步进电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-24-300mil

A3959专为直流电机的脉宽调制（PWM）电流控制而设计，能够输出±3 A的电流，工作电压可达50 V。内部固定关断时间的PWM电流控制定时电路可通过控制输入进行调整，以在慢速、快速和混合电流衰减模式下工作。提供PHASE和ENABLE输入端子，用于利用外部施加的PWM控制信号控制直流电机的速度和方向

数据手册

1+
￥30.85
10+
￥26.47
30+
￥23.87
100+
￥21.24
500+
￥20.03

有货

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型号：SI8233AB-D-IS1R 编号：C461838

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥21.52
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￥18.44
30+
￥16.61
100+
￥14.455 ￥14.75
500+
￥13.622 ￥13.9
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￥13.2398 ￥13.51

有货

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型号：LMG1210RVRR 编号：C2677136

封装：WQFN-19-EP(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥22.52
10+
￥19.08
30+
￥17.04
100+
￥14.98

有货

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型号：DRV8316CTRGFR 编号：C6602057

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C 具有集成电流检测功能、FET、增强型 CSA 规格、40V 最大电压、8A 峰值电流的三相电机驱动器

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￥26.9
10+
￥22.82
30+
￥20.39
100+
￥17.94
500+
￥16.81

有货

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型号：1ED3491MU12M 编号：C530929

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

1+
￥26.95
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￥22.93
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￥20.54
100+
￥18.12
500+
￥17.01

有货

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型号：SI8238AB-D-IS1R 编号：C461846

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

1+
￥29.54
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￥25.26
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￥22.71
100+
￥19.7274 ￥20.13
500+
￥18.5612 ￥18.94
1000+
￥18.032 ￥18.4

有货

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型号：MP6540GU-Z 编号：C5676249

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6540 和 MP6540A 是三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个 N 沟道功率 MOSFET 组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540 每个半桥都有使能和 PWM 输入。MP6540A 有独立的高端和低端输入；除此之外，这两款器件完全相同。MP6540 可在一秒内提供高达 10A 的峰值电流，连续提供 3A 电流（具体取决于散热和 PCB 条件）。MP6540 使用内部电荷泵为高端 MOSFET 产生栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以维持足够的栅极驱动电压，实现 100% 占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定 (UVLO) 和过流保护 (OCP)。MP6540 采用 QFN - 26（5.0mm×5.0mm）封装。

1+
￥53.2513
50+
￥49.5646
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￥44.7311
500+
￥33.4527
1000+
￥28.6738
3000+
￥27.4954

有货

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型号：MP6540HGU-P 编号：C3681334

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

无刷电机驱动，48V以上供电，4A~6A方案，

1+
￥62.8727
50+
￥55.174
100+
￥50.0653

有货

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型号：LMG5200MOFT 编号：C527479

封装：QFN-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

数据手册

1+
￥77.74
10+
￥66.32
30+
￥59.36
100+
￥53.53

有货

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型号：GR3115 编号：C18164497

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

GR3115是一款高性价比的半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。

5+
￥0.7142
50+
￥0.5711
150+
￥0.4996
500+
￥0.4459
2500+
￥0.403
4000+
￥0.3816

有货

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型号：SDH21263TR 编号：C7466375

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

5+
￥1.02222 ￥1.1358
50+
￥0.79542 ￥0.8838
150+
￥0.69822 ￥0.7758
500+
￥0.57699 ￥0.6411
2500+
￥0.55899 ￥0.6211
4000+
￥0.52659 ￥0.5851

有货

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型号：UCC27517DBVR-JSM 编号：C7432821

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

5+
￥1.037168 ￥1.1786
50+
￥0.807048 ￥0.9171
150+
￥0.708488 ￥0.8051
500+
￥0.585376 ￥0.6652
3000+
￥0.56716 ￥0.6445
6000+
￥0.534248 ￥0.6071

有货

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型号：MX1020W 编号：C5875701

封装：CSP-6

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和小脉冲失真相结合，可显著提升激光雷达、飞行时间测量（ToF）和功率转换器的性能。

