silan驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2101STRPBF-JSM 编号：C5804627

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥2.45
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￥1.91
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￥1.67
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￥1.38
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￥1.25
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型号：DO6288Q 编号：C42386238

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

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￥1.81
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型号：UCC27710DR(UMW) 编号：C29780640

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27710 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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型号：EG2106D 编号：C2904138

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2106D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO(+/-) 0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

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￥2.0084
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￥1.3604
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型号：SL27517 编号：C2681372

封装：SOT-23-5

品牌：Slkor(萨科微)

SL27517是单通道4A的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑的SOT-23封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。这款芯片非常适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，在这种场合中同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。

数据手册

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￥1.288

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型号：NSG2101 编号：C7421061

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

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￥1.049

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型号：EG2103 编号：C480654

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2103是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2103高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

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型号：MX5134T 编号：C19078228

封装：SOT-23-6L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

低边驱动单通道，低边驱动，大电流，SOT23-6

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型号：EG27322 编号：C48580029

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG27322 是一款高性价比高速单路驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、太阳能逆变电源、开关电源、变压器中的驱动电路。

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型号：FD2203S 编号：C97684

封装：SO-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2203S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET，可在高达 +250V 电压下工作。内置欠压（UVLO）保护功能防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

数据手册

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￥2.2722
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型号：AS4950-MS 编号：C50275688

封装：ESOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

AS4950是一款全桥DMOS有刷电机驱动芯片宽电压供电，8V-40VRDS(ON)电阻为600mΩ3.5A峰值驱动输出，2A持续输出能力支持欠压锁定保护低功耗休、眠模式PWM电流整流/限流/调向后面-MS代表品牌

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￥1.23

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型号：JSM2134 编号：C41382481

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三相高低侧功率驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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型号：TPM27524-EV1R 编号：C5375729

封装：EMSOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

TPM2752x 系列是一系列用于 MOSFET、IGBT 和 GaN 功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5 A 的高源电流和灌电流能力可通过缩短转换时间和降低开关损耗来提高开关效率。该器件支持最高 25 V 的电源电压和 -5 V 的直流输入电压能力，这提高了系统的稳健性，尤其适用于嘈杂的工业应用

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￥2.62
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￥2.02
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￥1.44

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型号：2EDN7524F 编号：C533081

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器，适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。

数据手册

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￥3.02
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￥2.14
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型号：DGD21904MS14-13 编号：C526567

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

数据手册

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￥2.04
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型号：EG3118 编号：C48580031

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3118是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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型号：TMI8340SP-MS 编号：C22462554

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能，被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。

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型号：EG2129 编号：C20416234

封装：SSOP-24

品牌：EG(屹晶微)

EG2129是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2129高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SSOP24封装。

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￥2.38

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型号：EG1168 编号：C20416230

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG1168是一款高性价比的多功能半桥及推挽电源专用驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、两路对称半桥及推挽PWM输出、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合数字半桥电源、数字推挽电源等场合使用。 EG1168高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V，VCC静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道PWMIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

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型号：EG2183Q 编号：C48580026

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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￥3.47
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￥2.74
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￥2.43
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￥2.04
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￥1.87
1000+
￥1.77

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型号：UCC27323DGNR 编号：C2873602

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

数据手册

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￥3.55
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￥2.87
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￥2.53
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￥2.19
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￥1.99
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￥1.89

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型号：DOS2181 编号：C52140036

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

700V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥3.59
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￥2.91
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￥2.57
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￥2.23
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￥2.03
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￥1.92

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型号：TB67H451FNG(O,EL) 编号：C1858375

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H451FNG是一款PWM斩波式直流有刷电机驱动器，内置一个电机输出通道。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50 V，最大电流为3 A。

数据手册

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￥3.91
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￥3.12
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￥2.72
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￥2.32
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￥2.08
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￥1.96

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型号：SLM2110CG 编号：C496629

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:130/120ns, DT:NA, MT:10nS

数据手册

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￥1.99

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型号：EG21364 编号：C20416235

封装：SOP-28

品牌：EG(屹晶微)

EG21364是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

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型号：FAN3227TMX 编号：C606088

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

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￥3.73
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￥2.47
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￥2.41

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型号：SA8345-MS 编号：C22462556

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能，被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。

1+
￥4.44
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￥2.8
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型号：NSG2181 编号：C53436217

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥2.907 ￥3.23
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￥2.547 ￥2.83

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型号：TF21064M-TUH 编号：C3034732

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥4.54
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￥3.79
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￥3.54
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￥3.14

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型号：GC5849 编号：C16197202

封装：SOP-8L

品牌：SX(芯麦)

GC5849是一款三相电机驱动器，具有低噪声，低振动和高效率的特点。芯片可在4~20V电源电压，1A的持续电流下工作，芯片工作温度在-40~110℃。封装形式采用 4.9mmx3.9mm的eSOP8脚，底部有散热片。芯片采用180°正弦波驱动，支持高效控制算法，采用无传感器操作，可通过PWM调速，内置热击穿保护、过流保护、短路保护，软启动。提供STM32参考例程及原厂技术支持

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￥4.64
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