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封装：SOIC-8

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：UCC27511DBVT-JSM 编号：C7466359

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

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型号：GC8872 编号：C16197219

封装：ESOP-8

品牌：SX(芯麦)

GC8872 是一款刷式直流电机驱动芯片，工作电压范围在6.5~45V，具有3.6A峰值电流驱动能力，封装采用4.9*5.8mm的ESOP8。具有 PWM（IN/IN）输入接口,与行业标准器件兼容，并具有过温保护,欠压保护，过流保护与故障排除后自动恢复。其H桥导通阻抗为565mΩ，拥有低功耗睡眠模式。提供STM32参考例程及原厂技术支持

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型号：ZXGD3003E6TA 编号：C90743

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

特性：高速、非反相单栅极驱动器，用于开关MOSFET或IGBT。可向栅极传输高达5A的峰值源/灌电流，以有效对电容性栅极负载进行充电和放电。确保MOSFET快速开关，以最大限度减少高电流开关应用中的功率损耗和失真。通常只需来自控制器的10mA输入，即可向低栅极阻抗驱动1.5A电流。应用：功率MOSFET和IGBT的栅极驱动: -AC-DC电源（SMPS）。 -DC-DC转换器

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型号：AP74700QW6-7 编号：C5381661

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器，当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时，它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围，可控制多种常见的直流母线电压，如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求

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型号：TMI8230 编号：C5259214

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8230和TMI8230S是低压直流电机驱动IC。内部集成了285mΩ（高侧+低侧典型值）的H桥NMOS开关，可支持1.8V至11V的输入电压范围。最大电流承载能力高达2.8A

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型号：MS2018 编号：C50385417

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MS2018是DC双向直流马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景RZ2018。

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型号：MS2878 编号：C50385421

封装：ESOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MS2878是一款H桥有刷电机驱动芯片，宽电压供电，6.5V-40V，RDS(ON)电阻为560mΩ，3.6A峰值驱动输出，2A持续输出能力，支持欠压锁定保护，低功耗休眠模式,PWM电流整流,限流,调向等，广泛用于打印机，汽车电子，工业设备，智能家居等可替代AM2878

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型号：NSG21531D 编号：C46473164

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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型号：MS7899 编号：C47020990

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款电机驱动芯片,具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能，被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动，可完全替代RZ7899-MS

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型号：U3315 编号：C400134

封装：TSSOP-20

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3315/6是一款高速三相栅极驱动器，适用于功率MOSFET和IGBT器件，具备三个独立的高端和低端参考输出通道。内置的死区时间保护和直通保护功能可防止半桥损坏。欠压锁定（UVLO）电路可在VCC和VBS低于指定阈值电压时防止器件出现故障

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型号：HR4985SQER 编号：C5439804

封装：QFN-24

品牌：嘉兴禾润

HR4985是一种便于使用的内部集成了译码器的微特步进电机驱动器。其设计为能使双极步进电机以全、半、1/4和1/8步进模式工作。步进模式由逻辑输入MSx选择。

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型号：AT8870 编号：C43764326

封装：SOP-8-EP

品牌：杭州中科微

一款直流有刷电机驱动器，适用于打印机、电器、工业设备以及其他小型机器。两个逻辑输入控制H桥驱动器，该驱动器由四个N-MOS组成，能够以高达3.6A的峰值电流双向控制电机。利用电流衰减模式，可通过对输入进行脉宽调制(PWM)来控制电机转速。如果将两个输入均置为低电平，则电机驱动器将进入低功耗休眠模式

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型号：TF2113M-TEH 编号：C2683761

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：HTD8236NESD 编号：C5445020

封装：ESOP-8

品牌：嘉兴禾润

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型号：IR2110S-MNS 编号：C47967293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

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型号：UCC27712DR 编号：C485818

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器

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型号：BD9876AEFJ-BZE2 编号：C2979148

封装：-

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：UCC27425DR 编号：C1848352

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

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型号：TF21814M-TUH 编号：C42441425

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：高低边电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相600V, 高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：ADP3654ARDZ-RL 编号：C659218

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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型号：TF2103-3AS 编号：C6387921

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：DRV8876RGTR 编号：C1852100

封装：VFQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8876 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、3.5A H 桥电机驱动器

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型号：NSG21276 编号：C41414526

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

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型号：SIC654CD-T1-GE3 编号：C1852094

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

是一款针对同步降压应用进行优化的高频集成功率级，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。采用专有5mm×5mm MLP封装，可使稳压器设计每相提供高达50A的连续电流。内部功率MOSFET采用最新TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与各种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5V和3.3V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以降低系统待机状态下的功耗。提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测和可靠性。

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型号：DRV8833CPWPR 编号：C191171

封装：TSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8833C 具有电流调节功能的 10.8V、1A、双路 H 桥电机驱动器

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型号：2EDS8265H 编号：C533091

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：L297DM/TR 编号：C2987341

封装：SOP-20-300mil

品牌：HGSEMI(华冠)

该产品可在微电脑控制的应用中为两相双极和四相单极步进电机生成四相驱动信号。电机可在半步、正常和波形驱动模式下运行，片上PWM斩波电路允许对绕组中的电流进行开关模式控制。该设备的一个特点是只需要时钟、方向和模式输入信号。由于相位是内部生成的，因此大大减轻了微处理器和程序员的负担。采用DIP20和SO20封装，可与L298N等单片桥驱动器或分立晶体管和达林顿管配合使用。

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型号：DRV8323HRTAR 编号：C701783

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323 具有电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：GC6610 编号：C16197209

封装：TSSOP-28L

品牌：SX(芯麦)

GC6610是一款超静音两相步进电机驱动芯片，内置步进驱动模式，采用STEP/DIR接口，最大256微步，超静音，低振动。工作电压在4.7~36V，逻辑电源在3~5.5V，持续输出电流2A，采用TSSOP28pp封装。集成自动增益控制回路(AGC)电路，电机转矩随负载或转速变化自动调节和补偿，确保转矩一致,电机保持时开启自动省电功能,并具有过温保护，欠压保护。提供STM32参考例程及原厂技术支持

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