5+
￥1.2123
50+
￥0.9398
150+
￥0.8229
500+
￥0.6772
3000+
￥0.6123
6000+
￥0.5733

有货

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型号：GBI7250TJBR 编号：C5451739

封装：TSOT23-5

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

单通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至 -5V 的负输入，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞与TTL低压逻辑兼容。IN+和IN-输入的灵活配置使SOT23-THN既可以作为同相驱动器，也可以作为反相驱动器。它可在 -40°C至150°C的宽温度范围内工作。有SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。

5+
￥1.5746
50+
￥1.2364
150+
￥1.0914
500+
￥0.9106
3000+
￥0.8301

有货

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型号：LN4201SF-G 编号：C17701718

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

5+
￥1.63917 ￥1.8213
50+
￥1.27629 ￥1.4181
150+
￥1.12077 ￥1.2453
500+
￥0.92673 ￥1.0297
2500+
￥0.89073 ￥0.9897
4000+
￥0.8388 ￥0.932

有货

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型号：UCC27324DR-JSM 编号：C5804614

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道,超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

5+
￥1.7622 ￥1.958
50+
￥1.38753 ￥1.5417
150+
￥1.22697 ￥1.3633
500+
￥0.98721 ￥1.0969
2500+
￥0.89802 ￥0.9978
4000+
￥0.84447 ￥0.9383

有货

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型号：DRV8300DPWR-JSM 编号：C41421800

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。

1+
￥1.97
10+
￥1.7
30+
￥1.58
100+
￥1.43
500+
￥1.41
1000+
￥1.37

有货

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型号：LF2304NTR-JSM 编号：C17701713

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 LF2304N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.169 ￥2.41
10+
￥1.926 ￥2.14
30+
￥1.809 ￥2.01
100+
￥1.683 ￥1.87
500+
￥1.611 ￥1.79
1000+
￥1.575 ￥1.75

有货

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型号：JSM2103SSTR 编号：C44606222

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2103SS是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥2.26
50+
￥1.75
150+
￥1.54
500+
￥1.3
2500+
￥1.18

有货

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型号：BL8023C 编号：C140619

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL8023C是一款双向继电器驱动电路，用于控制磁保持继电器，具有大输出能力和超低功耗的特点。它可广泛应用于智能电表等脉冲、电平控制应用场景。BL8023C可提供300mA的典型驱动电流，该电流会根据继电器线圈电阻而有所不同

数据手册

5+
￥2.3192
50+
￥1.9195
150+
￥1.7482
500+
￥1.5005
3000+
￥1.4053
6000+
￥1.3482

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型号：AS4950-MS 编号：C50275688

封装：ESOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

AS4950是一款全桥DMOS有刷电机驱动芯片宽电压供电，8V-40VRDS(ON)电阻为600mΩ3.5A峰值驱动输出，2A持续输出能力支持欠压锁定保护低功耗休、眠模式PWM电流整流/限流/调向后面-MS代表品牌

5+
￥2.41
50+
￥1.91
150+
￥1.69
500+
￥1.42
2500+
￥1.3

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型号：SS6285L-SO-TP 编号：C3345075

封装：SOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

驱动一路有刷直流电机。微小的待机电流，小于 1uA。低 RDS(ON)电阻。最大输出持续电流 5.0A。有紧急停止功能。有过热保护功能。有过流嵌流及短路保护功能。

数据手册

5+
￥2.5018
50+
￥2.0079
150+
￥1.7962
500+
￥1.3642
2500+
￥1.2466
4000+
￥1.176

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型号：NSG20652Q 编号：C41414479

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、SD功能

1+
￥2.5175 ￥2.65
10+
￥2.2325 ￥2.35
30+
￥2.09 ￥2.2
100+
￥1.9475 ￥2.05
500+
￥1.862 ￥1.96
1000+
￥1.824 ￥1.92

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型号：TPSGM42501XPS8G 编号：C42370559

封装：ESOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

该设备是有刷直流电机驱动器。此设备集成四个N-MOSFET，可在40V电压下提供高达3.6A的峰值电流。支持PH/EN接口。

1+
￥2.584 ￥2.72
10+
￥2.0045 ￥2.11
30+
￥1.7575 ￥1.85
100+
￥1.4535 ￥1.53
500+
￥1.3205 ￥1.39
1000+
￥1.235 ￥1.3

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型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。