silan驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-263-5

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：DRV103H 编号：C1556557

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

DRV103 8V 至 32V PWM 低侧驱动器 (1.5A/3A)，适用于螺线管、线圈、阀、加热器和灯

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型号：POWERSTEP01TR 编号：C2653554

封装：VFQFPN-89(11x14)

品牌：ST(意法半导体)

系统级封装集成了微步控制器和10 A功率MOSFET

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型号：TMC5240ATJ+T 编号：C7494373

封装：TQFN-32

品牌：TRINAMIC

TMC5240是一款智能高性能步进电机控制器和驱动IC，具备串行通信接口（SPI、UART）和强大的诊断功能。它将用于自动目标定位的灵活、加加速度优化的斜坡发生器，与基于256细分、内置分度器和完全集成的36V、3.0A MAX H桥以及非耗散集成电流感应（ICS）的行业最先进步进电机驱动器相结合。 ADI-Trinamic先进的StealthChop2斩波器可确保在实现最高效率和最佳电机转矩的同时，实现绝对无噪音运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够实现小型化和可扩展性，从而提供经济高效的解决方案。该完整解决方案将学习成本降至最低，同时提供一流的性能。 H桥场效应晶体管（FET）的阻抗极低，从而实现高驱动效率并将产生的热量降至最低。典型的总R o N（高端 + 低端）为0.23Ω。假设使用四层PCB，每个H桥在室温下的最大RMS电流为I RMS = 2.1A RMS。每个H桥的最大输出电流为I MAX = 5.0A MAX，受过流保护（OCP）限制。由于该电流受散热因素限制，实际的最大RMS电流将取决于应用的散热特性（PCB接地层、散热器、通风等）。每个H桥的最大满量程电流为1 FS = 3.0A，可通过连接到IREF的外部电阻进行设置。此电流定义为嵌入式电流驱动调节电路的最大电流设置。非耗散ICS消除了笨重的外部功率电阻，与基于外部检测电阻的主流应用相比，可显著节省空间和功率，同时保持相同的整体精度。 TMC5240具备丰富的诊断和保护功能，如短路保护/OCP、热关断和欠压锁定（UVLO）。在热关断和UVLO事件期间，驱动器将被禁用。此外，TMC5240还提供测量驱动器温度、估算电机温度和测量一个外部模拟输入的功能。 TMC5240采用小型TQFN32 5mm x 5mm封装和具有散热优化的带裸露焊盘的TSSOP38 9.7mm x 4.4mm封装。

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型号：UC3706DWTR 编号：C2871778

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

具有 40V VDD、40ns 下降时间且每个输出均具有两个输入的 1.5A/1.5A 双通道栅极驱动器 16-SOIC 0 to 70

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型号：TC8301 编号：C2887481

封装：SOP-8

品牌：FM(富满)

特性：单通道内置功率MOS全桥驱动。驱动前进、后退、停止及刹车功能。内置迟滞热效应过流保护功能。低导通电阻（1.6Ω）。应用：玩具马达驱动

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型号：GR6202 编号：C18164405

封装：SOT-23

品牌：GR(国睿)

LED驱动芯片低启动电压：1.8V，可驱动1个3W白光LED，3个1W白光LED并联，15-30个普通白光LED等；工作效率≥80%

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型号：BDR6307B 编号：C20622848

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。

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型号：HT1628BRWZ 编号：C2886395

封装：SOP-28-300mil

品牌：HTCSEMI(海天芯)

3.3V~4.2V 低功耗版本4位x13段或7位x10段的阴极型LED面板显示驱动

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型号：CC6407SS 编号：C2832988

封装：SOT-335

品牌：CrossChip(成都芯进)

单线圈，反接保护 CC6407 是一款高性能单线圈直流无刷马达（风扇）驱动 IC。该 IC 采用创新的高压 BiCMOS 工艺设计制造，优化了霍尔传感器和电机驱动结构。芯片包含高灵敏度霍尔传感器，斩波失调消除模块，霍尔温度补偿单元，过温保护，电压调节器，低 RDSON 全桥驱动器和有源反向保护等。

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型号：UCC27517ADBVR-TP 编号：C51939677

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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型号：U3116S 编号：C400131

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。

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