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封装：HTSSOP-16

A3950专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，其峰值输出电流可达±2.8 A，工作电压可达36 V。该器件设有相位（PHASE）和使能（ENABLE）输入端子，用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路，可降低PWM工作期间的功耗

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型号：MAX4420ESA+T 编号：C3655522

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

单输出MOSFET驱动器旨在将TTL/CMOS输入转换为高压/大电流输出。低1.5Ω输出阻抗和6A峰值电流输出使其能够快速切换高电容功率MOSFET，提高效率。40ns的延迟时间和25ns的上升或下降时间（驱动2500pF至18V时）可最大程度减少MOSFET开关转换期间的功率损耗。逻辑输入轻松与CMOS或双极型开关模式控制器接口，因为其逻辑输入电流低于10μA

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型号：DRV8231DDAR 编号：C5218850

封装：SOPowerPAD-8

品牌：TI(德州仪器)

DRV8231 具有集成电流调节功能的 35V、3.7A H 桥电机驱动器

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型号：SDH2136TR 编号：C7466374

封装：SOP-28

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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型号：DRV8912QPWPRQ1 编号：C1855817

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8912-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、12 通道半桥电机驱动器

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型号：IR2102STRPBF 编号：C152687

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：GC6236 编号：C16197210

封装：QFN-40

品牌：SX(芯麦)

GC6236是一个具有高精度和低噪声的镜头驱动。工作电压在3~5.5V，逻辑电源在2.8~3.6V，持续输出电流0.5A，芯片工作温度在-40~100℃，采用QFN40封装。内置6通道H桥电机驱动器,2通道PI驱动,整流数字伺服电路,锁相环电路，用于多种系统时钟,STM控制电路:自动控制(高速缓存/上下模式)，Clock IN控制。提供STM32参考例程及原厂技术支持

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型号：TF21364M-TR 编号：C17701729

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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型号：L6384ED013TR 编号：C17119

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

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型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IXDD604SIATR 编号：C2676942

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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型号：TLE94108ES 编号：C7602527

封装：PG-TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108ES是一款具备保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载

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型号：NCV7240BDPR2G 编号：C603983

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7240 是一款汽车八沟道低压侧驱动器，提供高达每沟道 600 mA 的驱动能力。输出控制通过 SPI 端口进行，针对开路负载（或接地短路）、过载和高温条件提供方便的故障报告。另外，输出的并行控制可通过 INx 引脚寻址（成对）。专用的跋行回家模式引脚 (LHI) 启用 OUT1 至 OUT4，而禁用 OUT5 至 OUT8。每个输出驱动器均具有过载电流保护，且包括一个用于电感负载的输出箝位。NCV7240 采用 SSOP24 带保险丝引线封装。

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型号：IXDN609SIATR 编号：C5242049

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：L293DDM/TR 编号：C2973803

封装：SOP-20

品牌：HGSEMI(华冠)

L293DDM升级替代料，建议试样该器件是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，设计用于接收标准 DTL 或 TTL 逻辑电平，并驱动感性负载（如继电器、螺线管、直流和步进电机）以及开关功率晶体管。为便于作为两个桥路使用，每对通道均配备一个使能输入。逻辑部分设有单独的电源输入，允许在较低电压下工作，并且内部包含钳位二极管

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型号：TC4420EOA 编号：C68314

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：A4987SESTR-T 编号：C692115

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款双 DMOS 全桥步进电机驱动器，具有并行输入通信和过流保护功能。每个全桥输出的额定电压高达 35V，电流为 ±1A。包括固定关断时间脉宽调制 (PWM) 电流调节器，以及 2 位非线性 DAC（数模转换器），允许步进电机进行全步、半步和四分之一步控制。PWM 电流调节器采用专利的混合衰减模式，可降低电机噪音、提高步进精度并降低功耗

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型号：L293DD013TR 编号：C21610

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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￥14.77
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型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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￥14.83
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型号：DRV91680RGZR 编号：C5125831

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

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￥20.36
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￥16.31
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￥16.03
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型号：MP6539GV-Z 编号：C5676243

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mmx6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。