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封装：HTSSOP-16

是一款具有N沟道H桥、电荷泵、电流感测和比例输出、电流调节和保护电路的集成电机驱动器。电荷泵通过支持N沟道MOSFET半桥和100%占空比驱动来提升效率。该器件系列具有引脚对引脚RDS(on)型号，只需对设计进行少量改动即可支持不同负载。IPROPI引脚上的内部电流镜架构实现电流感测和调节

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型号：DRV8801AQRMJRQ1 编号：C701788

封装：WQFN-16-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8801A-Q1 具有电流反馈功能并采用可湿性侧面 QFN 封装的汽车类 40V、2.8A H 桥电机驱动器

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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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型号：TLE94108ES 编号：C7602527

封装：PG-TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108ES是一款具备保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载

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型号：UCC27211ADRMR 编号：C1848363

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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型号：IRS2453DSTRPBF 编号：C52141

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

集成的600V全桥门驱动器

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型号：BM6104FV-CE2 编号：C507464

封装：SSOP-20-6.1mm

品牌：ROHM(罗姆)

BM6104FV-C是一款栅极驱动器，隔离电压为2500Vrms，I/O延迟时间为150ns，最小输入脉冲宽度为90ns，集成了故障信号输出功能、欠压锁定（UVLO）功能和短路电流保护（SCP、DESAT）功能。

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型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

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型号：SLMi335CG-DG 编号：C6332183

封装：SOP-16W

品牌：Sillumin(数明半导体)

隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离栅极驱动器，用于碳化硅（SiC）/绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源米勒钳位。可提供4A峰值输出电流，具有自动故障复位功能。无后缀H的器件默认去饱和阈值为6.5V，带后缀H的器件为9V。输入侧电源工作范围为3V至18V，输出侧电源范围为14V至40V

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

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型号：LM5101CSD/NOPB 编号：C1880281

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101C 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：TMC2226-SA-T 编号：C705366

封装：HTSSOP-28

品牌：TRINAMIC

TMC2226是一款用于两相步进电机的超静音电机驱动IC。先进的StealthChop2斩波器可确保无噪音运行、实现最高效率并提供最佳电机扭矩。其快速电流调节功能，以及与SpreadCycle的可选组合，可实现高动态运动，同时还集成了用于无传感器回零的StallGuard功能。集成的功率MOSFET可处理高达2A RMS的电机电流，并具备保护和诊断功能，确保运行稳定可靠。简单易用的UART接口提供了调优和控制选项。可将应用调优参数存储到OTP存储器中。将设计升级为无噪音、最精确的运行模式，提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

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型号：L6470PDTR 编号：C526277

封装：PowerSO-36

品牌：ST(意法半导体)

采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器

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型号：GR6203 编号：C18164406

封装：SOT-23

品牌：GR(国睿)

LED驱动芯片低启动电压：0.9V，可驱动1～5个普通白光LED等；低功耗，外围简单。

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型号：UCC27517DBVR-S-JSM 编号：C52711846

封装：TSOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单通道栅极驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 采用 SOT-23-5 封装具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

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￥0.52104 ￥0.6513
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￥0.45384 ￥0.5673
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￥0.40344 ￥0.5043
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￥0.34224 ￥0.4278
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￥0.322 ￥0.4025

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型号：DGD0211CWT-TP 编号：C51939542

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥1.408128 ￥1.8528
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￥0.71668 ￥0.943

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型号：GBI7250TJBR 编号：C5451739

封装：TSOT23-5

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

单通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至 -5V 的负输入，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞与TTL低压逻辑兼容。IN+和IN-输入的灵活配置使SOT23-THN既可以作为同相驱动器，也可以作为反相驱动器。它可在 -40°C至150°C的宽温度范围内工作。有SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。