步进电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2110STRPBF-JSM 编号：C5804621

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥5.9755 ￥7.03
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￥4.794 ￥5.64
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￥4.199 ￥4.94
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￥3.6125 ￥4.25
500+
￥3.1535 ￥3.71
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￥2.975 ￥3.5

有货

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型号：FAN7390MX-MNS 编号：C50646515

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流:4A

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￥5.68
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￥4.6
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￥4.06
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￥3.52
500+
￥3.2
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￥3.04

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型号：UCC27282DR 编号：C2867844

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

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￥5.77
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￥4.6
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￥4.01
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￥3.43
500+
￥3.11
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￥2.93

有货

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型号：UCC27525DR 编号：C2676989

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

数据手册

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￥6.29
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￥5.58
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￥4.91
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￥4.41
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￥4.2
1000+
￥4.1

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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

数据手册

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￥6.4
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￥5.13
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￥4.49
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￥3.86
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￥3.48
1000+
￥3.29

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型号：GBI7A54SMAR 编号：C28324637

封装：ESOP-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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￥6.46
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￥5.29
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￥4.65
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￥3.92
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￥3.6
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￥3.45

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型号：LM5060MMX/NOPB 编号：C2676940

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5060 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

数据手册

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￥6.5
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￥5.25
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￥4.62
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￥3.87
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￥3.5
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￥3.31

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型号：TF21844M-TUH 编号：C2981475

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥6.706 ￥9.58
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￥6.139 ￥8.77
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￥5.782 ￥8.26
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￥5.411 ￥7.73
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￥5.25 ￥7.5
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￥5.173 ￥7.39

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型号：UCC27714DR 编号：C473332

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

UCC27714 高速、4A、600V 高侧/低侧栅极驱动器

数据手册

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￥6.81
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￥5.59
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￥4.93
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￥4.18
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￥3.84
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￥3.69

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型号：UCC27201ADR 编号：C913823

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

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￥7.06
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￥5.83
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￥5.15
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￥4.39
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￥3.95
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￥3.79

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型号：UCC27322DR 编号：C2861813

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有分离输出和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 105

数据手册

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￥7.33
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￥6.5
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￥5.72
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￥5.14
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￥4.9
1000+
￥4.78

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型号：DRV2605LDGSR 编号：C527464

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV2605L 具有 2V 工作电压、波形库和自动谐振跟踪功能的 ERM/LRA 触觉驱动器

数据手册

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￥8.25
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￥6.78
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￥5.97
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￥5.11
500+
￥4.7
1000+
￥4.52

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型号：TC4427EOA 编号：C636891

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

数据手册

1+
￥8.31
10+
￥6.83
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￥6.02
100+
￥5.11
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￥4.7
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￥4.51

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型号：DRV8231DSGR 编号：C3681197

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8231 具有集成电流调节功能的 35V、3.7A H 桥电机驱动器

数据手册

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￥8.33
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￥6.82
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￥5.99
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￥5.06
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￥4.64
1000+
￥4.45

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型号：UCC27537DBVR 编号：C130224

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27537 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

数据手册

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￥8.35
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￥6.95
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￥6.18
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￥5.31
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￥4.68
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￥4.51

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型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

数据手册

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￥14.03
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￥12.03
30+
￥10.78
100+
￥8.68
500+
￥8.1
1000+
￥7.85

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型号：STSPIN32G4 编号：C7434864

封装：VFQFPN-64(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

STSPIN32G4是一款高度集成且灵活的电机控制器，用于驱动三相无刷电机，可帮助设计人员选择最合适的驱动模式，减少PCB面积和总体物料清单。它内置一个三半桥栅极驱动器，能够驱动电流能力为1 A（灌电流和拉电流）的功率MOSFET，同时还集成了三个自举二极管。由于具备集成互锁功能，同一半桥的高端和低端开关无法同时被驱动至高电平

1+
￥21.56
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￥18.34
30+
￥16.43
260+
￥14.5
520+
￥13.61
1040+
￥13.2

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型号：DRV8353HRTAR 编号：C2150766

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥23.91
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￥21.12
30+
￥19.7
100+
￥17.8
500+
￥17.11
1000+
￥16.82

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型号：VNH3SP30TR-E 编号：C2969756

封装：MultiPowerSO-30

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

1+
￥52.58
10+
￥44.85
30+
￥40.14
100+
￥36.19

有货

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型号：KP85302SGA 编号：C17701717

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

5+
￥0.67545 ￥0.711
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￥0.526015 ￥0.5537
150+
￥0.451345 ￥0.4751
500+
￥0.395295 ￥0.4161
2500+
￥0.39235 ￥0.413
4000+
￥0.370025 ￥0.3895

有货

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型号：GM8023A 编号：C269870

封装：SOP-8

品牌：GATEMODE(捷茂微)

最高可达40V工作电压的继电器驱动芯片

数据手册

5+
￥0.7892
50+
￥0.6356
150+
￥0.5588
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￥0.5012
2500+
￥0.4071
5000+
￥0.3841

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型号：CC6403SS 编号：C2832986

封装：SOT-335

品牌：CrossChip(成都芯进)

单线圈，24V,FG信号输出,堵转保护

数据手册

5+
￥1.6507
50+
￥1.4512
150+
￥1.3657
500+
￥1.2591
2500+
￥1.0735
5000+
￥1.045

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型号：JSM2203STR 编号：C44606289

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2203S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

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￥1.8093
50+
￥1.4061
150+
￥1.2333
500+
￥1.0177
2500+
￥0.9937
4000+
￥0.936

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型号：RT9624AZS 编号：C167520

封装：SOP-8

品牌：RICHTEK(立锜)

驱动两个N-MOSFET,DC-DC转换

数据手册

5+
￥1.9845
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￥1.5461
150+
￥1.3582
500+
￥1.0977
2500+
￥0.9934
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￥0.9307

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型号：EG2103 编号：C480654

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2103是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2103高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.0125
50+
￥1.5226
150+
￥1.3126
500+
￥1.0507
2500+
￥1.033
4000+
￥0.963

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型号：UCC27524DR-JSM 编号：C18195049

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道(双反)、四输入 25V 4A/4A SOP-8

5+
￥2.0624
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￥1.6088
150+
￥1.4144
500+
￥1.1719
2500+
￥1.0639
4000+
￥0.999

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型号：SD6287T 编号：C44606226

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。有TSSOP20和QFN24封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。