BPS驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：EG2104D 编号：C20416233

封装：SOP-8

EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

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￥2.0174
50+
￥1.5638
150+
￥1.3694
500+
￥1.1269

有货

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型号：DRV8210DSGR 编号：C3681199

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8210 具有自动睡眠模式的 12V、1.76A H 桥电机驱动器

数据手册

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￥2.0341
50+
￥1.5899
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￥1.3995
500+
￥1.1619

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型号：SLM2106BCA-13GTR 编号：C883214

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

数据手册

5+
￥2.0442
50+
￥1.6057
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￥1.4178
500+
￥1.1849

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型号：AT8549 编号：C2901460

封装：SSOP-10-150mil

品牌：杭州中科微

AT8549为玩具、打印机和其它机电一体化应用提供一种双通道电机驱动方案。AT8549内置两路H桥驱动，可以驱动两个直流有刷电机，或者通过输出并接驱动一个直流有刷电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管及其它感性负载。

数据手册

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￥2.0814
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￥1.6162
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￥1.4168
500+
￥1.1557
2500+
￥1.0449
4000+
￥0.9784

有货

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型号：BP6830 编号：C7498955

封装：SOP-16

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三相高速功率MOSFET驱动器

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￥2.184 ￥2.73
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￥1.936 ￥2.42
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￥1.816 ￥2.27
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￥1.688 ￥2.11
500+
￥1.616 ￥2.02
1000+
￥1.584 ￥1.98

有货

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型号：FD2203S 编号：C97684

封装：SO-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2203S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET，可在高达 +250V 电压下工作。内置欠压（UVLO）保护功能防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

数据手册

5+
￥2.2722
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￥1.7139
150+
￥1.4746

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型号：XL33039 编号：C20069080

封装：SOP-8

品牌：XINLUDA(信路达)

是一种高性能闭环速度控制适配器，通常与无刷直流电机控制器配合使用，无需磁性或光学转速计即可建立全闭环速度控制系统。它包含三个带迟滞的输入缓冲器、三个数字边缘检测器、一个可编程单稳态和一个内部并联稳压器，还包括一个反相器输出，用于需要转换传感器相位的系统。在霍尔效应传感器的每个正或负过渡时，会产生一个具有固定导通时间的脉冲，输出信号可以被滤波以获得与电机速度成正比的电压。

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￥2.42
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￥2.14
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￥2
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￥1.86
1000+
￥1.82

有货

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型号：UCC27324P-JSM 编号：C20616625

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道同相 4A 超高速功率开关驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 带上下电保护、欠压保护。-40 to 125

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￥2.72
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￥2.39
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￥2.23
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￥2.07
500+
￥1.97

有货

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型号：SLM2186CA-DG 编号：C2759831

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.17

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型号：G2063Q 编号：C49449773

封装：QFN-24(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。为QFN4X4-24封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

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￥2.91
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￥2.3
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￥2.04
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￥1.72
500+
￥1.57
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￥1.48

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型号：PM8851D 编号：C2971234

封装：SOT-23-6

品牌：ST(意法半导体)

1A低侧栅极驱动器，具有可配置非对称漏/源

数据手册

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￥3.0375 ￥4.05
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￥2.3335 ￥3.59
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￥1.848 ￥3.36
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￥1.727 ￥3.14
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￥1.65 ￥3
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￥1.6115 ￥2.93

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型号：ZXGD3006E6TA 编号：C526792

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器，用于驱动IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流，以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流，而控制器只需提供1mA的输入电流

数据手册

1+
￥3.07
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￥2.42
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￥2.14
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￥1.79
500+
￥1.57
1000+
￥1.47

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型号：DGD2106MS8-13 编号：C2677310

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2106M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以高端/低端配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2106M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2106M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

1+
￥3.16
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￥2.85
30+
￥2.69
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￥2.4
500+
￥2.31
1000+
￥2.26

