM 输入。MP6543H - A 有独立的高端(HS)和低端(LS)输入,而 MP6543H - B 有霍尔效应传感器输入。除此之外,这三款器件相似。MP6543H 可提供高达 2A 的连续电流(取决于散热和 PCB 条件),并具有可调的过流保护(OCP)阈值。它使用内部电荷泵为高端 MOSFET 生成栅极驱动电源电压,并使用涓流充电电路来维持足够的栅极驱动电压,以实现 100% 占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定(UVLO)和过流保护(OCP)。MP6543H 采用带有外露散热焊盘的 QFN - 24(3mmx4mm)封装。
    • 1+

      ¥20.0049
    • 50+

      ¥18.3746
    • 100+

      ¥16.9585
    • 500+

      ¥14.4188
    • 1000+

      ¥12.2888
    • 3000+

      ¥11.7837
  • 有货
  • 1ED332xMC12N(1ED - F3)是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品,采用 DSO - 16 宽体封装,具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能,适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容,可直接连接到微控制器
    • 1+

      ¥25.25
    • 10+

      ¥21.5
    • 30+

      ¥19.27
    • 100+

      ¥17.01
    • 500+

      ¥15.97
  • 有货
  • DRV8245-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、32A H 桥驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥33.28
    • 10+

      ¥29.91
    • 30+

      ¥27.76
    • 100+

      ¥25.68
  • 有货
  • 半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片,设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。内置防止直通功能和死区时间,防止功率管发生直通,有效保护功率器件。
    • 5+

      ¥0.7642
    • 50+

      ¥0.6202
    • 150+

      ¥0.5482
    • 500+

      ¥0.4942
    • 2500+

      ¥0.451
    • 4000+

      ¥0.4293
  • 有货
  • JSM2103SS是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。
    • 5+

      ¥1.63
    • 50+

      ¥1.42
    • 150+

      ¥1.33
    • 500+

      ¥1.25
    • 2500+

      ¥1.2
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 U2103S是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥1.764 ¥1.96
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      ¥1.539 ¥1.71
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      ¥1.44 ¥1.6
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      ¥1.314 ¥1.46
    • 500+

      ¥1.296 ¥1.44
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      ¥1.26 ¥1.4
  • 有货
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