BPS驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：LGA-30(5x6.5)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

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￥29.82
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￥25.8
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￥23.41
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￥19.5

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型号：LM5113QDPRRQ1 编号：C2677036

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器

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￥31.73
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￥26.92
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型号：MIC4224YM 编号：C637528

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

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￥39.36
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￥34.09
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￥30.88

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型号：DRV3245AEPHPRQ1 编号：C5218867

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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￥54.08
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型号：DRV3205QPHPRQ1 编号：C2150636

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动器

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￥62.14
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￥52.88
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型号：LMG2100R026VBNR 编号：C44231310

封装：VQFN-FCRLF-18(4.5x7)

品牌：TI(德州仪器)

集成式半桥 GaN FET 和驱动器，具有 93V 连续、100V 脉冲式电压额定值。封装经过优化，便于 PCB 布局。支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平，栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率。具有出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns），内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱动，具备电源轨欠压锁定保护，低功耗。外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热，大型 GND 焊盘实现底面散热。该器件配有用户友好型接口，提升了分立式 GaN FET 的优势，是需要小尺寸、高频、高效运行应用的理想解决方案。

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￥97.05
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￥92.3
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￥84.07

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型号：2SC0108T2G0-17 编号：C1549443

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

低功耗SCALE-˙2+双驱动器内核2SC0108T2G0-17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI能力；实现了SSD；无铅）/2SC0108T2G0C-17（采用Lackwerke Peters的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本），将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器设计用于需要高可靠性的通用应用。2SC0108T2G0(C)-17可驱动所有常用的IGBT模块，最高可达600A/1200V或450A/1700V。

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1+
￥163.85
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￥155.16

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型号：MX6208(MS) 编号：C20627212

封装：SOIC-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MX6208(MS)是为5V 和12V 供电电压下工作的系统而设计的单通道低导通电阻直流电机驱动集成电路。集成了电机正转/反转/停止/刹车四个功能。MX6208(MS)集成了温度保护功能，当芯片温度超过内部温度保护电路设置得最高温度点后，内部电路关断内置的功率开关管，切断负载电流，避免温度过高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患。

10+
￥0.306 ￥0.34
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￥0.2412 ￥0.268
300+
￥0.2088 ￥0.232
1000+
￥0.1845 ￥0.205
4000+
￥0.16506 ￥0.1834
8000+
￥0.15525 ￥0.1725

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型号：LKS561 编号：C2798405

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS561 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压 +300V，可承受瞬时负压，芯片电源供电范围 10~25V，有欠压保护功能，输入电平3.3/5/15V 兼容，双通道延时匹配。

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单价：
￥0.378 / 个

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型号：BDR6301 编号：C48579941

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款高压大功率 MOS 管/IGBT管栅极驱动专用芯片,应用领域：电动工具、移动电源高压快充开关电源、变频水泵控制器、电动车控制、无刷电机驱动器等。

5+
￥0.5267
50+
￥0.4187
150+
￥0.3647
500+
￥0.3242
2500+
￥0.2918

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型号：AP1511 编号：C19631830

封装：SOT-23-6

品牌：GR(国睿)

AP1511系列是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC，用来开关红外线滤光片。 AP1511系列具有一个低饱和电压双向的H-bridge驱动电路，内建保护二极管疏通ICR，所产生的反馈电流，以及防止ESD的破坏。 AP1511系列内的双向H-bridge 驱动电路其内阻比较小，ICR模块所需的电流决定于其线圈的阻抗。

5+
￥0.5521
50+
￥0.4321
150+
￥0.3721
500+
￥0.3271
3000+
￥0.2911
6000+
￥0.2731

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型号：QK1301B 编号：C49108305

封装：SOT-23-6

品牌：HICHON(海川)

QK1301B 是一款针对低压 LED 灯的专用芯片，具有完整的充电功能和完善的电池保护功能，特性  低静态待机电流（＜10uA）  充电电流 0.5A，输出电流最大 1A  欠压保护功能  过温保护功能（芯片内部温度）  直接从 USB 端口给单节锂离子电池充电  4.2V 预设充电电压  完善的 LED 工作指示功能  支持 0V 充电  低于 2.7V 涓流充电  电池防反接保护  SOT23-6 封装应用范围  手提灯、手电筒、头灯、低压球泡灯