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型号：HX34151-S 编号：C41399169

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX34151-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

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￥3.294 ￥3.66
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￥2.655 ￥2.95
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￥2.331 ￥2.59
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￥2.016 ￥2.24
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￥1.827 ￥2.03
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￥1.728 ￥1.92

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型号：UCC27424DGNR 编号：C783609

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

数据手册

1+
￥3.59
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￥2.93
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￥2.59
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￥2.26
500+
￥1.8
1000+
￥1.7

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型号：SLM21867CA-DG 编号：C496627

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：7-20V，HI/LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.86
30+
￥2.48

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型号：SiLM2661CA-DG 编号：C41433640

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

1+
￥3.74
10+
￥3.01
30+
￥2.65
100+
￥2.29
500+
￥2.07
1000+
￥1.96

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型号：MAX4427EPA-JSM 编号：C20616631

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 MAX4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。MAX4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

1+
￥4.01
10+
￥3.56
50+
￥3.33
100+
￥3.11
500+
￥2.97

有货

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型号：IR2113S-MNS 编号：C47967297

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113S-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

1+
￥4.09
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￥3.31
30+
￥2.92
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￥2.54
500+
￥2.31
1000+
￥2.19

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型号：UCC27712DR 编号：C485818

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.14
10+
￥3.06
30+
￥2.67
100+
￥2.28
500+
￥2.05

有货

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型号：CP2139CN(XBLW) 编号：C18723581

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动直流马达驱动，静态电流Iq(Typ)0.1uA，驱动电流 Iout6A

1+
￥4.212 ￥4.68
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￥3.393 ￥3.77
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￥2.979 ￥3.31
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￥2.574 ￥2.86
500+
￥2.331 ￥2.59
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￥2.205 ￥2.45

有货

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型号：DGD05473FNQ-7 编号：C2677131

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

DIODES公司的DGD05473FNQ是一款高频栅极驱动器，能够驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473FNQ的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）接口

数据手册

1+
￥4.3
10+
￥3.42
30+
￥2.99
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￥2.55
500+
￥2.29
1000+
￥2.16

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型号：JSM2110STR 编号：C19077359

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥4.49
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￥3.98
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￥3.73
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￥3.48
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￥3.33
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￥3.25

有货

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型号：TF2136M-TR 编号：C7466366

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

1+
￥4.573 ￥5.38
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￥3.655 ￥4.3
30+
￥3.196 ￥3.76
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￥2.7455 ￥3.23
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￥2.4735 ￥2.91
1000+
￥2.329 ￥2.74

有货

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型号：TF2110M-TR 编号：C5804624

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥4.59 ￥5.1
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￥4.158 ￥4.62
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￥3.924 ￥4.36
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￥3.654 ￥4.06
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￥3.537 ￥3.93
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￥3.483 ￥3.87

有货

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型号：TF2366M-TGH 编号：C5155307

封装：SOIC-20

品牌：TFSS(德律风根)

高压500V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥4.76
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￥4.31
30+
￥4.06
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￥3.79

有货

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型号：IR2113-MNS 编号：C47967296

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

1+
￥5
10+
￥4.05
25+
￥3.57
100+
￥3.1
500+
￥2.82
1000+
￥2.67

有货

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型号：FAN3224TMX 编号：C457631

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥5.04
10+
￥4.01
30+
￥3.5
100+
￥2.99
500+
￥2.68
1000+
￥2.53

有货

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型号：FAN3226TMX 编号：C903497

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥5.2416 ￥6.72
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￥4.148 ￥6.1
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￥3.3466 ￥5.77
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￥3.1204 ￥5.38
500+
￥3.0218 ￥5.21
1000+
￥2.9812 ￥5.14

有货

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型号：TFB0504-NHP 编号：C7436033

封装：TDFN-10

品牌：TFSS(德律风根)

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.26
10+
￥4.27
30+
￥3.77
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