5+
￥0.5867
50+
￥0.4667
150+
￥0.4067
500+
￥0.3617

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型号：U3115C 编号：C19193019

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.6529
50+
￥0.5089
150+
￥0.4369
500+
￥0.3829
2500+
￥0.3397

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型号：BE1511B 编号：C41374261

封装：SOT-23-6

品牌：BORN(伯恩半导体)

BE1511是专为IR-CUT控制设计的电路，主要用来开关红外线滤光片。芯片内部包括一个微控制电路和双向H桥驱动电路。驱动电路在300mA驱动能力下内部仅需要0.75V压降。

5+
￥0.6717
50+
￥0.5325
150+
￥0.4629
500+
￥0.4107
3000+
￥0.3689
6000+
￥0.348

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型号：SSP8810SR 编号：C49331820

封装：SOP-8

品牌：Siproin(上海矽朋)

低压直流马达驱动芯片

5+
￥0.76475 ￥0.805
50+
￥0.60059 ￥0.6322
150+
￥0.51851 ￥0.5458
500+
￥0.45695 ￥0.481
2500+
￥0.40774 ￥0.4292
4000+
￥0.38304 ￥0.4032

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型号：U3115E 编号：C22398250

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115E 是一款可在高达 +350V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

5+
￥0.7912
50+
￥0.6232
150+
￥0.5391
500+
￥0.4761
2500+
￥0.4257

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型号：NSG0462UQ 编号：C41414784

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。此外，采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。为PMOS和NMOS输出10V门电源电压，为了简化PCB设计，集成了一个5V/40mA的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。此外出于安全考虑，还集成了热关闭保护。

5+
￥0.879415 ￥0.9257
50+
￥0.76494 ￥0.8052
150+
￥0.715825 ￥0.7535
500+
￥0.65455 ￥0.689
2500+
￥0.627285 ￥0.6603
5000+
￥0.610945 ￥0.6431

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型号：MT7714SH 编号：C2979276

封装：SOP-7

品牌：MAXIC(美芯晟)

MT771XH是一款工作于电感电流临界导通模式（CRM，Critical Conduction Mode）的高精度LED恒流驱动芯片，主要应用于非隔离降型LED电源系统。适用于85Vac~265Vac全电压输入范围应用，具有可调OVP，且OVP引脚具有使能控制功能，可满足开关调色以及感应灯应用。芯片内置500V高压功率MOS管，采用创新的高压片内供电方案，无需VCC电容及启动电阻，外围电路简单，系统成本低。

数据手册

5+
￥0.897288 ￥1.0682
50+
￥0.69412 ￥0.938
150+
￥0.564608 ￥0.8822
500+
￥0.520064 ￥0.8126
2500+
￥0.500224 ￥0.7816
4000+
￥0.48832 ￥0.763

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型号：MX27517 编号：C19078226

封装：SOT-23-6L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

低边驱动单通道，低边驱动，耐压20V，SOT23-6

5+
￥0.9439
50+
￥0.7423
150+
￥0.6559
500+
￥0.5481
3000+
￥0.4529

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型号：MX113H 编号：C2845122

封装：SOT-23-6

品牌：Mixic(中科芯亿达)

27℃，VCC=6.5V 条件下最大持续输出电流达到 1A，最大峰值输出电流达到 1.5A；工作电压2V 到 8V

数据手册

5+
￥0.9631
50+
￥0.7807
150+
￥0.6895
500+
￥0.6211
3000+
￥0.462
6000+
￥0.4346

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型号：L9110S-HXY 编号：C7427355

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高效电机驱动芯片采用SOP-8封装，具有小巧体积与强大性能。支持宽范围电源电压2.2V至12V，最大输出电流高达800mA，确保在各类应用场合下稳定、可靠地驱动电机运转。适用于机器人、无人机、智能家居设备及各类嵌入式系统中的直流电机控制，以其优异的电流驱动能力和灵活的电压适应性，为您的设计提供强劲动力支持。